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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDZ1905PZ | - |  | 7285 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-ufbga，WLCSP | FDZ1905 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 6-WLCSP （1x1.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2（p 通道（双） | - | - | 126mohm @ 1A，4.5V | 1V @ 250µA | - | - | 逻辑级别门 | ||
 | FF4MR12KM1HP | - | | 6348 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FF4MR12 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 448-FF4MR12KM1HP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | STL8DN6LF3 | 2.0000 | | 9707 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车，AEC-Q101，StripFet™III | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL8 | MOSFET （金属 o化物） | 65W | PowerFlat™（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 20a | 30mohm @ 4A，10V | 2.5V @ 250µA | 13nc @ 10V | 668pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SH8MA2GZETB | 0.7400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8MA2 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 4.5A（ta） | 80mohm @ 4.5a，10v，82mohm @ 4.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 3NC @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V | 125pf @ 15V，305pf @ 15V | - | ||
 | CPH3314-TL-E | 0.1100 | | 468 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | CPH3314 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
 | IRF7751TR | - | | 7387 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 4.5a | 35MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| ECH8674-TL-H | - | | 4125 | 0.00000000 | Onmi | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ECH8674 | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||
 | SIS932EDN-T1-GE3 | 0.6500 | | 5796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS932 | MOSFET （金属 o化物） | 2.6W（23w），23W（tc） | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6A（TC） | 22mohm @ 10a，4.5V | 1.4V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 1000pf @ 15V | - | |||
 | PMGD290UCEAX | 0.4200 | | 47 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD290 | MOSFET （金属 o化物） | 280MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 725mA，500mA | 380MOHM @ 500mA，4.5V | 1.3V @ 250µA | 0.68nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SI6955DQ | 0.3700 | | 8 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6955 | MOSFET （金属 o化物） | 1W（ta） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | 2.5a（ta） | 85mohm @ 2.5a，10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 298pf @ 10V | - | ||
| AO8808A | 0.3675 | | 4869 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | AO880 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 14mohm @ 8a，10v | 1V @ 250µA | 17.9nc @ 4.5V | 1810pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | RM3075S8（n） | 0.1700 | | 1414 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | RM3075 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2516-RM3075S8（n）tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n和p通道 | 30V | 6.8A（ta），4.6a ta（4.6a） | 27mohm @ 6.8a，10v | 2.3V @ 10µA | 14NC @ 10V，16NC @ 10V | 383pf @ 15V | - | |||
 | UPA1764G-e2-az | - | | 5963 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） | UPA1764 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 7a | 35MOHM @ 3.5A，10V | - | 29nc @ 10V | 1300pf @ 10V | - | ||
 | VMM1000-01P | - | | 8073 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | y3-li | VMM | MOSFET （金属 o化物） | - | y3-li | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 n 通道（双） | 100V | 1000a | 1.2OHM @ 800A，10V | 4V @ 10mA | 2355nc @ 10V | - | - | |||
 | DMN2041UFDB-7 | 0.3197 | | 5116 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMN2041 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.7a | 40mohm @ 4.2A，4.5V | 1.4V @ 250µA | 15nc @ 8V | 713pf @ 10V | - | ||
 | RF1S15N06 | 0.5700 | | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | RF1 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SIA537EDJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 9503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA537 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 12V，20V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a，4.5V | 1V @ 250µA | 16nc @ 8V | 455pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
 | SIZF906ADT-T1-GE3 | 1.6100 | | 9280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZF906 | MOSFET （金属 o化物） | 4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta） | 8-Powerpair®（6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双），肖特基 | 30V | 27a（27a），60a tc（60a tc），52a（ta（60a tc）（60a tc） | 3.8mohm @ 15A，10V，1.17MOHM @ 20a，10v | 2.2V @ 250µA | 49nc @ 10v，200nc @ 10V | 2000pf @ 15V，8200pf @ 15V | - | |||
 | ALD110900APAL | 8.1500 | | 34 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD110900 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1030 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | AUIRF7304Q | - | | 3145 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7304 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001519450 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.3a | 90MOHM @ 2.2a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 610pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| MIC94030BM4 TS | - | | 9979 | 0.00000000 | Micrel Inc. | * | 大部分 | 积极的 | MIC94030 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
| SQJB02ELP-T1_GE3 | 1.0900 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJB02 | MOSFET （金属 o化物） | 27W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 30A（TC） | 7.5MOHM @ 6A，10V | 2.2V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1700pf @ 20V | - | |||
 | VEC2616-TL-W | - | | 5978 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | VEC2616 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | SOT-28FL/VEC8 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 60V | 3a，2.5a | 80MOHM @ 1.5A，10V | 2.6V @ 1mA | 10NC @ 10V | 505pf @ 20V | 逻辑水平门，4V驱动器 | ||
| DMN2040LTS-13 | 0.4600 | | 2327 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | DMN2040 | MOSFET （金属 o化物） | 890MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 6.7a（ta） | 26mohm @ 6a，4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V | 570pf @ 10V | - | ||
| IRF610S2497 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | IRF610 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | DMN2004DWK-7 | 0.4900 | | 88 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN2004 | MOSFET （金属 o化物） | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 540mA | 550MOHM @ 540mA，4.5V | 1V @ 250µA | - | 150pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | IRF5851TR | - | | 5771 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | IRF58 | MOSFET （金属 o化物） | 960MW | 6-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 2.7a，2.2a | 90MOHM @ 2.7a，4.5V | 1.25V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | 400pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| GWM180-004X2-SL | - | | 2675 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，平坦的铅 | GWM180 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 40V | 180a | 2.5MOHM @ 100A，10V | 4.5V @ 1mA | 110NC @ 10V | - | - | ||
 | SQJ992EP-T1_BE3 | 1.3900 | | 1173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ992 | MOSFET （金属 o化物） | 34W（TC） | POWERPAK®SO-8 | 下载 | （1 （无限） | 742-SQJ992EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 15A（TC） | 56.2MOHM @ 3.7A，10V | 2.5V @ 250µA | 12nc @ 10V | 446pf @ 30V | - | |||
 | FDC6310P | 0.6300 | | 1 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6310 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.2a | 125mohm @ 2.2a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V | 337pf @ 10V | 逻辑级别门 |
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