电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25Q80BVWA | - | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | - | - | W25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.5V〜3.6V | - | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q80BVWA | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,3ms | ||||
![]() | CG7435AF | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY15B108QSN-108BKXIT | 32.2259 | ![]() | 4003 | 0.00000000 | Infineon技术 | Excelon™-ULTRA,F-RAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 24-fbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2,000 | 108 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6.7 ns | 框架 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||
![]() | 70V27S25PF8 | - | ![]() | 3182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v27 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | N24C08UDTG | 0.2700 | ![]() | 219 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-N24C08UDTG-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128B-18Bli | 12.2129 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD32128B-18BLI | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||
![]() | GVT71256G18T-5T | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-单端口,异步,标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-GVT71256G18T-5T-428 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||||
X28C512JIZ-12 | - | ![]() | 2538 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | X28C512 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 30 | 非易失性 | 512kbit | 120 ns | EEPROM | 64k x 8 | 平行线 | 10ms | |||||
![]() | 5962-9166203MYA | - | ![]() | 9614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 84-flatpack | 5962-9166203 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 84-fpack | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 800-5962-9166203MYA | 6 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | W25N02KWTBIU TR | 4.1753 | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W25N02KWTBIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 8 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | CY14B512J2-SXIT | - | ![]() | 7221 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14B512 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 3.4 MHz | 非易失性 | 512kbit | NVSRAM | 64k x 8 | i²c | - | ||||
thgamrg7t13bail | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | 美国济欧克美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-WFBGA | thgamrg7 | 闪存-NAND | - | 153-WFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | STK17T88-RF25I | 15.4100 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Simtek | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | STK17T88 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
S25FL512SAGBHEC10 | 52.9025 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||
![]() | IS64WV51216BLL-10MA3-TR | - | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64WV51216 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | 57Y4427-C | 62.5000 | ![]() | 5132 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-57Y4427-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
CAT28LV256GI25 | - | ![]() | 9313 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | CAT28LV256 | EEPROM | 3v〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 非易失性 | 256kbit | 250 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 10ms | ||||||
![]() | AT49SV322D-80CU | - | ![]() | 3300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA,CSPBGA | AT49SV322 | 闪光 | 1.65V〜1.95V | 48-CBGA(7x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 276 | 非易失性 | 32Mbit | 80 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | SM671PXDLBFST | 46.1000 | ![]() | 7735 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 1984-SM671PXDLBFST | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199C-20ZI | - | ![]() | 1600 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1480V25-200BZC | - | ![]() | 4752 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1480 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | -CY7C1480V25 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | W97AH6NBVA2E | 4.4852 | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | W97AH6 | sdram- lpddr2 -s4b | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-vfbga(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W97AH6NBVA2E | Ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | CAT25128LI-G | 0.4300 | ![]() | 8877 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | CAT25128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | 7140LA25PFG | 19.9398 | ![]() | 2894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7140LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 8kbit | 25 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | M30042040108x0isar | 11.6399 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M30042040108 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 800-M30042040108X0ISARTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 内存 | 1m x 4 | spi | - | ||||
![]() | IDT71V35761YSA200BQ8 | - | ![]() | 2609 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V35761YSA200BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR | 53.7600 | ![]() | 4891 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MTFC128GBCAQTC-AATESTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 71321LA55JI | 6.9100 | ![]() | 493 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 71321LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-71321LA55JI | 3A991A2 | 8542.32.0041 | 37 | 易挥发的 | 16kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | C-2666D4SR8N/8G | 54.5000 | ![]() | 9271 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-2666D4SR8N/8G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库