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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MTFC4GLVEA-0M WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GLVEA-0M WT TR -
RFQ
ECAD 6168 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MTFC64GJVDN-3M WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-3M WT TR -
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC64 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-1F WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1F WT TR -
RFQ
ECAD 4410 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1M WT TR -
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8glvea-4m it tr -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT -
RFQ
ECAD 6090 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT -
RFQ
ECAD 5136 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),64m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACJG-5 WT -
RFQ
ECAD 6113 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96Maybackd-5 wt -
RFQ
ECAD 8443 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBADKD-5 WT -
RFQ
ECAD 5806 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT29C8G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性,挥发性 8Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 16 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z:a -
RFQ
ECAD 7387 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-TBGA MT29E256G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCABJ3-10Z:a -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-LBGA MT29E512G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10Z:a -
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08AMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10Z:a -
RFQ
ECAD 6593 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F128G08CBCABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6:a -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:c -
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29F16G08ADACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4-IT:c -
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -mt29f16g08adacah4-it:c 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
M24128-DFMC6TG STMicroelectronics M24128-DFMC6TG 0.5100
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 M24128 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-fufdfpn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 128kbit 450 ns EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
M24256-DFDW6TP STMicroelectronics M24256-DFDW6TP 0.4800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) M24256 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 4,000 400 kHz 非易失性 256kbit 450 ns EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
M24256-DFMN6TP STMicroelectronics M24256-DFMN6TP 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M24256 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 256kbit 450 ns EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
M24512-DFMC6TG STMicroelectronics M24512-DFMC6TG 1.0300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 M24512 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-fufdfpn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 512kbit 500 ns EEPROM 64k x 8 i²c 5ms
M24C32-DFMC6TG STMicroelectronics M24C32-DFMC6TG 0.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 M24C32 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-fufdfpn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 32kbit 450 ns EEPROM 4K x 8 i²c 5ms
M24C32-DFMN6TP STMicroelectronics M24C32-DFMN6TP 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M24C32 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 32kbit 450 ns EEPROM 4K x 8 i²c 5ms
M24M01-DFMN6TP STMicroelectronics M24M01-DFMN6TP 1.7100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M24M01 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 1Mbit 500 ns EEPROM 128K x 8 i²c 5ms
M95512-RCS6TP/K STMicroelectronics M95512-RCS6TP/k -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-ufbga,WLCSP M95512 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 16 MHz 非易失性 512kbit EEPROM 64k x 8 spi 5ms
M95M01-DFMN6TP STMicroelectronics M95M01-DFMN6TP 1.8500
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M95M01 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 16 MHz 非易失性 1Mbit EEPROM 128K x 8 spi 5ms
S34ML08G101TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G101TFI003 -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 ML-1 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) S34ML08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 25ns
AT45DB081E-SSHN-T Adesto Technologies AT45DB081E-SSHN-T 1.8400
RFQ
ECAD 3426 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AT45DB081 闪光 1.7v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 85 MHz 非易失性 8mbit 闪光 264字节x 4096页 spi 8µs,4ms
AT45DB081E-SHN2B-T Adesto Technologies AT45DB081E-SHN2B-T 1.8100
RFQ
ECAD 8394 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) AT45DB081 闪光 1.7v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 85 MHz 非易失性 8mbit 闪光 256字节x 4096页 spi 8µs,4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库