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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Janhca1n5286 | - | ![]() | 4750 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5286 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
![]() | JANS1N5311ur-1/tr | 131.5650 | ![]() | 7250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5311ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
![]() | CDLL5296 | 25.0950 | ![]() | 1891年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
![]() | JANTX1N5289UR-1 | 38.2650 | ![]() | 2487 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | Jan1n5288-1/tr | 25.8900 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5288 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5288-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5294 | 25.0950 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
![]() | Janhca1n5287 | - | ![]() | 9821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
![]() | CDLL5301/tr | 25.2900 | ![]() | 4186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5301/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | CDLL7049/TR | 68.3250 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7049/tr | 100 | ||||||||||||||
![]() | CD5312 | 19.2450 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD531 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5312 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||
![]() | Jan1n5302ur-1 | 36.6900 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5302 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
![]() | 1N5291 | 2.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5291 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5291 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
![]() | JANS1N5309UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 4488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-JANS1N5309UR-1/TR | 50 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
![]() | JANTX1N5293-1/TR | 34.1550 | ![]() | 1285 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5293 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5293-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
![]() | J504 TO-92 2L | 7.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) | J504 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 800mv | |||||
![]() | Jan1n5306ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 1525年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5306UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
![]() | JANS1N5293UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 7420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5293UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||
![]() | 1N5306UR-1 | 21.8250 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
![]() | Jan1n5314-1/tr | 29.0400 | ![]() | 9782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5314-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||
![]() | 1N5293UR-1 | 21.8250 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||
![]() | 1N5293 | 2.2500 | ![]() | 6757 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5293 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N5293 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
![]() | 1N5310 | 18.7800 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5310 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
![]() | JANS1N5289-1 | 99.8700 | ![]() | 8084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||
![]() | 1N5302-1 | 18.6000 | ![]() | 8076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5302 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||||
![]() | Janhca1n5311 | - | ![]() | 5265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5311 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
![]() | JANS1N5284-1 | 99.8700 | ![]() | 6471 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5284 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
![]() | JANTXV1N5293UR-1 | 40.2450 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
![]() | CDLL5290/TR | 25.2900 | ![]() | 9769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5290/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | CDS5313UR-1/TR | - | ![]() | 7850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5313UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N5299-1/TR | 34.1550 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5299-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V |
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