- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5305 | 21.8550 |  | 8035 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5305 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
 | 1N5301UR-1 | 21.8250 | | 9658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5301 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
 | J506 TO-92 2L | 7.3300 | | 994 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-2，TO-92-2 to-226ac） | J506 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 1.1V | |||||
 | CDLL256 | 28.3200 | | 4388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50V | 10.01ma | 6.55V | |||
 | CDS5303-1/tr | - | | 3896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5303-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| Jan1n5286-1/tr | 31.6650 | | 3506 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5286 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5286-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
| JANTXV1N5291UR-1/TR | 40.4100 | | 1065 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5291 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
 | JANS1N5287-1/TR | 100.0200 | | 1532年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
| Jan1n5292ur-1/tr | 36.8400 | | 3349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5292 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5292UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
| JANTXV1N5300-1 | 36.4050 | | 9300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
| JANTXV1N5296UR-1/TR | 40.4100 | | 5479 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5296 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5296UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| Jan1n5295-1/tr | 31.6650 | | 6316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
| JANTXV1N5292-1 | 36.4050 | | 5932 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5292 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
| Jan1n5305-1 | 24.2700 | | 7069 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
| Jan1n5311ur-1/tr | 30.4650 | | 4112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5311 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5311ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
| JANTX1N5283UR-1 | 38.7600 | | 5241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5283 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
| JANTXV1N5287UR-1 | 40.2450 | | 7087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5287 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
| 1N5293-1 | 18.6000 | | 2339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5293 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||
| JANTXV1N5292UR-1 | 40.2450 | | 7027 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5292 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
| JANS1N5306-1/TR | 100.0200 | | 1606 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5306-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| 1N5301UR-1/tr | 21.9800 | | 1429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||
| CD5297 | 19.4400 | | 6859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5297 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
| JANTXV1N5290-1 | 36.4050 | | 6927 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
| 1N5287 | 18.6000 | | 8711 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
| 1N5308 | 18.6000 | | 9023 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5308 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5308 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||||
| 1N5299ur-1/tr | 21.9800 | | 9195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||||||
| 1N5300 | 18.6000 | | 4307 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5300 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||||
| CDS5283UR-1 | - | | 1115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5283UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| Jan1n5290ur-1 | 24.0600 | | 1393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5290 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
| Jan1n5300-1/tr | 31.6650 | | 9480 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）