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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
A1837303-C	106.2500	RFQ	9915	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1837303-C	Ear99	8473.30.5100	1
7025S35PFGI8	-	RFQ	1293	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7025S35PFGI8	过时的		1
S26361-F3934-E512-C	166.2500	RFQ	4668	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3934-E512-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F1T208EGHBBG1-3R：b tr	-	RFQ	2933	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-VFBGA	MT29F1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	272-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：a	38.9700	RFQ	7895	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
CY14B101K-SP25XC	-	RFQ	4326	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns
S29PL032J70BFID20E	-	RFQ	2595	Infineon技术	*	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	338
CY7C1361S-133AXC	9.5600	RFQ	279	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1361	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	不适用				3A991B2A		32	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
MT29F8T08EULCHD5-QJ：c tr	167.8050	RFQ	9500	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EULCHD5-QJ：CTR			2,000
IDT71024S12TYI	-	RFQ	2679	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71024S12TYI	3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
CY7C1462KV25-250BZXC	-	RFQ	5418	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1462	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-CY7C1462KV25-250BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
MT62F3G32D8DV-023 AAT：b tr	94.8300	RFQ	1764年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
71V25761S166PFG	7.5947	RFQ	7656	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
M27C2001-10F6	-	RFQ	1249	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32-CDIP （0.600“，15.24毫米）	M27C2001	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	32-cdip板条密封与窗户	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	8542.32.0061	12		非易失性	2Mbit	100 ns	EPROM	256K x 8	平行线	-
SST39VF802C-70-4C-B3KE	1.8400	RFQ	13	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF802	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF802C704CB3KE	Ear99	8542.33.0001	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	10µs
7005L20PFI	-	RFQ	4560	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
NDS76PBA-16AT TR	2.6055	RFQ	8897	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS76PBA-16ATTR			2,500
CY7C1371KVE33-100AXI	28.9000	RFQ	57	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1371	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CY7C1371KVE33-100AXI			11	100 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
JS28F640J3F75D TR	-	RFQ	2039	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F640J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	64mbit	75 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	75ns
AT28C256F-15SU-T	12.4950	RFQ	4526	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000		非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	3ms
CY7C2562XV18-366BZXC	215.1200	RFQ	94	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2562	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	366 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
W25N01GWZEIG TR	2.8012	RFQ	7608	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01GWZEIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,000	104 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IS45S16400J-6BLA1	4.2265	RFQ	7164	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
CY7C1021V33-15BAI	5.1400	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	48-FBGA（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
SST39VF800A-70-4I-B3KE	1.9700	RFQ	3	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF800	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF800A704IB3KE	Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	20µs
BR24G08F-3GTE2	0.2400	RFQ	92	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR24G08	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
GS88036CGT-300I	25.2292	RFQ	6852	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	GS88036	sram-同步，标准	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	100-TQFP（20x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS88036CGT-300I	3A991B2B	8542.32.0041	36	300 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	256K x 36	平行线	-
M59DR032EA10ZB6	-	RFQ	1663年	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	M59DR032	闪光灯 -也不	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（7x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,638		非易失性	32Mbit	100 ns	闪光	2m x 16	平行线	100ns
CY7C1021CV33-8VXC	-	RFQ	6616	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	850		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	64k x 16	平行线	8ns
S71VS256RD0AHKC00	-	RFQ	8912	Infineon技术	vs-r	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S71VS256	闪光灯，psram	1.7V〜1.95V	56-VFRBGA（7.7x6.2）	-		3（168））	到达不受影响		过时的		1	108 MHz	非易失性，挥发性	256mbit（flash），128mbit（RAM）		闪光，ram	-	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²