RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
2N5951_J35Z	-	RFQ	9309	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5951	1khz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	13mA		-	-	2DB	15 v
PXFC192207FH-V3-R0	121.8616	RFQ	8232	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				PXFC192207				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）					50
PXAC182908FV-V1-R0	-	RFQ	4655	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				PXAC182908				下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50
PXAC261212FC-V1-R250	86.6504	RFQ	2743	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	H-37248-4	PXAC261212	2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	250		-	280 MA	28W	15DB	-	28 V
CGH40090pp	345.7600	RFQ	244	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v		440199	CGH40	0Hz〜4GHz	hemt	440199	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		CGH40090ppe	Ear99	8541.29.0075	100		28a	1 a	100W	12.5db	-	28 V
BLC10G22XS-570AVTZ	90.5400	RFQ	61	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.11GHZ〜2.18GHz	ldmos	SOT1258-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	2.8µA	1.15 a	570W	15.7dB	-	30 V
BLF6G27-100,118	-	RFQ	8196	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G27	-	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064315118	Ear99	8541.29.0095	100		29a	900 MA	14W	-	-	28 V
MRF5S21045NR1	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF5	2.12GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	500 MA	10W	14.5db	-	28 V
VMMK-1225-TR2G	-	RFQ	8006	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v		0402（（1005公制）		12GHz	e-phemt	0402	下载		2（1年）			Ear99	8542.33.0001	1		50mA	20 ma	-	11DB	1dB	2 v
PTFA071701FV4R250XTMA1	-	RFQ	6551	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA071701	765MHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	900 MA	150W	18.7dB	-	30 V
BLF8G20LS-400PVQ	-	RFQ	4489	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v	底盘安装	SOT-1242B	BLF8G20	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067803127	Ear99	8541.29.0075	15	双重的	-	3.4 a	95W	19db	-	28 V
ART700FHSU	174.9300	RFQ	2844	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	177 v	表面安装	SOT-1214B		1MHz〜450MHz	ldmos	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	1.4µA	1.2 a	700W	28.6dB	-	55 v
blf882su	129.9750	RFQ	7967	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	104 v	底盘安装	SOT-502B	BLF882	705MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	20		-	100 ma	200W	20.6dB	-	50 V
3LN04MH-TL-E	0.0700	RFQ	96	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PD20010STR-E	-	RFQ	5683	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	PD20010	2GHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		5a	150 ma	10W	11DB	-	13.6 v
PTFB182503FL-V2-R0	-	RFQ	8675	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v	底盘安装	H-33288-6		1.88GHz		H-33288-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-	1.85 a	50W	19db	-	30 V
BLD6G22L-50,112	85.0500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1130A		2.14GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	10.2a	170 MA	8W	14dB	-	28 V
NTD3055AV1	-	RFQ	1016	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
3LN02C-TB-E	0.0600	RFQ	84	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
ARF466FL	148.7910	RFQ	6881	微芯片技术	-	大部分	积极的	1000 v		-	ARF466	40.68MHz	MOSFET	T3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	13a		150W	16dB	-	150 v
BF5030WE6327HTSA1	-	RFQ	8375	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF5030	800MHz	MOSFET	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	25mA	10 MA	-	24dB	1.3dB	3 V
PTFA091201FV4R250XTMA1	-	RFQ	5468	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA091201	960MHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	750 MA	110W	19db	-	28 V
MAGX-002731-180L00	-	RFQ	8266	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		2.7GHz〜3.1GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1465-1093	Ear99	8541.29.0075	5		500mA	500 MA	180W	11.2db	-	50 V
B11G1822N60DX	45.4200	RFQ	5014	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G1822	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	36-PQFN （12x7）	-	rohs3符合条件			1603-B11G1822N60DX			1,500	-	1.4µA	150 ma	-	29dB	-	28 V
A2V09H400-04NR3	95.5000	RFQ	250	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v	表面安装	OM-780-4L		720MHz〜960MHz	LDMO （双）	OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 n通道	10µA	688 MA	107W	17.9db	-	48 v
BLF278/01,112	-	RFQ	4918	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	125 v	底盘安装	SOT-262A1		108MHz	MOSFET	CDFM4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934031850112	Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源	18a	100 ma	300W	22DB	-	50 V
MRF9210R5	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-860C3	MRF92	880MHz	ldmos	NI-860C3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50		-	1.9 a	40W	16.5db	-	26 V
SMMBFJ310LT1	-	RFQ	2507	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
ON5234118	1.0000	RFQ	4778	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	800
FTD1011-TL-E	0.7100	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²