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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | gd9fu1g8f2dmgi | 2.3296 | ![]() | 1747年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU1G8F2DMGI | 960 | 非易失性 | 1Gbit | 9 ns | 闪光 | 128m x 8 | onfi | 12ns,600µs | |||||||||
![]() | AS7C31026B-20TIN | 4.5800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS7C31026B-20TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:c tr | 58.2150 | ![]() | 4412 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 556-TFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | rohs3符合条件 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 768m x 64 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | CY7C1354C-166BGC | 10.8800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1354 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 28 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | S25FL164K0XMFA011 | - | ![]() | 1900 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL164K0XMFA011 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S70KL0BGT00FHCR00 | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S10TFB023 | 4.8311 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,GL-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1,000 | 非易失性 | 128mbit | 100 ns | 闪光 | 16m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | CY62256VL-70SNC | 1.8900 | ![]() | 256 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY62128BNLL-70ZXA | 1.2400 | ![]() | 589 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 243 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | W97BH6MBVA2E TR | 5.6100 | ![]() | 1638年 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | W97BH6 | sdram- lpddr2 -s4b | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-vfbga(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W97BH6MBVA2ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:a | - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | AS4C512M16D3LA-10BANTR | 26.0015 | ![]() | 3042 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.275V〜1.425V | 96-FBGA(13.5x9) | 下载 | 3(168)) | 1450-AS4C512M16D3LA-10BANTR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | IS43LR32320C-6BLI | 8.7116 | ![]() | 9083 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR32320C-6BLI | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | AT25SF128A-CCUB-T | 1.7100 | ![]() | 535 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | AT25SF128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | ||||
![]() | S29JL064J70TFA000 | 6.1622 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Infineon技术 | JL-J | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 96 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | CFI | ||||||||||
![]() | W25N02JWSFIF TR | 4.9664 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25N02 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N02JWSFIFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 6 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 700µs | ||
![]() | W25N512GVFIG TR | 1.9694 | ![]() | 7270 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25N512 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N512GVFIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 6 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||
![]() | IDT71T75602S133PF | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71T75 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71T75602S133PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | S25FL128SAGNFA003 | 5.1500 | ![]() | 3311 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | CY62167DV30LL-55ZXIT | 25.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62167 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G TR: | - | ![]() | 6469 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:GTR | 过时的 | 2,000 | ||||||||||||||||
![]() | MT53E1536M32D4DE-046 WT:b | 36.0000 | ![]() | 4958 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT:b | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1.5GX 32 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | CG6306BF | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CG9023AT | 33.0400 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 105 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S26HS02GTFPBHB040 | 48.4050 | ![]() | 5229 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 24-fbga(8x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 166 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 超肥 | - | |||||||
![]() | 24c16/sl | 2.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24c16 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 非易失性 | 16kbit | 3.5 µs | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 1ms | |||
93AA86B-i/st | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 93AA86 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 1k x 16 | 微线 | 5ms | |||||
![]() | 24AA16T-E/SN | 0.4389 | ![]() | 3113 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24AA16 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | 经过验证 | ||
![]() | MT29F8T08EULCHD5-QJ:c tr | 167.8050 | ![]() | 9500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-QJ:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
M27C2001-10F6 | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 32-CDIP (0.600“,15.24毫米) | M27C2001 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-cdip板条密封与窗户 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 8542.32.0061 | 12 | 非易失性 | 2Mbit | 100 ns | EPROM | 256K x 8 | 平行线 | - |
每日平均RFQ量
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