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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF6VP3091NR1	111.2700	RFQ	480	Freescale半导体-NXP	-	大部分	过时的	115 v	表面安装	TO-270AB		470MHz〜1.215GHz	ldmos	TO-270 WB-4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MRF6VP3091NR1	Ear99	8541.29.0075	1	双重，共同来源	10µA	450 MA	90W	22DB	-	50 V
MMRF2010GNR1	431.7303	RFQ	1978年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v	表面安装	TO-270-14变体，鸥翼	MMRF2010	1.09GHz	ldmos	TO-270 WB-14海鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500		-	80 ma	250W	32.1dB	-	50 V
MRF8S9202NR3	-	RFQ	1218	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	ldmos	OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310535528	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.3 a	58W	19db	-	28 V
MRF6S27015GNR1	-	RFQ	5511	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270BA	MRF6	2.6GHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		-	160 MA	3W	14dB	-	28 V
BLS7G2730LS-200PU	-	RFQ	2646	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	SOT-539B	BLS7	2.7GHz〜3GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067614112	Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	100 ma	200W	12DB	-	32 v
AFT05MS031GNR1	14.5100	RFQ	3996	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V	表面安装	TO-270BA	AFT05	520MHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-	10 MA	31W	17.7dB	-	13.6 v
AFT26P100-4WSR3	-	RFQ	1657年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	AFT26	2.69GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320111128	5A991G	8541.29.0040	250	双重的	-	200 ma	22W	15.1db	-	28 V
BF512,235	-	RFQ	6563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF512	100MHz	JFET	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933505290235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	30mA	5 ma	-	-	1.5dB	10 v
CG2H40120P	322.2202	RFQ	3542	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	120 v	表面安装	440206	CG2H40120	2.5GHz	hemt	440206	下载				1697-CG2H40120P	Ear99	8541.29.0075	100		-	1 a	120W	20dB	-	28 V
MMBFJ310	-	RFQ	1959年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ3	450MHz	JFET	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	n通道	60mA	10 MA	-	12DB	3DB	10 v
AFT26P100-4WSR3	153.3100	RFQ	120	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-780S-4	AFT26	2.69GHz	ldmos	NI-780S-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	155	双重的	-	200 ma	22W	15.1db	-	28 V
BF1202WR，115	-	RFQ	3593	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF120	400MHz	MOSFET	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	12 ma	-	30.5db	0.9dB	5 v
BLF6G10LS-135RN，11	-	RFQ	7308	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G10	871.5MHz〜891.5MHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934063207118	Ear99	8541.29.0075	100		32a	950 MA	26.5W	21dB	-	28 V
A2T20H160W04NR3528	94.8200	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0075	1
BLP10H605Z	-	RFQ	3971	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	104 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP10	860MHz	ldmos	12-hvson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934068214515	Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源	-	30 ma	5W	22.4db	-	50 V
DU2880U	112.7700	RFQ	2844	MACOM技术解决方案	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	4L-FLG	DU2880	2MHz〜175MHz	-	-	-				1465-DU2880U			1	n通道	4ma	400 MA	80W	13DB	-	28 V
BLP05H675XRY	-	RFQ	6613	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	135 v	表面安装	SOT-1223-2	BLP05	108MHz	ldmos	4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源	-	20 ma	75W	27dB	-	50 V
MRF6S21190HR3	149.4500	RFQ	75	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		NI-880	MRF6	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-880	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-	1.6 a	54W	16dB	-	28 V
B11G3742N80DX	-	RFQ	2037	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	28 V	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G3742	3.7GHz〜4.2GHz	ldmos	36-PQFN （12x7）	-	rohs3符合条件			1603-B11G3742N80DX			1,500	-	-		-	32dB	-
BLF6G10LS-200RN，11	-	RFQ	1943年	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6	871.5MHz〜891.5MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934063255118	Ear99	8541.29.0075	100		49a	1.4 a	40W	20dB	-	28 V
TM-10	-	RFQ	6065	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的			SOT-1227B			甘姆特	SOT1227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	60				10W
1214GN-180LV	941.7200	RFQ	10	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.2GHz〜1.4GHz	hemt	55 kr	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1214GN-180LV	Ear99	8541.29.0095	1		-	60 ma	180W	17dB	-	50 V
VEC2607-TL-E	0.1500	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMRF1317HSR5	839.9756	RFQ	8265	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1317	1.03GHz	ldmos	NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	100 ma	1300W	18.2db	-	50 V
blf978pu	293.5600	RFQ	80	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	108 v	底盘安装	SOT-539A	BLF978	700MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	2.8µA	50 mA	1200W	24.5db	-	50 V
MRF9120LR3	-	RFQ	5795	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-860	MRF91	880MHz	ldmos	NI-860	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250		-	1 a	120W	16.5db	-	26 V
BLF7G27L-100,112	-	RFQ	6774	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF7G27	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064591112	Ear99	8541.29.0095	20		28a	900 MA	20W	18db	-	28 V
BLA1011-10,112	-	RFQ	7626	Ampleon USA Inc.	-	大部分	过时的	75 v	底盘安装	SOT-467C	BLA1011	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	SOT467C	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		2.2a	50 mA	10W	15DB	-	36 V
MRF9030MBR1	22.6000	RFQ	39	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	TO-272BC		1GHz	MOSFET	TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	10µA	250 MA	30W	20dB	-	26 V
MRF8S21120HSR3	95.7400	RFQ	399	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-780	MRF8	2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		-	850 MA	28W	17.6dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²