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当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n5298-1/tr | 31.6650 |  | 3259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5298-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
 | CDLL5299E3/tr | 25.4850 | | 9153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5299E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
| Jan1n5303-1 | 31.5150 | | 8776 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
| JANS1N5286UR-1/TR | 130.3050 | | 8858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5286UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
| 1N5303ur-1/tr | 22.0050 | | 1495 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5303 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5303UR-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
| 1N5297 | 18.6000 | | 3118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5297 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||||
| Jan1n5301-1 | 31.5150 | | 5268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
 | CD5301 | 19.4400 | | 3036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5301 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||
| CDLL7055/tr | 68.3250 | | 7476 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7055/tr | 100 | ||||||||||||||
| JANTXV1N5306UR-1 | 40.2450 | | 7138 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
| JANTXV1N5307-1/TR | 36.5700 | | 5071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| JANS1N5293UR-1 | 130.1550 | | 5298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5293 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||
 | JANS1N5302-1/TR | 100.0200 | | 8174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5302-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
| CDLL5306 | 25.0950 | | 1149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| JANS1N5288-1 | 99.8700 | | 1178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5288 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||
| JANS1N5297-1 | 99.8700 | | 1043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
| 1N5289-1 | 21.6600 | | 3269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
| 1N5306E3 | 18.7600 | | 2760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-1N5306E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |
 | CD5286 | 19.2450 | | 3385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5286 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||||
| JANS1N5283-1/TR | 100.0200 | | 1438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5283-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
| JANTXV1N5298UR-1/TR | 40.4100 | | 2744 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5298 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5298UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
 | JANTX1N5308UR-1 | 27.7400 | | 14 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5308 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
| JANTX1N5308-1 | 33.9900 | | 3325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
| JANS1N5287UR-1/TR | 130.3050 | | 7371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5287UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
| CD5285 | 19.2450 | | 6988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5285 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||||
| JANS1N5299-1 | 99.8700 | | 1870年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
| CDLL25V | 28.3200 | | 6882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL25 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL25V | 1 | ||||||||||||||
| CDLL5294/tr | 25.2900 | | 7225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5294/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
| Janhca1n5314 | - | | 7147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5314 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
| JANS1N5295-1 | 99.8700 | | 7856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
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