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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | J500 TO-92 2L | 7.3300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) | J500 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 400mv | |||||
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![]() | CDLL251 | 28.3200 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 80V | 6.16mA | 4.03V | |||
![]() | 1N5287 | 18.6000 | ![]() | 8711 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
![]() | JANS1N5283UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 6419 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5283UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
![]() | JANTXV1N5291UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 1065 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5291 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | CDLL254/tr | 28.5000 | ![]() | 4132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL254/tr | 100 | 60V | 8.25mA | 5.4V | |||||
![]() | JANTXV1N5311ur-1/tr | 40.5600 | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5311ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
![]() | 1N5302 | 18.6000 | ![]() | 9252 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5302 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5302 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||||
![]() | jankca1n5299 | - | ![]() | 8264 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5299 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
![]() | JANTX1N5298-1/TR | 33.6150 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5298-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
![]() | Janhca1n5283 | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5283 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
![]() | CDLL5308 | 25.0950 | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
![]() | JANTXV1N5306UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 9365 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5306UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
![]() | CDLL5292 | 25.0950 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||
![]() | CDS5309-1/tr | - | ![]() | 9701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5309-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | Jan1n5311ur-1/tr | 30.4650 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5311ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
![]() | JANTX1N5299-1/TR | 34.1550 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5299-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | CD5288 | 19.2450 | ![]() | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5288 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||||
![]() | Jan1n5300-1/tr | 31.6650 | ![]() | 9480 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | 1N5313ur-1/tr | 21.9800 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||||||
![]() | 1N5290ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 2242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5290 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | 1N5309 | 18.7800 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
![]() | cmj4500 tr pbfree | 6.2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ4500 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 5.1ma | 3.7V | ||
![]() | CDLL5300/tr | 25.2900 | ![]() | 8071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5300/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | Janhca1n5303 | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5303 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
![]() | JANTX1N5310UR-1/TR | 35.8200 | ![]() | 6175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5310 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
![]() | JANS1N5300-1 | 99.8700 | ![]() | 8353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||
![]() | JANTX1N5288-1/TR | 30.8250 | ![]() | 7452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5288 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5288-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5288/tr | 25.2900 | ![]() | 6937 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5288/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V |
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