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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT48LC8M16A2P-6A AIT：l tr	-	RFQ	2465	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
70V07L35G	-	RFQ	1376	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	68-BPGA	70v07	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PGA （29.46x29.46）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	平行线	35ns
AT24C01-10PI-1.8	-	RFQ	1301	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	AT24C01	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C0110PI1.8	Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	10ms
DS1250yp-70ind+	122.3180	RFQ	2487	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	34-PowerCap™	DS1250Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	34-PowerCap模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-DS1250YP-70IND+	3A991B2A	8542.32.0041	5		非易失性	4Mbit	70 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	70NS
TMS27PC256-2NL	1.6000	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	3542.32.0061	1
M27C512-15C1	-	RFQ	2626	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M27C512	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	8542.32.0061	32		非易失性	512kbit	150 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
MT46V32M16P-5B XIT：j tr	-	RFQ	7391	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
7027S55G	-	RFQ	1429	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	108-BPGA	7027S55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	108-PGA （30.48x30.48）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	3		易挥发的	512kbit	55 ns	SRAM	32k x 16	平行线	55ns
MT29F32G08CBADBWPR：D TR	-	RFQ	1784年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F32G08CBADBWPR：DTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
M29W320DB70ZE6F TR	-	RFQ	8167	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
46C7449-C	62.5000	RFQ	7117	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-46C7449-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F512G08EECAGJ4-5M：a	-	RFQ	8162	微米技术公司	-	盒子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-					过时的	0000.00.0000	1,120	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线
N25Q512A13G1240E	-	RFQ	8918	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q512A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1568	3A991B1A	8542.32.0071	1,122	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
SM662GEA-BES	-	RFQ	2248	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEA-BES	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	EMMC	-
AT28C64-15PI	-	RFQ	5221	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	AT28C64	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT28C6415PI	Ear99	8542.32.0051	14		非易失性	64kbit	150 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	1ms
W25Q80EWZPIG	-	RFQ	7678	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
7024S55FB	-	RFQ	2181	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	84-flatpack	7024S55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-fpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	6		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
MT45W4MW16PCGA-70 IT TR	-	RFQ	8508	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
W25Q80DVSNIG	0.5100	RFQ	120	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
AT24C01D-SSHM-T	0.2100	RFQ	3436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C01	EEPROM	1.7v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	1kbit	4.5 µs	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
AT49BV162A-70CU	-	RFQ	7813	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-TFBGA，CSPBGA	AT49BV162	闪光	2.65v〜3.6V	48-CBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	378		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	200µs
IDT71256TTSA15Y	-	RFQ	1769年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT71256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71256TTSA15Y	Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
AT49BV1614AT-90TI	-	RFQ	4533	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	AT49BV1614	闪光	2.65V〜3.3V	48-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	16mbit	90 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	50µs
CY62256VLL-70ZXI	-	RFQ	7209	Infineon技术	MOBL®	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
M24C08-DRDW3TP/K。	0.5000	RFQ	9	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	8kbit	450 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	4ms
S70GL02GP12FAIR20	-	RFQ	4414	Infineon技术	gl-p	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S70GL02	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	2Gbit	120 ns	闪光	256m x 8，128m x 16	平行线	-
IS61LV5128AL-10KLI	4.1694	RFQ	4295	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV5128	sram-异步	3.135v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
R1LV0208BSA-7SI ＃B0	-	RFQ	1490	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	R1LV0208	SRAM	2.7V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	256K x 8	平行线	70NS
IS49NLC96400A-33WBL	-	RFQ	3498	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS45S32400F-7TLA2	6.3973	RFQ	9663	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²