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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S70FL01GSDSMFV010	15.2600	RFQ	1966年	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S70FL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	80 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
IS43DR16128C-25DBL-TR	6.2016	RFQ	5623	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16128C-25DBL-TR			2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
3TQ35AT-C	28.0000	RFQ	4765	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-3TQ35AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT41K256M8DA-125：k	5.3700	RFQ	29	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
M95M01-DFMN6TP	1.8500	RFQ	5272	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95M01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	16 MHz	非易失性	1Mbit		EEPROM	128K x 8	spi	5ms
MX25L12833FMI-10G	2.5900	RFQ	23	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MX25L12833	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1229	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，1.2ms
S25FL164K0XBHIS20	0.8300	RFQ	1016	跨度	fl1-k	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	不适用				3A991B1A	0000.00.0000	338	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
CG8233AA	-	RFQ	3168	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1
C-2400D4DR4RN/16G-TAA	453.2500	RFQ	3322	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4DR4RN/16G-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1474V25-200BGC	184.8000	RFQ	8408	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	CY7C1474	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-
71V124SA15PHG8	-	RFQ	9505	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
CG8662AA	-	RFQ	2042	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
SST26VF080A-80E/SN	1.5600	RFQ	225	微芯片技术	SST26SQI®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SST26VF080	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	150-SST26VF080A-80E/SN	3A991B1A	8542.32.0071	100	80 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
712382-071-C	50.0000	RFQ	4136	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-712382-071-C	Ear99	8473.30.5100	1
C-160D3SL/2G	17.5000	RFQ	9902	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-160D3SL/2G	Ear99	8473.30.5100	1
W29N01HVBINA TR	3.1144	RFQ	9573	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	W29N01	Flash -nand（slc）	1.65V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W29N01HVBINATR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3ms
SM662PXF BESS	175.2700	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662PXFBESS	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	-		闪光		EMMC	-
CG8312AA	-	RFQ	7512	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	90
mtfc128gasaqjp-ait	51.9900	RFQ	4865	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,520	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC	-
IS42S16320B-75ETL-TR	-	RFQ	7257	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
AT49SV322DT-80TU	-	RFQ	5795	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	AT49SV322	闪光	1.65V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	80 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
PX977AT-C	17.5000	RFQ	1281	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-PX977AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1345G-100AXCT	7.3325	RFQ	2456	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1345	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
70V25S35J8	-	RFQ	4876	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	70v25s	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	8k x 16	平行线	35ns
W631GU8NB-15	3.2150	RFQ	3198	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU8NB-15	Ear99	8542.32.0032	242	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MX25LM25645GXDI00	4.7900	RFQ	5298	大元	Octabus™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-cspbga（6x8）	-		3（168））		1092-MX25LM25645GXDI00	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	256Mbit	5.5 ns	闪光	32m x8，256m x 1	spi -octal I/o	750µs
W25Q128FWSAQ	-	RFQ	9350	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q128	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128FWSAQ	过时的		1	104 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
MX29LV800CBXGI-70G	-	RFQ	2094	大元	MX29LV	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA，CSPBGA	MX29LV800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA，CSP （6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1m x 8	平行线	70NS
S25FL128SAGBHV300	2.8200	RFQ	257	NXP半导体	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL128SAGBHV300			107
IS61LPD51236A-250B3LI	20.9750	RFQ	2754	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²