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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
W25Q80BVWA Winbond Electronics W25Q80BVWA -
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ECAD 6234 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) - - W25Q80 闪光灯 -也不 2.5V〜3.6V - - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q80BVWA 过时的 1 104 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
CG7435AF Cypress Semiconductor Corp CG7435AF -
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ECAD 3434 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1
CY15B108QSN-108BKXIT Infineon Technologies CY15B108QSN-108BKXIT 32.2259
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ECAD 4003 0.00000000 Infineon技术 Excelon™-ULTRA,F-RAM™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA fram (铁电 ram) 1.8v〜3.6V 24-fbga(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2,000 108 MHz 非易失性 8mbit 6.7 ns 框架 1m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
70V27S25PF8 Renesas Electronics America Inc 70V27S25PF8 -
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ECAD 3182 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 70v27 sram-双端口,异步 3v〜3.6V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 750 易挥发的 512kbit 25 ns SRAM 32k x 16 平行线 25ns
N24C08UDTG onsemi N24C08UDTG 0.2700
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ECAD 219 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-N24C08UDTG-488 1
IS43LD32128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18Bli 12.2129
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ECAD 6850 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LD32128B-18BLI 171 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
GVT71256G18T-5T Cypress Semiconductor Corp GVT71256G18T-5T -
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ECAD 5902 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-单端口,异步,标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP(14x20) - Rohs不合规 供应商不确定 2156-GVT71256G18T-5T-428 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
X28C512JIZ-12 Renesas Electronics America Inc X28C512JIZ-12 -
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ECAD 2538 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) X28C512 EEPROM 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.43x13.97) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 30 非易失性 512kbit 120 ns EEPROM 64k x 8 平行线 10ms
5962-9166203MYA Renesas Electronics America Inc 5962-9166203MYA -
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ECAD 9614 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TA) 表面安装 84-flatpack 5962-9166203 sram-双端口,同步 4.5V〜5.5V 84-fpack 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 800-5962-9166203MYA 6 易挥发的 64kbit 55 ns SRAM 4K x 16 平行线 55ns
W25N02KWTBIU TR Winbond Electronics W25N02KWTBIU TR 4.1753
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ECAD 3687 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 256-W25N02KWTBIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 8 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
IS61VF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I -
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ECAD 1423 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
CY14B512J2-SXIT Infineon Technologies CY14B512J2-SXIT -
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ECAD 7221 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CY14B512 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 2,500 3.4 MHz 非易失性 512kbit NVSRAM 64k x 8 i²c -
THGAMRG7T13BAIL Kioxia America, Inc. thgamrg7t13bail -
RFQ
ECAD 2231 0.00000000 美国济欧克美国公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA thgamrg7 闪存-NAND - 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 152 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 EMMC -
STK17T88-RF25I Simtek STK17T88-RF25I 15.4100
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ECAD 105 0.00000000 Simtek - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) STK17T88 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 48-SSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 非易失性 256kbit 25 ns NVSRAM 32K x 8 平行线 25ns
S25FL512SAGBHEC10 Infineon Technologies S25FL512SAGBHEC10 52.9025
RFQ
ECAD 3541 0.00000000 Infineon技术 fl-s 托盘 积极的 -55°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA S25FL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-bga(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,380 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
IS64WV51216BLL-10MA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MA3-TR -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV51216 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
57Y4427-C ProLabs 57Y4427-C 62.5000
RFQ
ECAD 5132 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-57Y4427-C Ear99 8473.30.5100 1
CAT28LV256GI25 onsemi CAT28LV256GI25 -
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ECAD 9313 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) CAT28LV256 EEPROM 3v〜3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 32 非易失性 256kbit 250 ns EEPROM 32K x 8 平行线 10ms
AT49SV322D-80CU Microchip Technology AT49SV322D-80CU -
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 48-VFBGA,CSPBGA AT49SV322 闪光 1.65V〜1.95V 48-CBGA(7x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 276 非易失性 32Mbit 80 ns 闪光 2m x 16 平行线 70NS
SM671PXDLBFST Silicon Motion, Inc. SM671PXDLBFST 46.1000
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 硅运动,Inc。 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 1984-SM671PXDLBFST 1
CY7C199C-20ZI Cypress Semiconductor Corp CY7C199C-20ZI -
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) CY7C199 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.32.0041 234 易挥发的 256kbit 20 ns SRAM 32K x 8 平行线 20NS 未行业行业经验证
CY7C1480V25-200BZC Infineon Technologies CY7C1480V25-200BZC -
RFQ
ECAD 4752 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1480 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-fbga(15x17) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 -CY7C1480V25 3A991B2A 8542.32.0041 105 200 MHz 易挥发的 72Mbit 3 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
W97AH6NBVA2E Winbond Electronics W97AH6NBVA2E 4.4852
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA W97AH6 sdram- lpddr2 -s4b 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-vfbga(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W97AH6NBVA2E Ear99 8542.32.0032 168 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 64m x 16 HSUL_12 15ns
CAT25128LI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT25128LI-G 0.4300
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 催化剂半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) CAT25128 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0051 50 20 MHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 spi 5ms
7140LA25PFG Renesas Electronics America Inc 7140LA25PFG 19.9398
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 64-LQFP 7140LA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 64-TQFP (14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 45 易挥发的 8kbit 25 ns SRAM 1k x 8 平行线 25ns
M30042040108X0ISAR Renesas Electronics America Inc M30042040108x0isar 11.6399
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M30042040108 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 800-M30042040108X0ISARTR Ear99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 非易失性 4Mbit 内存 1m x 4 spi -
IDT71V35761YSA200BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761YSA200BQ8 -
RFQ
ECAD 2609 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IDT71V35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V35761YSA200BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR 53.7600
RFQ
ECAD 4891 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC128GBCAQTC-AATESTR 2,000
71321LA55JI IDT, Integrated Device Technology Inc 71321LA55JI 6.9100
RFQ
ECAD 493 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) 71321LA sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) - Rohs不合规 不适用 供应商不确定 2832-71321LA55JI 3A991A2 8542.32.0041 37 易挥发的 16kbit 55 ns SRAM 2k x 8 平行线 55ns
C-2666D4SR8N/8G ProLabs C-2666D4SR8N/8G 54.5000
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-2666D4SR8N/8G Ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库