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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N5313UR-1/TR | 35.8200 |  | 1125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5313 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5313UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
 | CDLL5294 | 25.0950 | | 9330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
| JANS1N5302UR-1 | 131.4000 | | 7048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5302 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
 | 1月1N5289-1 | 31.5150 | | 1969年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
 | 1N5288 | 2.5000 | | 1 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5288 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5288 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
| JANS1N5301UR-1/TR | 130.3050 | | 2479 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5301UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
| 1N5309 | 18.7800 | | 9788 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
| 1N5290ur-1/tr | 22.0050 | | 2242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5290 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
| JANTX1N5299-1/TR | 34.1550 | | 8864 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5299-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
| 1N5313ur-1/tr | 21.9800 | | 6764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||||||
 | CD5288 | 19.2450 | | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5288 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||||
 | cmj4500 tr pbfree | 6.2200 | | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ4500 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 5.1ma | 3.7V | ||
| 1N5290-1/tr | 18.7950 | | 5452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
| 1N5305UR-1 | 21.8200 | | 90 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5305 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
 | JANTX1N5290UR-1 | 30.3450 | | 1052 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5290 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
| CDLL7048 | 68.1450 | | 4378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7048 | 1 | ||||||||||||||
| CDLL200 | 22.0950 | | 9458 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL20 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL200 | 1 | ||||||||||||||
| CDLL254/tr | 28.5000 | | 4132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL254/tr | 100 | 60V | 8.25mA | 5.4V | |||||
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| CDS5306UR-1 | - | | 9408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5306UR-1 | 50 | ||||||||||||||
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| Jan1n5298ur-1 | 36.6900 | | 1595年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5298 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
| JANS1N5299-1 | 99.8700 | | 1870年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
| JANTX1N5309UR-1 | 30.0300 | | 9721 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5309 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | JANTX1N5309UR-1M | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |
| 1N5287-1/tr | 18.7950 | | 5259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5287-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
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| CDS5300UR-1/tr | - | | 6661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5300UR-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| JANTXV1N5283-1 | 36.4050 | | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
| Jan1n5291ur-1/tr | 36.8400 | | 5854 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5291 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V |
2000+
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