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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V -
IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies IRFI4019H-117PXKMA1 2.9900
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5完整包，形成的线索 IRFI4019 MOSFET （金属 o化物） 18W（TC） TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 2 n 通道（双） 150V 8.7A（TC） 95MOHM @ 5.2A，10V 4.9V @ 50µA 20NC @ 10V 810pf @ 25V -
GWM220-004P3-SMD IXYS GWM220-004P3-SMD -
RFQ
 ECAD 7525 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc. Ald1108ESCL 5.2920
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1108 MOSFET （金属 o化物） 600MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10V - 500OHM @ 5V 1.01V @ 1µA - 25pf @ 5V -
AON6946 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6946 0.2406
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON694 MOSFET （金属 o化物） 3.5W，3.9W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 14a，18a 11.6mohm @ 13A，10V 2.2V @ 250µA 15nc @ 10V 485pf @ 15V 逻辑级别门
IRF9910 Infineon Technologies IRF9910 -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF99 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF9910 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 10a，12a 13.4mohm @ 10a，10v 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
NTQD6968NR2 onsemi NTQD6968NR2 -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） NTQD69 MOSFET （金属 o化物） 1.39W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 6.2a 22mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 250µA 17nc @ 4.5V 630pf @ 16V 逻辑级别门
DMN3055LFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDBQ-13 0.1137
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3055 - 810MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN3055LFDBQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 40mohm @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 11.2nc @ 10V 458pf @ 15V -
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06DMKQ-7 0.1808
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 400MW SOT-26 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 305mA 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA - 50pf @ 25V -
SP8K4FU6TB Rohm Semiconductor SP8K4FU6TB -
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K4 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9a 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
HUFA76413DK8T onsemi HUFA76413DK8T -
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
CSD87384MT Texas Instruments CSD87384MT 2.1400
RFQ
 ECAD 822 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 5-lga CSD87384 MOSFET （金属 o化物） 8W 5-ptab（5x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（半桥） 30V 30a 7.7MOHM @ 25a，8v 1.9V @ 250µA 9.2nc @ 4.5V 1150pf @ 15V 逻辑级别门
ECH8659-TL-HX onsemi ECH8659-TL-HX -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8659 - - 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
NTMD3P03R2G onsemi NTMD3P03R2G 1.1900
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD3 MOSFET （金属 o化物） 730MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 2.34a 85MOHM @ 3.05a，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 750pf @ 24V 逻辑级别门
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5511DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9656 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5511 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，2.6W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4a，3.6a 55MOHM @ 4.8A，4.5V 2V @ 250µA 7.1nc @ 5V 435pf @ 15V 逻辑级别门
AON7932_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7932_101 -
RFQ
 ECAD 1515年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 AON793 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-DFN-EP（3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 30V 6.6a，8.1a 20mohm @ 6.6a，10v 2.4V @ 250µA 6.5nc @ 10V 460pf @ 15V 逻辑级别门
EFC4627R-A-TR onsemi EFC4627R-A-Tr -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 4-XFBGA EFC4627 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2156-EFC4627R-A-TR-488 Ear99 8541.29.0095 8,000 -
FDS8928A onsemi FDS8928A -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V，20V 5.5a，4a 30mohm @ 5.5A，4.5V 1V @ 250µA 28nc @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
AO4801L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801L -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 5A（5A） 48mohm @ 5a，10v 1.3V @ 250µA 9NC @ 4.5V 780pf @ 15V -
FDG6322C onsemi FDG6322C 0.4700
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6322 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 25V 220mA，410mA 4ohm @ 220mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
BUK7K35-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K35-60EX 1.1400
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k35 MOSFET （金属 o化物） 38W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 20.7a 30mohm @ 5a，10v 4V @ 1mA 12.5nc @ 10V 794pf @ 25V -
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC6040SSDQ-13 0.8200
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC6040 MOSFET （金属 o化物） 1.24W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 60V 5.1a（ta） 40mohm @ 8a，10v，110mohm @ 4.5a，10v 3V @ 250µA 20.8nc @ 10V，19.4NC @ 10V 1130pf @ 15V，1030pf @ 30V -
APTM10TAM09FPG Microchip Technology APTM10TAM09FPG 272.8700
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 139a 10mohm @ 69.5a，10v 4V @ 2.5mA 350NC @ 10V 9875pf @ 25V -
IRF7325TR Infineon Technologies IRF7325TR -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF732 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 12V 7.8a 24mohm @ 7.8a，4.5V 900mv @ 250µA 33nc @ 4.5V 2020pf @ 10V 逻辑级别门
MCQ4503A-TP Micro Commercial Co MCQ4503A-TP 0.2495
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQ4503 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 353-MCQ4503A-TP Ear99 8541.29.0095 1 - 30V 6.5a（5a），5a（ta） 30mohm @ 5a，10v，60mohm @ 4a，10v 2.4V @ 250µA，2.5V @ 250µA 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
SI5947DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5947DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5947 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a 58MOHM @ 3.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 10V 480pf @ 10V 逻辑级别门
BSO204PNTMA1 Infineon Technologies BSO204PNTMA1 -
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO204 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 7a 30mohm @ 7A，4.5V 1.2V @ 60µA 35.8NC @ 4.5V 1513pf @ 15V 逻辑级别门
SI1539DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1539DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 540mA，420mA 480MOHM @ 590mA，10V 2.6V @ 250µA 1.4NC @ 10V - 逻辑级别门
AOTE32136C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTE32136C 0.1969
RFQ
 ECAD 1876年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AOTE32136 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOTE32136CTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a（ta） 20mohm @ 7A，4.5V 1.25V @ 250µA 14NC @ 4.5V 660pf @ 10V -
APTC60DSKM70CT1G Microsemi Corporation APTC60DSKM70CT1G -
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 ECAD 1080 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 过时的 - 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V 超交界处
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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