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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS84DW-7-F-50 | 0.0896 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BSS84 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | (1 (无限) | 31-BSS84DW-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 50V | 130mA(ta) | 10ohm @ 100mA,5V | 2V @ 1mA | - | 45pf @ 25V | 标准 | |||
![]() | SIZ728DT-T1-GE3 | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-PowerPair™ | SIZ728 | MOSFET (金属 o化物) | 27W,48W | 6-PowerPair™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 25V | 16a,35a | 7.7MOHM @ 18A,10V | 2.2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 890pf @ 12.5V | 逻辑级别门 | |||
![]() | 2SK3436-TL-E-ON | 0.9700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SK3436 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | ||||||||||||||
![]() | OP526,005 | 0.4325 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Ween半导体 | * | 托盘 | 积极的 | OP526 | - | - | (1 (无限) | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
![]() | CSD87313DMS | 0.8236 | ![]() | 9807 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | CSD87313 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wson(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双)公共排水 | 30V | - | - | 1.25V @ 250µA | 28nc @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | |||
![]() | FDMS3600S | - | ![]() | 6485 | 0.00000000 | Onmi | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | FDMS3600 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
![]() | DMP2160UFDB-7R | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | DMP2160 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DMP2160UFDB-7RDI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||
![]() | aonp36336 | 1.1200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aonp363 | MOSFET (金属 o化物) | 3.4W(33W(ta)(33W(ta),3.1W(ta(30W)(30W to)TC) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 50A(TC) | 4.7mohm @ 20a,10v | 1.9V @ 250µA | 29nc @ 10V | 1330pf @ 15V | - | ||
![]() | UM6K31NTN | 0.3700 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6K31 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 250mA | 2.4OHM @ 250mA,10V | 2.3V @ 1mA | - | 15pf @ 25V | 逻辑水平门,2.5V | ||
![]() | TSM076NH04DCR RLG | 2.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | Perfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM076N | MOSFET (金属 o化物) | 55.6W(TC) | 8-pdfnu(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 14a(TA),34A (TC) | 7.6mohm @ 17a,10v | 3.6V @ 250µA | 19nc @ 10V | 1217pf @ 25V | - | ||
![]() | NTHD4102PT3G | - | ![]() | 8709 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | NTHD4102 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | chipfet™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.9a | 80MOHM @ 2.9a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 8.6nc @ 4.5V | 750pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||
![]() | SI5504BDC-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5504 | MOSFET (金属 o化物) | 3.12W,3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4a,3.7a | 65mohm @ 3.1a,10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
![]() | CSD88537ND | 1.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CSD88537 | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 15a | 15mohm @ 8a,10v | 3.6V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - | ||
![]() | UPA2386T1P-SSA-A | - | ![]() | 6395 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 过时的 | UPA2386 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
DMC2400UV-13 | 0.4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (金属 o化物) | 450MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道 | 20V | 1.03a,700mA | 480MOHM @ 200MA,5V | 900mv @ 250µA | 0.5NC @ 4.5V | 37.1pf @ 10V | - | |||
![]() | ALD110908APAL | 7.8996 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD110908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1038 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 810mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
![]() | STS4DNF30L | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STS4D | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 4a | 50MOHM @ 2A,10V | 1V @ 250µA | 9NC @ 10V | 330pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMN3013LDG-7 | 0.3398 | ![]() | 3819 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerldfn | DMN3013 | MOSFET (金属 o化物) | 2.16W(TA) | POWERDI3333-8(d型) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 9.5A(ta),15a (TC) | 14.3MOHM @ 4A,8V | 1.2V @ 250µA | 5.7nc @ 4.5V | 600pf @ 15V | - | ||
![]() | MSCSM70AM10CT3AG | 256.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | (SIC) | 690W(TC) | SP3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCSM70AM10CT3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(相腿) | 700V | 241a(TC) | 9.5MOHM @ 80a,20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | |
EFC4K110NUZTDG | 2.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | EFC4K110 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 10-wlcsp (3.2x2.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 24V | 25a | - | - | 49nc @ 4.5V | - | - | |||
![]() | DMN10H220LDV-13 | 0.1612 | ![]() | 5753 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W(TA),40W(TC) | PowerDI3333-8(UXC) | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN10H220LDV-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 10.5A(TC) | 222MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 250µA | 6.7nc @ 10V | 366pf @ 50V | - | |||
![]() | SI4532DY | 1.3300 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4532 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 3.9a,3.5a | 65MOHM @ 3.9A,10V | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 235pf @ 10V | - | ||
![]() | SIA912DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA912 | MOSFET (金属 o化物) | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 12V | 4.5a | 40mohm @ 4.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 6V | 逻辑级别门 | ||
![]() | CBB021M12FM3T | 182.9200 | ![]() | 1208 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | CBB021 | (SIC) | 10MW | - | 下载 | 不适用 | 1697-CBB021M12FM3T | 18 | (4 n 通道(全桥) | 1200V(1.2kV) | 50a(TJ) | 28.9mohm @ 30a,15v | 3.9V @ 17mA | 162nc @ 15V | 5400pf @ 1000V | (SIC) | |||||
![]() | FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | 3.0000 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Infineon技术 | HybridPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS03MR12 | (SIC) | 20mw | Ag-Hybridd-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 6 n通道(3相桥) | 1200V(1.2kV) | 400a | 3.7MOHM @ 400A,15V | 5.55V @ 240mA | 1320nc @ 15V | 42500pf @ 600V | - | ||
![]() | ZXMN10A08DN8TC | - | ![]() | 7217 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMN10 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 100V | 1.6a | 250MOHM @ 3.2A,10V | 2V @ 250µA() | 7.7nc @ 10V | 405pf @ 50V | 逻辑级别门 | |||
![]() | 2SK2415-az | - | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK2415 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM11T3AG | 310.6600 | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | (SIC) | 1.067kW(TC) | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM11T3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(相腿) | 1200V(1.2kV) | 254a(TC) | 10.4mohm @ 120A,20V | 2.8V @ 9mA | 696nc @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | |
![]() | max8659etl+ | 1.1600 | ![]() | 838 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 大部分 | 积极的 | Max8659 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | 2SK3434-Z-AZ | 1.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 2SK3434 | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - |
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