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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 可编程类型 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | W25Q01JVTBIQ | 11.7800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q01JVTBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7.5 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3.5ms | ||||
![]() | S25FL128SAGMFIR01 | 5.8100 | ![]() | 4223 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 47 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||
![]() | 78016013a | 51.0000 | ![]() | 289 | 0.00000000 | 高级微型设备 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 28-CLCC | 780160 | - | 4.5V〜5.5V | 28-CLCC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Kbit | 70 ns | 舞会 | 512 x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | FM25C020ULEM8 | - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM25C020 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2.1 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | spi | 15ms | ||||||
![]() | DS1230Y-70+ | 28.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28 DIP 模块( 0.600英寸,15.24毫米) | DS1230Y | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Edip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-DS1230Y-70+ | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | S29GL512T11DHV020 | 22.0000 | ![]() | 244 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL512T11DHV020 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 23 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MT47H32M16BN-37E:D Tr | - | ![]() | 3668 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(10x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | AT29C512-15JC | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AT29C512 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | AT29C51215JC | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 非易失性 | 512kbit | 150 ns | 闪光 | 64k x 8 | 平行线 | 10ms | |||||
![]() | LE25S161MDS03TWG | - | ![]() | 6575 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 488-LE25S161MDS03TWG | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 7143LA55GB | 334.5510 | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 68-BPGA | 7143LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PGA (29.46x29.46) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 3 | 易挥发的 | 32kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA2 | - | ![]() | 5762 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | M50FW040NB5G | - | ![]() | 7239 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | M50FW040 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 32-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 250 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MB85RS2mlypn-gs-awewe1 | 5.4170 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MB85RS2 | fram (铁电 ram) | 1.7V〜1.95V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 框架 | 256K x 8 | spi | - | |||||||
![]() | IS61QDPB42M36A-550B4L | - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB42 | sram-四边形端口,同步 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CY7C037V-15AC | 24.2500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C037 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | 易挥发的 | 576kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | AT45DB642D-CU | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 24-LBGA,CSPBGA | AT45DB642 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-CBGA(6x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 378 | 66 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 1056字节x 8192页 | spi | 6ms | ||||||||
7025L20JGI8 | 55.1935 | ![]() | 5453 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | 7025L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 200 | 易挥发的 | 128kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||||
![]() | S70PL512N00HFW533 | - | ![]() | 4374 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | W25Q16JWSSIM | 0.4933 | ![]() | 3936 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q16 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q16JWSSIM | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
AT17F080-30TQC | - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 44-TQFP | AT17F080 | 未行业行业经验证 | 2.97v〜3.63V | 44-TQFP(10x10) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 闪光 | 8MB | ||||||||||||
![]() | SNP12C23C/16G-C | 48.5000 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNP12C23C/16G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AT24C512C-MAHM-T | 1.2600 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT24C512C | EEPROM | 1.7v〜3.6V | 8-udfn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 非易失性 | 512kbit | 900 ns | EEPROM | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | AK6480AF | - | ![]() | 6701 | 0.00000000 | asahi kasei Microdevices/akm | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AK6480 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-sop | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 1 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 512 x 16 | spi | - | ||||||||
![]() | 7028S20PF | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | - | 800-7028S20PF | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R1LP5256ESP-5SI #B1 | 3.8600 | ![]() | 184 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.330英寸,8.40mm宽度) | R1LP5256 | SRAM | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -1161-R1LP5256ESP-5SI #B1 | Ear99 | 8542.32.0041 | 30 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | GD25Q64enigr | 0.8424 | ![]() | 2779 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25Q64ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs,2.4ms | ||||||||||
S25FL128SAGBHVC00 | 8.3400 | ![]() | 611 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FL128SAGBHVC00 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 60 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||
FT24C04A-UTR-T | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | FT24C04 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 550 ns | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | CY7C1069DV33-10BVXIKA | 40.7000 | ![]() | 459 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1069 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(8x9.5) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | S34MS04G204BHI013 | - | ![]() | 9145 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | 45ns |
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