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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | J503 TO-92 2L | 7.3300 | ![]() | 971 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) | J503 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 700mv | |||||
![]() | JANTX1N5307UR-1 | 38.2650 | ![]() | 8541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5307 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
![]() | JANTXV1N5296-1 | 36.4050 | ![]() | 9833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
![]() | JANTX1N5307-1 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.54mA | 2V | |||
![]() | CDLL5292 | 25.0950 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||
![]() | CDLL7048 | 68.1450 | ![]() | 4378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7048 | 1 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5294-1 | 36.4050 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | 1N5286ur-1 | 21.8250 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
![]() | JANS1N5285UR-1 | 130.1550 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
![]() | JANTX1N5306UR-1 | 38.2650 | ![]() | 8987 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
![]() | JANTXV1N5313UR-1/TR | 40.5600 | ![]() | 1049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5313 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5313UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | 1N5288 | 2.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5288 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5288 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
![]() | 1N5303-1 | 18.6000 | ![]() | 4198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
![]() | JANTXV1N5300UR-1/TR | 40.8000 | ![]() | 7469 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5300 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5300UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | cmjh080 tr pbfree | 6.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH080 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 9.84mA | 3.1V | ||
![]() | 1N5292-1 | 18.6000 | ![]() | 6131 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5292 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||
![]() | 1N5286/tr | 18.6900 | ![]() | 8647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5286 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5286/tr | 100 | 100V | 330µA | 1V | |||||
![]() | 1N5312UR-1E3/tr | 22.1600 | ![]() | 6557 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||||
![]() | cmjh100 tr pbfree | 6.5000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH100 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 12mA | 3.5V | ||
JANS1N5298-1 | 116.6200 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | 1N5283 | 7.2500 | ![]() | 730 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N5283 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
![]() | JANTX1N5312UR-1/TR | 36.1650 | ![]() | 5747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5312UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
![]() | CDLL5309 | 25.3350 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||
![]() | JANS1N5297-1/TR | 100.0200 | ![]() | 6860 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5297-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||
![]() | 1N5295/tr | 18.7950 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5295 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5295/tr | 100 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||
![]() | jankca1n5286 | - | ![]() | 9410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5286 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
1N5313-1E3/tr | 22.0200 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5313 | 500MW | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5313-1E3/tr | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||||||
![]() | JANTX1N5302-1/TR | 34.1550 | ![]() | 5749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5302 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5302-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
![]() | 1N5294ur-1 | 21.8250 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5294 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
![]() | JANTX1N5285UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5285UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V |
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