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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
PTFA211801EV5T350XWSA1	-	RFQ	7628	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000841132	Ear99	8541.29.0075	50
CPH3445-TL-E	0.1200	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NE3514S02-T1D-A	1.0000	RFQ	2331	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	HFET	S02	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000		70mA	10 MA	-	10dB	0.75dB	2 v
MRF19085LR3	163.5600	RFQ	220	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		SOT-957A	MRF19	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-	850 MA	18W	13DB	-	26 V
ARF448BG	-	RFQ	1071	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	450 v		TO-247-3	ARF448	40.68MHz	MOSFET	TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	15a		140W	15DB	-	150 v
BLM9D1822-30BX	17.9654	RFQ	7052	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	20 QFN暴露垫	BLM9	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	20-PQFN（8x8）	-	rohs3符合条件			1603-BLM9D1822-30BXTR			2,000	-	1.4µA	110 MA	-	29.3db	-	28 V
MRF6VP41KHR5	-	RFQ	4653	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	450MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309956178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	150 ma	1000W	20dB	-	50 V
BLF7G24LS-160P，118	-	RFQ	8761	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-539B	BLF7G24	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066343118	Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	1.2 a	30W	18.5db	-	28 V
PTFA190451FV4XWSA1	-	RFQ	7231	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA190451	1.96GHz	ldmos	H-37265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		10µA	450 MA	11W	17.5db	-	28 V
BLF6G22-180PN，135	-	RFQ	4344	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-539A	BLF6G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT539A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934061276135	Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	1.6 a	50W	17.5db	-	32 v
BLF8G22LS-270U	-	RFQ	4983	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF8	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-	2.4 a	80W	17.7dB	-	28 V
PD85006L-E	-	RFQ	3518	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		8-Powervdfn	PD85006	870MHz	ldmos	PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		2a	200 ma	5W	17dB	-	13.6 v
EC4403C-TL	1.0000	RFQ	2410	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
SCH2308-TL-E	0.1500	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
BF5020WH6327XTSA1	-	RFQ	8723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF5020	800MHz	MOSFET	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	25mA	10 MA	-	26dB	1.2dB	5 v
NE3517S03-T1D-A	1.3600	RFQ	117	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	HFET	S03	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	221		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.7dB	2 v
NTD4860NT4H	0.2900	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
PTFB211501FV1R0XTMA1	-	RFQ	6643	Infineon技术	-	条	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.17GHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001413934	Ear99	8542.33.0001	50		-	1.2 a	40W	18db	-	30 V
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买				A3G35				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
BLP25M710Z	27.6800	RFQ	6420	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP25	2.14GHz	ldmos	12-hvson（6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源	-	110 MA	2W	16dB	-	28 V
MRFE6VP5600HR6	130.9800	RFQ	67	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	130 v	底盘安装	SOT-979A	MRFE6	230MHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	100 ma	600W	25DB	-	50 V
MRF5P21240HR6	162.4100	RFQ	9	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-1230		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	150		10µA	2.2 a	52W	13DB	-	28 V
MRF6S19060GNR1	-	RFQ	8032	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270BA	MRF6	1.93GHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	610 MA	12W	16dB	-	28 V
MRF21010LR5	-	RFQ	2381	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-360	MRF21	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	100 ma	10W	13.5dB	-	28 V
STAC1214-350	208.7250	RFQ	9371	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	115 v	表面安装	STAC780-4F	STAC1214	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos （双），普通来源	STAC780-4F	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STAC1214-350			80	2 n通道	1µA	30 ma	350W	14dB	-	50 V
NE3509M04-T2-A	-	RFQ	4607	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		SOT-343F	NE3509	2GHz	GAAS HJ-FET	M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		60mA	10 MA	11DBM	17.5db	0.4dB	2 v
BLF6G10-160RN，112	-	RFQ	8779	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G10	922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		39a	1.2 a	32W	22.5dB	-	32 v
PTNC210604MD-V1-R5	43.6400	RFQ	500	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	14-PowersMD模块	PTNC210604	1.805GHZ〜2.2GHz	ldmos	PG-HB1DSO-14-1	下载		3（168））			Ear99	8542.33.0001	500	双重的	1µA	150 ma	20W，40W	27dB	-	28 V
BLM7G22S-60pb，118	-	RFQ	1440	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				BLM7				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066082118	Ear99	8541.29.0075	100
NE3513M04-T2B-A	0.9700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET	4超级迷你霉菌	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	60mA	10 MA	125MW	13DB	0.65dB	2 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

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