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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
7164L45TPGI	-	RFQ	3735	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L45TPGI			1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
CY7C1515KV18-333BZXC	190.9250	RFQ	9291	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1515KV18-333BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	1,360	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
6116SA25SOG	5.2200	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
CG7703AA	90.3980	RFQ	8463	Infineon技术	-	托盘	积极的				CG7703				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-CG7703Aainactive	3A991B2A	8542.32.0041	272
TC58NVG1S3HBAI4	-	RFQ	7572	美国济欧克美国公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	TC58NVG1	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-TFBGA（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	TC58NVG1S3HBAI4JDH	3A991A2	8542.32.0071	210		非易失性	2Gbit	25 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
NDS73PBE-20ET TR	3.2952	RFQ	9457	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PBE-20ETTR			2,000
IS49NLS93200-25BLI	-	RFQ	9531	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
7142LA100C	-	RFQ	9885	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7142LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	8		易挥发的	16kbit	100 ns	SRAM	2k x 8	平行线	100ns
70V38L20PF8	-	RFQ	5760	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70V38L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750		易挥发的	1.125Mbit	20 ns	SRAM	64k x 18	平行线	20NS
N25Q064A13EV140	-	RFQ	5342	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT41J512M4HX-15E：d	-	RFQ	1944年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J512M4	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 4	平行线	-
24AA02H-i/s16k	-	RFQ	9326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA02	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT49H32M18FM-25E：b	-	RFQ	7465	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
AT27BV256-70TI	-	RFQ	5781	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT27BV256	EPROM -OTP	2.7V〜3.6V，4.5V〜5.5V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT27BV25670TI	Ear99	8542.32.0061	234		非易失性	256kbit	70 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
M95128-DFMC6TG	0.7500	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M95128	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
MT53E1G64D4HJ-046 AAT：c tr	56.5050	RFQ	1283	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	下载				557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT53E256M16D1FW-046 wt：b tr	7.4850	RFQ	5256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
24AA1026-i/p	4.5300	RFQ	3446	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24AA1026	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24AA1026IP	Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	1Mbit	900 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
GD25LB512MEYIGR	4.6509	RFQ	1068	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25LB512Meyigrtr			3,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
IS43DR16640A-3DBL	-	RFQ	8828	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-twbga（8x13.65）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43R86400F-5TL-Tr	3.2532	RFQ	7255	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R86400F-5TL-Tr			1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	sstl_2	15ns
MT29F6T08ETCBBM5-37ES：b tr	-	RFQ	5873	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F6T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	6Tbit		闪光	768g x 8	平行线	-
IS25WE256E-RMLE-TR	4.2125	RFQ	6322	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WE256E-RMLE-TR			1,000	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
AT27C800-12PC	-	RFQ	1317	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	42 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT27C800	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	42-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0061	8		非易失性	8mbit	120 ns	EPROM	1M x 8，512k x 16	平行线	-
7014S20J8	-	RFQ	6541	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7014S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	36kbit	20 ns	SRAM	4K x 9	平行线	20NS
M25PE40-VMN6P	-	RFQ	5980	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25PE40	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，3ms
S99ML02G10040	-	RFQ	4271	Skyhigh Memory Limited	-	大部分	在sic中停产				S99ML02				-		供应商不确定		2120-S99ML02G10040		0000.00.0000	1,000									未行业行业经验证
P770024CFYC000	-	RFQ	5308	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		500
IDT71V3556S133BQG	-	RFQ	9711	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3556S133BQG	3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
RMLV0408EGSA-4S2 ＃AA1	12.4500	RFQ	126	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	RMLV0408	SRAM	2.7V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²