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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | 70v9369l9pf8 | - | ![]() | 1991 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v9369 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 288kbit | 9 ns | SRAM | 16k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F512G08CMCABH7-6:a tr | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1041CV33-12ZSXE | - | ![]() | 8436 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | |||
MX25R6435FM2JL0 | 1.2179 | ![]() | 3317 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | MX25R6435 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 80 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 100µs,10ms | ||||
DS1250W-150+ | - | ![]() | 6454 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 32 滴模块(0.600英寸,15.24毫米) | DS1250W | NVSRAM(SRAM) | 3v〜3.6V | 32-Edip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 非易失性 | 4Mbit | 150 ns | NVSRAM | 512k x 8 | 平行线 | 150ns | ||||
![]() | SST26VF064BT-104V/TD | - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST26SQI® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | SST26VF064 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-tbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SST26VF064BT-104V/TDTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | |||
![]() | S29GL256P90FFSS93 | - | ![]() | 8469 | 0.00000000 | Infineon技术 | gl-p | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 256Mbit | 90 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 90NS | |||
![]() | A0740416-C | 17.5000 | ![]() | 4058 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A0740416-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
CAT24C32WGI-26758 | - | ![]() | 8460 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT24C32 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 400 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS64LPS12832A-200TQLA3 | 13.3403 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS64LPS12832 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | AT49LV002T-12VC | - | ![]() | 4043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | AT49LV002 | 闪光 | 3v〜3.6V | 32-VSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT49LV002T12VC | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 50µs | ||
![]() | 70V06L55PF | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 70V06L | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 128kbit | 55 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | AT29C256-90TC-T | - | ![]() | 7057 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | AT29C256 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 256kbit | 90 ns | 闪光 | 32K x 8 | 平行线 | 10ms | |||
![]() | S29GL01GS10DHA023 | 16.2400 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | 70V639S12PRFI8 | - | ![]() | 5981 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v639 | sram-双端口,异步 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2.25mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 18 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | AT49BV001NT-90TC | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT49BV001 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT49BV001NT90TC | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 1Mbit | 90 ns | 闪光 | 128K x 8 | 平行线 | 50µs | ||
![]() | 71V3558S133PFGI | 10.8383 | ![]() | 3484 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | S25FL256SDSMFB010 | 10.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 80 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
![]() | CYD18S18V18-200BBAXC | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD18S18 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.3 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | NDS76PBA-16IT TR | 2.1688 | ![]() | 4532 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS76PBA-16Ittr | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | 7134SA70L48B | - | ![]() | 2329 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LCC | 7134SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 48-LCC (14.22x14.22) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 34 | 易挥发的 | 32kbit | 70 ns | SRAM | 4K x 8 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | 71V30S35TFI | - | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 71v30 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP(10x10) | - | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0041 | 160 | 易挥发的 | 8kbit | 35 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | DS2431P-A1+ | 3.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 6-SMD,J-Lead | DS2431 | EEPROM | - | 6-TSOC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 非易失性 | 1kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 4 | 1-Wire® | - | |||
![]() | IS42S16160B-6TLI | - | ![]() | 4047 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | MT46V32M8P-6T IT:G | - | ![]() | 5382 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | CAT24C32C5ATR | 0.5190 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 5-XFBGA,WLCSP | CAT24C32 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 5-wlcsp(1.34x0.91) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 32kbit | 400 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | ||
IS62WV25616EALL-55TLI | 4.4684 | ![]() | 9715 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV25616 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | AT25640-10PC-1.8 | - | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | AT25640 | EEPROM | 1.8v〜3.6V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT2564010PC1.8 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 3 MHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | ||
![]() | CY27C010-200WMB | 26.6000 | ![]() | 973 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | CY27C010 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-Cerdip | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 200 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | DE28F800F3T115 | 4.0000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 英特尔 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 56 SOP | 闪光灯 -引导块 | 3v〜3.6V | 56-SSOP | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 700 | 非易失性 | 8mbit | 115 ns | 闪光 | 512k x 16 | cui | 200µs |
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