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当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | 1N5310UR-1 | 22.0350 | | 5871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
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| JANS1N5283UR-1 | 131.4000 | | 7674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5283 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
| JANTXV1N5285UR-1 | 40.2450 | | 5026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
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| 1N5285 | 18.4950 | | 7271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5285 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||||
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| 1N5302UR-1 | 22.1850 | | 8748 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5302 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
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| CDLL251 | 28.3200 | | 7724 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 80V | 6.16mA | 4.03V | |||
| JANTXV1N5287-1/TR | 36.5700 | | 2802 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
| JANTX1N5309UR-1 | 30.0300 | | 9721 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5309 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | JANTX1N5309UR-1M | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V |
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