RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
CPH5608-TL-E	0.1800	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLF10H6600PSU	246.2250	RFQ	9074	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	110 v	表面安装	SOT-539B	BLF10	860MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
MWT-PH4F	50.8500	RFQ	7390	微波技术公司	-	案件	积极的			死	MWT-PH4	28GHz	mesfet	芯片	下载		（1 （无限）		1203-mwt-ph4f	Ear99	8541.29.0075	10		84ma	84 MA	22DBM	16dB	-	3 V
CGHV40200PP	378.0900	RFQ	1	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	积极的	125 v		440199	CGHV40200	3GHz	hemt	440199	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		18.7a		218W	20.1db	-
BLF7G22L-160,118	-	RFQ	7695	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF7G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934065231118	Ear99	8541.29.0075	100		36a	1.3 a	43W	18db	-	28 V
MRF6S9125MR1	-	RFQ	6367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-270-4	MRF6	880MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	27W	20.2dB	-	28 V
SGT65R65AL	8.9600	RFQ	1557年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	650 v	表面安装	8-Powervdfn	SGT65	-	甘姆特	PowerFlat™（5x6）HV	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	500NA		5W	-	-	400 v
NE3512S02-T1C-A	-	RFQ	5160	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅	NE3512	12GHz	GAAS HJ-FET	S02	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
1214GN-50EP	-	RFQ	4855	微芯片技术	e	大部分	积极的	150 v		模块		1.2GHz〜1.4GHz	-	-	下载			到达不受影响	150-1214GN-50EP	Ear99	8541.29.0095	1	-	-	20 ma	58W	15.9db	-	50 V
NE3513M04-A	-	RFQ	8148	cel	-	大部分	过时的	4 V		SOT-343F		12GHz	GAAS HJ-FET	M04	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	60mA	10 MA	125MW	13DB	0.65dB	2 v
BLF6G27-75,112	-	RFQ	2458	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G27	-	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	20		18a	600 MA	9W	-	-	28 V
1214gn-600vhe	-	RFQ	4714	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.2GHz〜1.4GHz	hemt	55 kr	下载			到达不受影响	150-1214GN-600VHE	Ear99	8541.29.0095	1		-	100 ma	600W	17.5db	-	50 V
BLF8G10L-160,118	-	RFQ	2130	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF8G10	920MHz〜960MHz	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		-	1.1 a	35W	19.7db	-	30 V
ON5262,127	-	RFQ	8289	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	ON5262	-	-	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058089127	Ear99	8541.29.0095	50	-	-		-	-	-
BLF6G15L-250PBRN，1	-	RFQ	3872	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1110A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064301112	Ear99	8541.29.0075	20		64a	1.41 a	60W	18.5db	-	28 V
PTFA071701FV4R250XTMA1	-	RFQ	6551	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA071701	765MHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	900 MA	150W	18.7dB	-	30 V
MRF7S19170HR5	-	RFQ	4331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	1.4 a	50W	17.2db	-	28 V
BF256B_J35Z	-	RFQ	7873	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF256	-	JFET	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	13mA		-	-	-
ARF466FL	148.7910	RFQ	6881	微芯片技术	-	大部分	积极的	1000 v		-	ARF466	40.68MHz	MOSFET	T3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	13a		150W	16dB	-	150 v
2SJ499-TL-E	1.0100	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
BLF1043	56.3400	RFQ	4	Ampleon USA Inc.	BLF	大部分	积极的	65 v	表面安装	SOT-538A		1GHz	ldmos	2-CSMD	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		1.5µA	85 MA	10W	18.5db	-	26 V
BF245A_D27Z	-	RFQ	7912	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	6.5mA		-	-	-
J310	-	RFQ	7125	Onmi	-	大部分	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J310	100MHz	JFET	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	60mA	10 MA	-	16dB	-	10 v
PD57030S-E	-	RFQ	2809	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v		Powerso-10裸露的底部垫	PD57030	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		4a	50 mA	30W	14dB	-	28 V
BLC8G24LS-241AVY	-	RFQ	1323	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	DFM8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	500 MA	56W	14.5db	-	28 V
ATF-55143-TR1	-	RFQ	8304	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-55143	2GHz	e-phemt	SOT-343	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		100mA	10 MA	14.4dbm	17.7dB	0.6dB	2.7 v
2SK853A（1）-t1-a	0.1800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
PD55008STR-E	-	RFQ	1958年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55008	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		4a	150 ma	8W	17dB	-	12.5 v
PTFC260202FC-V1	-	RFQ	3307	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	H-37248-4		2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	170 MA	5W	20dB	-	28 V
2SK1645V-03-TR-E	1.3900	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²