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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BF245A_D27Z	-	RFQ	7912	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	6.5mA		-	-	-
BLC8G24LS-241AVY	-	RFQ	1323	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	DFM8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	500 MA	56W	14.5db	-	28 V
ATF-55143-TR1	-	RFQ	8304	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-55143	2GHz	e-phemt	SOT-343	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		100mA	10 MA	14.4dbm	17.7dB	0.6dB	2.7 v
2SK853A（1）-t1-a	0.1800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
PD55008STR-E	-	RFQ	1958年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55008	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		4a	150 ma	8W	17dB	-	12.5 v
2SK1645V-03-TR-E	1.3900	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
TAV-541+	13.3300	RFQ	427	迷你电路	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	5 v	表面安装	4-SMD，没有铅		450MHz〜6GHz	e-phemt	FG873	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	500		-	60 ma	21.1db	23.8db	1.8dB	3 V
AFT18H357-24NR6	148.4200	RFQ	900	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		OM-1230-4L2L	AFT18	1.81GHz	ldmos	OM-1230-4L2L	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	双重的	-	800 MA	63W	17.5db	-	28 V
MRF8S9220HSR3	137.1200	RFQ	273	自由度半导体	-	大部分	积极的	70 v		NI-780	MRF8	960MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	250		-	1.6 a	65W	19.4dB	-	28 V
BLP15H9S30GZ	20.1900	RFQ	6	Ampleon USA Inc.	blp	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V	表面安装	SOT-1483-1	BLP15	1MHz〜1.5GHz	ldmos	SOT1483-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-		30W	17dB	-
MRF6V13250HSR3	-	RFQ	1648年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	120 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.3GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	100 ma	250W	22.7dB	-	50 V
BLF988S，112	-	RFQ	3483	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	110 v	表面安装	SOT-539B		860MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066287112	Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
BLL8H0514LS-130U	-	RFQ	8356	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	100 v	底盘安装	SOT-1135B	BLL8	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	20		-	50 mA	130W	17dB	-	50 V
MRF6S18100NBR1	-	RFQ	7298	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	TO-272BB	MRF6	1.99GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	900 MA	100W	14.5db	-	28 V
BLS9G3135L-400U	296.6100	RFQ	94	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLS9	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		4µA	400 MA	400W	12DB	-	32 v
MRF7S16150HSR3	1.0000	RFQ	1195	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v	底盘安装	NI-780		1.6GHz〜1.66GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	250		-	1.5 a	32W	19.7db	-	28 V
PXAC201602FC-V1	-	RFQ	2786	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	H-37248-4		2.02GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		-	360 MA	22.5W	17.7dB	-	28 V
PTFA212001EV4R0XTMA1	-	RFQ	2268	Infineon技术	-	条	过时的	65 v		2-flatpack，鳍铅，法兰		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001422974	Ear99	8541.29.0095	50		10µA	1.6 a	200W	15.8db	-	30 V
BLP7G22-10,135	-	RFQ	4909	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP7	700MHz〜2.2GHz	ldmos	12-hvson（4x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934065973135	Ear99	8541.29.0075	500		-	110 MA	2W	27dB	-	28 V
CGH40025P	126.9553	RFQ	7352	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	不适合新设计	84 v	表面安装	440196	CGH40025	6GHz	hemt	440196	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Q12268214	MMIC 3A001B2	8542.33.0001	250		-	250 MA	30W	13DB	-	28 V
ST16010	45.3750	RFQ	3068	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v	表面安装	毫米	ST160	1.6GHz	ldmos	毫米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST16010			300	-	1µA		10W	23dB	-
MHT1008NT1	18.1000	RFQ	483	自由度半导体	*	大部分	积极的								下载		3（168））	到达不受影响	2156-MHT1008NT1-600055	Ear99	8541.29.0075	17
MRF6VP3091NBR1	80.3700	RFQ	127	自由度半导体	-	大部分	积极的	115 v		TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	双重的	-	350 MA	18W	22DB	-	50 V
A2T26H160-24SR3	-	RFQ	5230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T26	2.58GHz	ldmos	NI-780S-4L2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935315428128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	350 MA	28W	15.5db	-	28 V
MRF6S20010NR1	-	RFQ	6052	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AA	MRF6	2.17GHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	130 MA	10W	15.5db	-	28 V
BLM7G22S-60PBG，118	-	RFQ	1128	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				BLM7				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066083118	Ear99	8541.29.0075	100
NE3512S02-T1C-A	0.6000	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET	S02	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
NSTR1P02T1G	-	RFQ	9322	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
C4H2350N05Z	15.7100	RFQ	788	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150 v	表面安装	6-vdfn裸露的垫子		2.3GHz〜5GHz	甘	6-DFN（4.5x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		-	10 MA	1.3W	4.6dB	-	48 v
MRF6P27160HR5	-	RFQ	5452	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	2.66GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.8 a	35W	14.6dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²