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当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5299 | 2.2500 |  | 200 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5299 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-1N5299 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
 | SST502 SOT-23 3L ROHS | 7.7200 | | 7 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | - | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST502 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 50V | 516µA | 1.5V | ||
 | Jan1n5304ur-1 | 36.6900 | | 8761 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5304 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
 | 1N5287 | 2.5000 | | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5287 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5287 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
| CDLL5306/tr | 25.2900 | | 8026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5306/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
 | CD5288 | 19.2450 | | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5288 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||||
| JANTX1N5306UR-1/TR | 38.4300 | | 4517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5306UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
 | JANTX1N5298-1/TR | 33.6150 | | 5942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5298-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
 | JANTX1N5312UR-1 | 27.4700 | | 205 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5312 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
 | CDLL5290 | 25.0950 | | 3244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
| 1N5301 | 18.6000 | | 9245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||
| JANTX1N5310UR-1/TR | 35.8200 | | 6175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
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| JANTX1N5304UR-1/TR | 38.4300 | | 8234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5304 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5304UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
| CDLL5286 | 25.3350 | | 2324 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
| Jan1n5304-1 | 31.5150 | | 9348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5304 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
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| CDLL5310 | 25.0950 | | 1686年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
| JANS1N5303UR-1/TR | 130.3050 | | 7036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5303UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
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| 1N5293 | 18.6000 | | 4206 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5293 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5293 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||||
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| 1N5290-1/tr | 18.7950 | | 5452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
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| Jan1n5312ur-1 | 30.3150 | | 9372 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5312 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
 | 1N5290 | 2.2500 | | 1 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5290 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5290 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
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| Jan1n5298ur-1 | 36.6900 | | 1595年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5298 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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15,000 m2
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