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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 年级 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL252/tr | 28.5000 |  | 4701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL252/tr | 100 | 70V | 6.82mA | 4.46V | |||||||
 | jankca1n5295 | - | | 4722 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5295 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||
| JANS1N5294UR-1/TR | 130.3050 | | 9980 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5294UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||||
| 1N5297 | 18.6000 | | 3118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5297 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||||||
| Jan1n5306ur-1/tr | 36.8400 | | 1525年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5306UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||||
| 1N5289-1 | 21.6600 | | 3269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||||
| Jan1n5297ur-1 | 36.6900 | | 9188 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5297 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
| CDLL251/TR | 28.5000 | | 6317 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL251/tr | 100 | 80V | 6.16mA | 4.03V | |||||||
 | JANS1N5287-1/TR | 100.0200 | | 1532年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||||
 | J502 TO-92 2L | 7.3300 | | 1 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-2，TO-92-2 to-226ac） | J502 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 600mv | |||||||
| jankca1n5293 | - | | 9812 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5293 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||||
| JANTX1N5308-1 | 33.9900 | | 3325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||||
 | CDS5300UR-1 | - | | 7164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5300UR-1 | 50 | ||||||||||||||||
| jankca1n5301 | - | | 6555 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5301 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||
| Jan1n5314-1/tr | 29.0400 | | 9782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5314-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||||
| 1N5285 | 18.4950 | | 7271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5285 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||||||
| 1N5303-1/tr | 18.7950 | | 4091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5303-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
| CD5310 | 19.2450 | | 1014 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD531 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5310 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||||||
| JANS1N5306-1/TR | 100.0200 | | 1606 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5306-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||||
 | JANS1N5293UR-1/TR | 130.3050 | | 7420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5293UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||||
 | cmj0130 tr pbfree | 6.2200 | | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ0130 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 210µA | 800mv | ||||
| CDLL5301/tr | 25.2900 | | 4186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5301/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||
| JANS1N5289-1 | 99.8700 | | 8084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||||
| Jan1n5300ur-1 | 36.6900 | | 5195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5300 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||||
| CDLL256 | 28.3200 | | 4388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50V | 10.01ma | 6.55V | |||||
| JANTXV1N5314-1 | 60.1950 | | 1282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||||
| CDLL200/tr | 22.2750 | | 9468 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL20 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL200/tr | 100 | ||||||||||||||||
| JANTXV1N5306UR-1 | 40.2450 | | 7138 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||||
 | 1N5313-1E3/tr | 22.0200 | | 7281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5313 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5313-1E3/tr | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||||
 | E-301 | 0.8900 | | 4252 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | e | 大部分 | 积极的 | -30°C〜150°C | - | 通过洞 | 轴向 | E-30 | 300MW | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 4316-E-301 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | - | 100V | 400µA | 800mv | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
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全球制造商
15,000 m2
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