RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
B11G1822N60DX	45.4200	RFQ	5014	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G1822	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	36-PQFN （12x7）	-	rohs3符合条件			1603-B11G1822N60DX			1,500	-	1.4µA	150 ma	-	29dB	-	28 V
A2V09H400-04NR3	95.5000	RFQ	250	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v	表面安装	OM-780-4L		720MHz〜960MHz	LDMO （双）	OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 n通道	10µA	688 MA	107W	17.9db	-	48 v
BLF278/01,112	-	RFQ	4918	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	125 v	底盘安装	SOT-262A1		108MHz	MOSFET	CDFM4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934031850112	Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源	18a	100 ma	300W	22DB	-	50 V
MRF9210R5	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-860C3	MRF92	880MHz	ldmos	NI-860C3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50		-	1.9 a	40W	16.5db	-	26 V
SMMBFJ310LT1	-	RFQ	2507	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
ON5234118	1.0000	RFQ	4778	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	800
FTD1011-TL-E	0.7100	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
AFV121KHR5	749.9594	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	112 v	底盘安装	SOT-979A	AFV121	960MHz〜1.22GHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323779178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	1000W	19.6dB	-	50 V
ON5262,127	-	RFQ	8289	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	ON5262	-	-	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058089127	Ear99	8541.29.0095	50	-	-		-	-	-
BLF6G15L-250PBRN，1	-	RFQ	3872	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1110A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064301112	Ear99	8541.29.0075	20		64a	1.41 a	60W	18.5db	-	28 V
PTFA210601F V4	-	RFQ	3356	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA210601	2.14GHz	ldmos	H-37265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		10µA	550 MA	12W	16dB	-	28 V
NE3514S02-A	-	RFQ	1820年	cel	-	条	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET	S02	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NE3514S02A	Ear99	8541.21.0075	1		70mA	10 MA	-	10dB	0.75dB	2 v
BLC10G18XS-551AVY	92.9550	RFQ	6104	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-5	BLC10	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	SOT1258-5	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G18XS-551AVYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	1.9 a	550W	16.1db	-	28 V
CPH5608-TL-E	0.1800	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLF10H6600PSU	246.2250	RFQ	9074	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	110 v	表面安装	SOT-539B	BLF10	860MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
BLF2425M7LS250P，11	156.0000	RFQ	59	Ampleon USA Inc.	-	大部分	在sic中停产	65 v	表面安装	SOT-539B	BLF2425	2.45GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	20 ma	250W	15DB	-	28 V
BLF6G20LS-75,118	-	RFQ	4267	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G20	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100		18a	550 MA	29.5W	19db	-	28 V
0912GN-15E	-	RFQ	1408	微芯片技术	e	大部分	积极的	150 v	表面安装	55-qq		960MHz〜1.215GHz	-	55-qq	下载			到达不受影响	150-0912GN-15E	Ear99	8541.29.0095	1	-	-	10 MA	19w	18.1db	-	50 V
PTFA082201F V1	-	RFQ	2900	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA082201	894MHz	ldmos	H-37260-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	1.95 a	220W	18db	-	30 V
AFT09MP055NR1	21.9432	RFQ	8536	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V	表面安装	TO-270AB	AFT09	870MHz	ldmos	TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315139528	Ear99	8541.29.0075	500		-	550 MA	1W	15.7dB	-	12.5 v
BLF6G15LS-250pbrn：	-	RFQ	3192	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-111110B	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	-	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064302118	Ear99	8541.29.0075	100	-	64a	1.41 a	60W	18.5db	-	28 V
MRF8S21200H5	-	RFQ	7586	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230	MRF8	2.14GHz	ldmos	NI-1230	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4 a	48W	18.1db	-	28 V
BFL4037-S	0.5900	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SD57030-01	66.7900	RFQ	4580	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	65 v		M250	SD57030	945MHz	ldmos	M250	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		4a	50 mA	30W	15DB	-	28 V
MRF7S19210HR5	-	RFQ	4495	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.4 a	63W	20dB	-	28 V
PXAC201602FC-V1-R250	-	RFQ	4719	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	H-37248-4	PXAC201602	2.02GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	250		-	360 MA	22.5W	17.7dB	-	28 V
MWT-PH4F	50.8500	RFQ	7390	微波技术公司	-	案件	积极的			死	MWT-PH4	28GHz	mesfet	芯片	下载		（1 （无限）		1203-mwt-ph4f	Ear99	8541.29.0075	10		84ma	84 MA	22DBM	16dB	-	3 V
BF245A_D27Z	-	RFQ	7912	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	6.5mA		-	-	-
CGHV40200PP	378.0900	RFQ	1	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	积极的	125 v		440199	CGHV40200	3GHz	hemt	440199	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		18.7a		218W	20.1db	-
MPF102_D27Z	-	RFQ	1245	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPF102	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	20mA		-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²