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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
A6993649-C	17.5000	RFQ	5025	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A6993649-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1565KV18-400BZXI	245.4375	RFQ	8138	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1565	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	272	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY62147EV18LL-55BVXIT	5.8800	RFQ	9674	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62147	sram-异步	1.65V〜2.25V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR	-	RFQ	7320	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
X28HC64PZ-12	15.8270	RFQ	2350	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）		EEPROM	4.5V〜5.5V	28-pdip	-	rohs3符合条件	3（168））		20-X28HC64PZ-12			1		非易失性	64kbit	120 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	5ms
CY7C1021DV33-10VXIT	3.4300	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
MT49H32M18CFM-25：b tr	-	RFQ	2531	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS61LV632A-6TQI-TR	-	RFQ	9973	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LV632	sram-异步	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	1Mbit	6 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
S25FL164K0XBHV020	-	RFQ	9553	Infineon技术	fl1-k	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
MT46V128M8TG-75：a	-	RFQ	8578	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
N25Q032A13EF640F	1.5300	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q032A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	5ms
AS7C3256A-12TINTR	2.1024	RFQ	2656	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AS7C3256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
24LC025T-E/MS	0.5100	RFQ	1135	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC025	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
AT34C02C-THDD-T	0.3400	RFQ	5	atmel	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT34C02	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
IS42S16320B-6TLI-TR	-	RFQ	3957	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
CY15E004Q-SXET	1.6187	RFQ	1922年	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，F-RAM™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY15E004	fram （铁电 ram）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005650543	Ear99	8542.32.0071	2,500	16 MHz	非易失性	4Kbit		框架	512 x 8	spi	-
MT62F1G32D2DS-026 wt：c	22.8450	RFQ	5308	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-026WT：c			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
S34ML04G100TFI900	4.2700	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	ML-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML04	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件			2832-S34ML04G100TFI900	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	25ns
NDQ86PFI-7NIT	11.9700	RFQ	3366	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDQ86PFI-7NIT			198	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	荚	15ns
S26361-F4026-E616-C	162.0000	RFQ	2198	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F4026-E616-C	Ear99	8473.30.5100	1
DS28E01P-001-11+	-	RFQ	9763	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E01	EEPROM	2.85V〜5.25V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E01P-001-11+	过时的		1		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	-
S25FL064P0XMFA003	-	RFQ	6479	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL064P0XMFA003			1
CG7910AA	-	RFQ	8976	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	72
71V256SA12PZG8	3.6200	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
IS42VM32800K-6BLI	6.0380	RFQ	1523年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
CG5942AT	-	RFQ	2475	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
CY14B256PA-SFXIT	9.2750	RFQ	1590年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000	40 MHz	非易失性	256kbit		NVSRAM	32K x 8	spi	-
S25FL127SABMFV103	-	RFQ	4133	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL127SABMFV103			1
S29GL512N10FAI010	18.3400	RFQ	6	赛普拉斯半导体公司	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装		S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V		-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	2832-S29GL512N10FAI010	3A991B1A	8542.32.0051	28		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线
IS61WV51232BLL-10BLI-TR	18.5250	RFQ	3872	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS61WV51232	sram-异步	1.65V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	512K x 32	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²