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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S34SL02G200BHV003	-	RFQ	8674	赛普拉斯半导体公司	SL-2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	S34SL02	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-BGA（11x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		非易失性	2Gbit	25 ns	闪光	256m x 8	平行线	-
FM21LD16-60-BG	-	RFQ	6044	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	FM21LD16	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	2Mbit	110 ns	框架	128K x 16	平行线	110NS	未行业行业经验证
CY62128BNLL-70ZXAT	-	RFQ	9545	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
W25Q41EWXHSE	-	RFQ	9175	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫	W25Q41	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-xson（2x3）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q41EWXHSE			1	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
41x1081-C	17.5000	RFQ	7181	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-41X1081-C	Ear99	8473.30.5100	1
IDT71V65802S133BQI8	-	RFQ	2271	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V65802	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65802S133BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MX25L3233FZNI-08Q	0.8900	RFQ	3	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25L3233	闪光灯 -也不	2.65v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	Spi -Quad I/O。	50µs，1.2ms
BR24G32FVJ-3GTE2	0.3700	RFQ	90	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR24G32	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
71016S20YG8	-	RFQ	9282	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR	-	RFQ	3143	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	下载				557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR	过时的		2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
709269S9PF8	-	RFQ	3911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709269	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	9 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-
7164L45TPGI	-	RFQ	3735	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L45TPGI			1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
CY7C1515KV18-333BZXC	190.9250	RFQ	9291	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1515KV18-333BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	1,360	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
6116SA25SOG	5.2200	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
CG7703AA	90.3980	RFQ	8463	Infineon技术	-	托盘	积极的				CG7703				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-CG7703Aainactive	3A991B2A	8542.32.0041	272
TC58NVG1S3HBAI4	-	RFQ	7572	美国济欧克美国公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	TC58NVG1	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-TFBGA（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	TC58NVG1S3HBAI4JDH	3A991A2	8542.32.0071	210		非易失性	2Gbit	25 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
NDS73PBE-20ET TR	3.2952	RFQ	9457	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PBE-20ETTR			2,000
IS49NLS93200-25BLI	-	RFQ	9531	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
70V38L20PF8	-	RFQ	5760	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70V38L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750		易挥发的	1.125Mbit	20 ns	SRAM	64k x 18	平行线	20NS
N25Q064A13EV140	-	RFQ	5342	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT41J512M4HX-15E：d	-	RFQ	1944年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J512M4	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 4	平行线	-
24AA02H-i/s16k	-	RFQ	9326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA02	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT49H32M18FM-25E：b	-	RFQ	7465	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
AT27BV256-70TI	-	RFQ	5781	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT27BV256	EPROM -OTP	2.7V〜3.6V，4.5V〜5.5V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT27BV25670TI	Ear99	8542.32.0061	234		非易失性	256kbit	70 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
M95128-DFMC6TG	0.7500	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M95128	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
MT53E1G64D4HJ-046 AAT：c tr	56.5050	RFQ	1283	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	下载				557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT53E256M16D1FW-046 wt：b tr	7.4850	RFQ	5256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
24AA1026-i/p	4.5300	RFQ	3446	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24AA1026	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24AA1026IP	Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	1Mbit	900 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
GD25LB512MEYIGR	4.6509	RFQ	1068	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25LB512Meyigrtr			3,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
IS43DR16640A-3DBL	-	RFQ	8828	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-twbga（8x13.65）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²