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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | AT24C64CN-SH-T | - | ![]() | 7911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT24C64 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 非易失性 | 64kbit | 550 ns | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CY7C2568XV18-600BZXC | 464.2800 | ![]() | 130 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2568 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 600 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S29CD032J0PFAM010 | - | ![]() | 8959 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AS4C16M16D2-25BINTR | 3.5191 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | AS4C16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | SM662PAA-BES | - | ![]() | 7888 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-sm662paa-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 40Gbit | 闪光 | 5g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | STK14C88-NF45 | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Simtek | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | STK14C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||
![]() | IS61QDB42M18C-333M3I | - | ![]() | 9825 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDB42 | sram-同步,四边形 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||
S25FL129P0XBHIZ13 | - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL129 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | |||||
![]() | CY7C25652KV18-400BZXC | - | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25652 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL064S70BHI030 | 5.2000 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29GL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | AT49BV512-90TC | - | ![]() | 3842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT49BV512 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 512kbit | 90 ns | 闪光 | 64k x 8 | 平行线 | 30µs | ||||
![]() | AT24C32D-STPD-TVAO | - | ![]() | 9181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | AT24C32 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | TSOT-23-5 | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 900 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IDT71V3558S200BQ | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3558S200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
IS26KS512S-DPBLI00TR | - | ![]() | 4005 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperFlash™KS | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | IS26KL512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 96 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | W25Q16DVUUAG | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | W25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson (4x3) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q16DVUUAG | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,3ms | ||||
![]() | AT27LV520-70XI | - | ![]() | 2681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | AT27LV520 | EPROM -OTP | 3v〜3.6V,4.5V〜5.5V | 20-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 74 | 非易失性 | 512kbit | 70 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | B4U40AA-C | 24.5000 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-B4U40AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FM24W256-G | 6.4400 | ![]() | 9231 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24W256 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 1 MHz | 非易失性 | 256kbit | 550 ns | 框架 | 32K x 8 | i²c | - | |||
X28HC256JI-90R5697 | - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | X28HC256 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 90 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 5ms | |||||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CY7C1460KV33-167AXCT | 64.7500 | ![]() | 5099 | 0.00000000 | Infineon技术 | NOBL™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1460 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | S-24CM01CI-J8T1U4 | 3.8200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | S-24CM01 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 500 ns | EEPROM | 128K x 8 | i²c | 5ms | ||||
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 130-VFBGA | MT29C2G24 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 130-vfbga(8x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 2Gbit(NAND),1Gbit lpdram) | 闪光,ram | 128m x 16(NAND),64m x 16 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||||
![]() | AT29LV020-12TI | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT29LV020 | 闪光 | 3v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 20ms | ||||
![]() | MTFC8GLVEA-1M wt | - | ![]() | 1614年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-WFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-WFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
BR93G56NUX-3BTTR | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | BR93G56 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | VSON008X2030 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 3 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 128 x 16 | 微线 | 5ms | |||||
![]() | 71V35761SA200BQG8 | 15.1970 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CG8416AAT | - | ![]() | 1933年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 到达不受影响 | 过时的 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD | 68.6200 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | 瑞士 | EM-20 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 153-VFBGA | SFEM032 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | EMMC | - | |||||
AT24C128C-CUM-T | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-VFBGA,DSBGA | AT24C128C | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-DBGA(2.35x3.73) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms |
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