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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTQD6968R2 onsemi NTQD6968R2 -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） NTQD69 MOSFET （金属 o化物） 1.42W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTQD6968R2OS Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 6.6a 22mohm @ 6.6a，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 900pf @ 16V 逻辑级别门
EMH2308-TL-E onsemi EMH2308-TL-E -
RFQ
 ECAD 1654年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 EMH2308 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-emh 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3a 85MOHM @ 3A，4.5V - 4NC @ 4.5V 320pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7389PBF Infineon Technologies IRF7389pbf -
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF738 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 30V - 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
STL36DN6F7 STMicroelectronics STL36DN6F7 1.1000
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL36 MOSFET （金属 o化物） 58W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 33A（TC） 27MOHM @ 4.5A，10V 4V @ 250µA 8NC @ 10V 420pf @ 30V -
FDS8926A Fairchild Semiconductor FDS8926A -
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 ECAD 1981 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 5.5a 30mohm @ 5.5A，4.5V 1V @ 250µA 28nc @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
BUK7K45-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K45-100EX 1.4900
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 ECAD 1234 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K45 MOSFET （金属 o化物） 53W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 21.4a 37.6mohm @ 5A，10V 4V @ 1mA 25.9NC @ 10V 1533pf @ 25V -
SLA5212 Sanken SLA5212 -
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 ECAD 7074 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 - 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla52 MOSFET （金属 o化物） - 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5212 DK Ear99 8541.29.0095 18 6 n通道（3相桥） 35V 8a - - - - -
AO4822 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4822 -
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 ECAD 5970 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V -
FDS4935 onsemi FDS4935 -
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 ECAD 7028 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS49 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7a 23mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 21nc @ 5V 1233pf @ 15V 逻辑级别门
RMD7N40DN Rectron USA RMD7N40DN 0.2400
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 ECAD 1566年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn RMD7N MOSFET （金属 o化物） 1.9W（ta），12W（（（（（（（） 8-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RMD7N40DNTR 8541.10.0080 25,000 2 n 通道（双） 40V （7A（ta），20A （TC） 20mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 720pf @ 20V -
AOE6922 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6922 -
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 ECAD 9224 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 - AOE692 - 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
FDS6900AS onsemi FDS6900AS -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Onmi PoterTrench®，SyncFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.9a，8.2a 27mohm @ 6.9a，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 600pf @ 15V 逻辑级别门
DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ-7 0.1475
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET （金属 o化物） 740MW（TA） TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMP2110UVTQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.8A（ta） 150MOHM @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6V -
SI6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-E3 -
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 ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6955 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5a 80MOHM @ 2.9a，10V 1V @ 250µA（250µA） 8NC @ 5V - 逻辑级别门
SI4936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3 0.9500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.9a 35mohm @ 5.9a，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 530pf @ 15V 逻辑级别门
SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 1.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ262 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC），48W（tc） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 15A（TC），40A （TC） 35.5MOHM @ 2A，10V，15.5MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 10V，23nc @ 10V 550pf @ 25V，1260pf @ 25V -
MAX8555ETB+T ADI/Maxim Integrated MAX8555ETB+t 1.1600
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 ECAD 2 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 Max8555 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SLA5075 Sanken SLA5075 -
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 ECAD 6497 0.00000000 桑肯 - 管子 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5075 DK Ear99 8541.29.0095 180 6 n通道（3相桥） 500V 5a 1.4OHM @ 2.5A，10V 4V @ 1mA - 770pf @ 10V -
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor SP8J65TB1 -
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 ECAD 6043 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J65 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7a 29mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V 逻辑级别门
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7897 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4501 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道，普通排水 30V，8V 6.3a，4.1a 18mohm @ 8.8a，10v 1.8V @ 250µA 20nc @ 5V - 逻辑级别门
HAT2218R-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2218R-EL-E 0.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HAT2218 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 7.5a，8a 24mohm @ 3.75a，10v - 4.6NC @ 4.5V 630pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
BSS84DW-7-F Diodes Incorporated BSS84DW-7-F 0.3600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 50V 130mA 10ohm @ 100mA，5V 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 逻辑级别门
BSO612CVGHUMA1 Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 -
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO612 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 3a，2a 120mohm @ 3a，10v 4V @ 20µA 15.5nc @ 10V 340pf @ 25V -
FDY1002PZ onsemi FDY1002PZ 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 FDY1002 MOSFET （金属 o化物） 446MW SOT-563F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 830mA 500MOHM @ 830mA，4.5V 1V @ 250µA 3.1nc @ 4.5V 135pf @ 10V 逻辑级别门
SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4564DY-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4564 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 10a，9.2a 17.5MOHM @ 8A，10V 2V @ 250µA 31nc @ 10V 855pf @ 20V 逻辑级别门
GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1.56W（TA） 6-DFN（2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 - 20V 5.5A（ta） 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 25nc @ 4.5V 2100pf @ 15V 标准
UM6K1NTN Rohm Semiconductor UM6K1NTN 0.4000
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V 逻辑级别门
APTMC120AM25CT3AG Microchip Technology APTMC120AM25CT3AG 421.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTMC120 （SIC） 500W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 113A（TC） 25mohm @ 80a，20v 2.2V @ 4mA tovice（typ） 197NC @ 20V 3800pf @ 1000V -
FDC6302P onsemi FDC6302P -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 120mA 10ohm @ 200ma，4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V 逻辑级别门
ALD210802PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210802PCL 6.3498
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 ECAD 1824年 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD210802 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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