SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANTXV1N5314UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5314UR-1/TR 44.0700
RFQ
ECAD 3654 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5314 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5314UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 5.17mA 2.9V
JAN1N5294-1/TR Microchip Technology Jan1n5294-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5294 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5294-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JAN1N5312UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5312ur-1/tr 30.4650
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5312 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5312UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JANTXV1N5297UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5297UR-1 -
RFQ
ECAD 7906 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5297 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JAN1N5295-1/TR Microchip Technology Jan1n5295-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5295 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5295-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
J504 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J504 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 线性集成系统公司 J500 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) J504 350MW 到92 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 1,000 800mv
JANTX1N5291-1/TR Microchip Technology JANTX1N5291-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5291 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5291-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTXV1N5292-1 Microchip Technology JANTXV1N5292-1 36.4050
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5311UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5311ur-1/tr 131.5650
RFQ
ECAD 7250 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5311ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
JANTX1N5306UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5306UR-1/TR 38.4300
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5306 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5306UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANTXV1N5306-1 Microchip Technology JANTXV1N5306-1 36.4050
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5306 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JAN1N5292-1/TR Microchip Technology Jan1n5292-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5292-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTXV1N5287UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5287UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5287 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5287UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5287-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5287-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5287 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5287-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTX1N5304UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5304UR-1/TR 38.4300
RFQ
ECAD 8234 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5304 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5304UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
CDS5297-1/TR Microchip Technology CDS5297-1/tr -
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS52 - 到达不受影响 150-CDS5297-1/tr 50
JAN1N5298-1/TR Microchip Technology Jan1n5298-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 3259 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5298 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5298-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.21ma 1.4V
1N5289/TR Microchip Technology 1N5289/tr 21.8400
RFQ
ECAD 3183 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5289 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5289/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
CDS5303-1/TR Microchip Technology CDS5303-1/tr -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS53 - 到达不受影响 150-CDS5303-1/tr 50
JANHCA1N5313 Microchip Technology Janhca1n5313 -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5313 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
CD5301 Microchip Technology CD5301 19.4400
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD530 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5301 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.54mA 1.55V
JANTX1N5295-1/TR Microchip Technology JANTX1N5295-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5295 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5295-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
CDLL5305/TR Microchip Technology CDLL5305/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5305/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 2.2mA 1.85V
1N5287/TR Microchip Technology 1N5287/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5287 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5287/tr 100 100V 363µA 1V
CDLL5289/TR Microchip Technology CDLL5289/tr 25.2900
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5289/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5307-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5307-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5307 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5307-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
CDLL5306/TR Microchip Technology CDLL5306/tr 25.2900
RFQ
ECAD 8026 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5306/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 2.42mA 1.95V
CDS5297UR-1/TR Microchip Technology CDS5297UR-1/tr -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS52 - 到达不受影响 150-CDS5297ur-1/tr 50
JANS1N5308-1/TR Microchip Technology JANS1N5308-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5308-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.97mA 2.15V
JANS1N5287UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5287UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5287UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库