RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT48LC2M32B2TG-6A IT：j	-	RFQ	1261	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
MT48LC2M32B2TG-6A：j	-	RFQ	2503	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
MT48LC8M16A2TG-6A：l	-	RFQ	6394	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
MT46V32M16TG-5B IT：JTR	-	RFQ	8705	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0028	2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT48LC16M16A2TG-6A：GTR	-	RFQ	6006	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT48LC2M32B2TG-6A IT：JTR	-	RFQ	2286	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
EDB2432BCPE-8D-FD	-	RFQ	9423	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	EDB2432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,680	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	-
MT40A256M16GE-062E：b	-	RFQ	1604	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0036	1,020	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
EDW2032BBG-50-FD	-	RFQ	9268	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW2032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,440	1.25 GHz	易挥发的	2Gbit		内存	64m x 32	平行线	-
EDW2032BBBG-60-FD	-	RFQ	6094	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW2032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,440	1.5 GHz	易挥发的	2Gbit		内存	64m x 32	平行线	-
EDY4016AABG-JD-FR TR	-	RFQ	3484	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EDY4016	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
EDB4064B3PB-8D-FD	-	RFQ	5984	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB4064	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,680	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	64m x 64	平行线	-
EDB4064B3PP-1D-FD	-	RFQ	3038	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	240-WFBGA	EDB4064	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	240-fbga（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8542.32.0036	1,260	533 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	64m x 64	平行线	-
70914S25PFGI	-	RFQ	8943	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-LQFP	70914	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	36kbit	25 ns	SRAM	4K x 9	平行线	-
S-24C02DI-J8T1U5	0.3800	RFQ	12	Ablic Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	S-24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	2kbit	500 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
AK6508DU	-	RFQ	5685	asahi kasei Microdevices/akm	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AK6508	EEPROM	1.6V〜4.5V	8-uson	-		（1 （无限）		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	-
AK93C65CUA	-	RFQ	5690	asahi kasei Microdevices/akm	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	AK93C65	EEPROM	1.5V〜5.5V	-	-		（1 （无限）		Ear99	8542.32.0051	5,000	4 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	spi	-
M24128T-FCU6T/TF	-	RFQ	1869年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	M24128	EEPROM	1.7V〜5.5V	4-WLCSP（0.85x0.85）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	128kbit	650毫秒	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
CY7C1370KV25-167BZC	46.3925	RFQ	8148	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1370KV25-200AXC	31.8325	RFQ	1981	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	360	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1370KV25-200BZC	37.2050	RFQ	4289	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	272	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1370KV33-167AXC	37.1700	RFQ	7203	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1370KV33-200AXCT	31.9375	RFQ	1484	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	750	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1370KV33-250AXC	31.9375	RFQ	6728	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1371KV33-100AXI	33.2900	RFQ	144	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1371	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1371KV33-133AXC	30.9750	RFQ	5333	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1371	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1372KV25-167AXC	30.9750	RFQ	4918	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1372	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	360	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C1380KV33-167AXC	32.4000	RFQ	360	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1380	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1380KV33-167AXIT	41.3875	RFQ	7555	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1380	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1381KV33-100AXC	32.4000	RFQ	720	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1381	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²