电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N5303-1/TR | 100.0200 | ![]() | 7421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5303-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
JANTX1N5312UR-1 | 27.4700 | ![]() | 205 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||
![]() | JANTXV1N5294-1 | 36.4050 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | JANS1N5308UR-1 | 130.1550 | ![]() | 9993 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||||
![]() | 1N5301 | 18.6000 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||
![]() | CDLL5306 | 25.0950 | ![]() | 1149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
![]() | CDLL5298 | 25.0950 | ![]() | 2602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | CDLL5298/tr | 25.2900 | ![]() | 4861 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5298/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
![]() | J506 TO-92 2L | 7.3300 | ![]() | 994 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) | J506 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 1.1V | |||||
![]() | 1N5299/tr | 18.7950 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5299/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
![]() | CDLL5299E3/tr | 25.4850 | ![]() | 9153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5299E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | JANTX1N5309-1 | 36.4050 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | 1N5299 | 2.2500 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5299 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N5299 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
![]() | cmjh080 tr pbfree | 6.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH080 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 9.84mA | 3.1V | ||
![]() | SST509 SOT-23 3L | 7.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST509 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 1.7V | |||||
![]() | JANS1N5294-1 | 99.8700 | ![]() | 8432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
![]() | JANTX1N5304-1/TR | 34.1550 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5304 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5304-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
![]() | CD5297 | 19.4400 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5297 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
![]() | Jan1n5303-1/tr | 31.6650 | ![]() | 9679 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5303-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
![]() | CD5303 | 19.2450 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5303 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
![]() | 1N5308ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-1N5308ur-1/tr | 100 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||||
![]() | CD5285 | 19.2450 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5285 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||||
![]() | JANTXV1N5292UR-1 | 40.2450 | ![]() | 7027 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | JANTXV1N5284UR-1 | 40.2450 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | jankca1n5287 | - | ![]() | 8195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
![]() | Jan1n5292ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 3349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5292UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | 1N5302-1 | 18.6000 | ![]() | 8076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5302 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||||
![]() | CDLL5290 | 25.0950 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | JANTX1N5290-1 | 25.2800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | JANTXV1N5301UR-1 | 40.2450 | ![]() | 2981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库