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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29F512G08EBHAFJ4-3T：a	-	RFQ	7053	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
S25HL01GTFABHI033	15.4000	RFQ	8259	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-fbga（8x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
STK14D88-RF35I	11.6800	RFQ	136	Simtek	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14D88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
W25Q128FVBAG	-	RFQ	9748	Winbond电子产品	*	管子	过时的		表面安装	24-TBGA	W25Q128			24-tfbga（6x8）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128FVBAG	过时的		1
MT53D4DDSB-DC	-	RFQ	1852年	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	1,190
S25FL032P0XNFI001M	-	RFQ	8176	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
CY7C1424TV18-250BZC	67.2400	RFQ	554	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1424	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
NDS38PT5-16IT TR	2.7110	RFQ	1907年	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-16Ittr			1,000
GD5F4GQ6UEYIGY	6.6500	RFQ	4052	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F4GQ6UEYIGY			4,800	104 MHz	非易失性	4Gbit	9 ns	闪光	512m x 8	Spi -Quad I/O。	600µs
IS61LF102418A-6.5B3I-Tr	-	RFQ	6418	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
24AA52T-i/mny	0.5100	RFQ	5353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	24AA52	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MX25U1635EZUI-10G	1.0600	RFQ	4	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25U1635	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-uson （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
STK17TA8-RF45TR	-	RFQ	1095	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
UPD44324365BF5-E40-FQ1	57.0300	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	UPD44324365	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	4NS
CY7C4142KV13-933FCXI	683.3400	RFQ	20	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	361-BBGA，FCBGA	CY7C4142	sram-同步，qdri iv	1.26V〜1.34V	361-FCBGA（21x21）	下载	rohs3符合条件			2832-CY7C4142KV13-933FCXI			60	933 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
M24M01-RMN6P	1.7900	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M24M01	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	1Mbit	500 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
CY7C1325G-100AXC	5.8300	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1325	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	-	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	52	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-	未行业行业经验证
MT40A256M16LY-062E IT：f	9.1650	RFQ	6273	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A256M16LY-062EIT：f	Ear99	8542.32.0036	1,080	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
CY7C1420JV18-250BZI	-	RFQ	7113	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
SST25WF010-40-5I-QAF	-	RFQ	4566	微芯片技术	SST25	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST25WF010	闪光	1.65V〜1.95V	8-wson	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SST25WF010405IQAF	Ear99	8542.32.0051	98	40 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	60µs
MB85RS128APNF-G-JNE1	-	RFQ	5939	Kaga Fei America，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RS128	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	865-1176	Ear99	8542.32.0071	500	25 MHz	非易失性	128kbit		框架	16k x 8	spi	-
W25N04KWTBIR TR	6.1856	RFQ	2359	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		256-W25N04KWTBIRTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	4Gbit	8 ns	闪光	512m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR	29.4000	RFQ	9810	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC64GBCAQDQ-AATESTR			1,500
7133LA25GB	-	RFQ	3591	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7133LA25GB	过时的		1
CAV24C512HU5EGT3-TE	1.0604	RFQ	3969	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAV24C512	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-udfn （3x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-CAV24C512HU5EGT3-TETR			3,000	1 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
CY7C0852AV-133AXC	113.3400	RFQ	199	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	176-LQFP	CY7C0852	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	176-TQFP（24x24）	-	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit		SRAM	128K x 36	平行线	-
24LC04BT-E/SN16KVAO	-	RFQ	8344	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC04B	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
SM671PAE-BFSS	88.9000	RFQ	3884	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	大部分	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	153-TBGA		Flash -nand（slc）	-	153-BGA（11.5x13）	下载				1984-SM671PAE-BFSS			1		非易失性	640Gbit		闪光	80g x 8	UFS2.1	-
CY62128DV30LL-70SXI	4.4800	RFQ	601	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62128	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	67		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS	未行业行业经验证
GD25LT256EY2GY	4.7723	RFQ	2063	gigadevice 半导体（香）	GD25LT	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25LT256EY2GY			4,800	200 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	140µs，2ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²