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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AS4C16M32MSA-6BIN	8.2800	RFQ	190	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	AS4C16	sdram- sdram	1.7V〜1.95V	90-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
AT25320AN-10SU-2.7	-	RFQ	6155	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25320	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		AT25320AN-10SU2.7	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
M95512-WDW6TP	1.0900	RFQ	2495	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95512	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B2	8542.32.0051	4,000	16 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
FT24C04A-UNR-T	-	RFQ	1775年	Fremont Micro Devices Ltd	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	FT24C04	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	4Kbit	550 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
IDT71V2559S75BG8	-	RFQ	9368	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V2559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71V2559S75BG8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CY7C1163KV18-450BZC	-	RFQ	6766	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1163	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-CY7C1163KV18-450BZC	3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61LP6436A-133TQLI	5.9867	RFQ	5415	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LP6436	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
AT49BV4096A-90TI	-	RFQ	6147	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	AT49BV4096	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	30µs
NM24C04UEN	-	RFQ	5714	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NM24C04	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	4Kbit	3.5 µs	EEPROM	512 x 8	i²c	10ms
CY7C1354CV25-166BZC	14.1050	RFQ	6365	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY7C1061DV33-10BV1XIT	-	RFQ	9472	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY7C1061	sram-异步	3v〜3.6V	48-VFBGA（8x9.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
S71VS128RB0AHK4L0	-	RFQ	7903	Infineon技术	vs-r	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S71VS128	闪光灯，psram	1.7V〜1.95V	56-VFRBGA（7.7x6.2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-S71VS128RB0AHK4L0	过时的		100	108 MHz	非易失性，挥发性	（128 毫米（闪光灯），32mbit（RAM））		闪光，ram	-	平行线	-
MT28FW01GABA1HPC-0AAT	-	RFQ	4747	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28FW01	闪光灯 -也不	1.7v〜3.6V	64-lbga（11x13）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
BR25H010F-2CE2	0.9500	RFQ	1538年	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR25H010	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	4ms
MT40A256M16LY-062E：f	8.3250	RFQ	8468	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
W25X80VSSIG	-	RFQ	9041	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25x80	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	90	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	3ms
S29GL512S11TFI010	10.8400	RFQ	910	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	91		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
W25Q80DVSNIG	0.5100	RFQ	120	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
AS7C3256A-15JIN	2.2660	RFQ	8024	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C3256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
CY7C025-15AXC	-	RFQ	8570	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C025	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	128kbit	15 ns	SRAM	8k x 16	平行线	15ns
MB85RS16PNF-G-JNERE1	1.1709	RFQ	9673	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RS16	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	20 MHz	非易失性	16kbit		框架	2k x 8	spi	-
AS7C3256A-10JINTR	2.0183	RFQ	4102	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C3256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	10 ns	SRAM	32K x 8	平行线	10NS
M28W640ECB90N6	-	RFQ	6178	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M28W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-1698	过时的	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	4m x 16	平行线	90NS
AT25010N-10SC-2.7	-	RFQ	3529	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25010	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
24c02c-i/p	0.4500	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24C02C	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-pdip	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	1ms
CAT24C02YI-GT3A	-	RFQ	7140	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
BR93G56NUX-3BTTR	0.3100	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	BR93G56	EEPROM	1.7V〜5.5V	VSON008X2030	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	3 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	5ms
GD25WD40EK6IGR	0.4077	RFQ	9951	gigadevice 半导体（香）	GD25WD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25WD40EK6IGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	512k x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
7005L17PF8	-	RFQ	1150	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L17	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	17 ns	SRAM	8k x 8	平行线	17ns
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD	68.6200	RFQ	5085	瑞士	EM-20	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA	SFEM032	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-BGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²