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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 年级 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDS5297-1/tr | - |  | 4733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1/tr | 50 | ||||||||||||||||
| CDLL7050 | 68.1450 | | 2783 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7050 | 1 | ||||||||||||||||
 | Jan1n5298-1/tr | 31.6650 | | 3259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5298-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||||
 | 1N5289/tr | 21.8400 | | 3183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5289/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||||
 | Jan1n5287ur-1/tr | 36.6000 | | 6882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5287 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5287UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||
| CDS5303-1/tr | - | | 3896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5303-1/tr | 50 | ||||||||||||||||
| Janhca1n5313 | - | | 1076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5313 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||
| CD5301 | 19.4400 | | 3036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5301 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||
| JANTX1N5295-1/TR | 34.1550 | | 6696 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||||
| CDLL5305/tr | 25.2900 | | 1012 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5305/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||||
| 1N5287/tr | 18.7950 | | 5800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5287/tr | 100 | 100V | 363µA | 1V | |||||||
| CDLL5289/tr | 25.2900 | | 4104 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5289/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||||
| JANTXV1N5307-1/TR | 36.5700 | | 5071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||||
| CDLL5306/tr | 25.2900 | | 8026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5306/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||||
| CDS5297UR-1/tr | - | | 6257 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||||
| 1N5306E3 | 18.7600 | | 2760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-1N5306E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| JANS1N5308-1/TR | 100.0200 | | 4330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5308-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||||
| JANS1N5287UR-1/TR | 130.3050 | | 7371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5287UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||||
| Jan1n5302ur-1 | 36.6900 | | 5768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5302 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||||
 | CMJ0750 TR PBFRE | 3.4200 | | 4230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ0750 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 920µA | 1.4V | ||||
| 1N5301UR-1/tr | 21.9800 | | 1429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||||
| 1N5301 | 18.6000 | | 9245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||||
| CDLL5306 | 25.0950 | | 1149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||||
 | cl10md | 0.1328 | | 1078 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 电池充电器，LED驾驶员 | 表面安装 | CL10 | 1W | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2796-CL10MDTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 90V | 23MA | 3V | |||||||
| jankca1n5286 | - | | 9410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5286 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||||
| 1N5286/tr | 18.6900 | | 8647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5286 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5286/tr | 100 | 100V | 330µA | 1V | |||||||
| CDLL5310 | 25.0950 | | 1686年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||||
| 1N5299ur-1/tr | 21.9800 | | 9195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||||||||
| CDLL257/tr | 28.5000 | | 7656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL257/tr | 100 | 50V | 11.1ma | 7.2V | |||||||
 | S-103T | 1.3300 | | 3729 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | s | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C | 电池充电器 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | S-103 | 500MW | 2-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1 | - | 100V | 12.4mA | 3.5V | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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