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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SFT1345-H	-	RFQ	5290	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT134		MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道		100 v	11a（11a）	4V，10V	275MOHM @ 5.5A，10V	-	21 NC @ 10 V	±20V	1020 pf @ 20 V	-	1W（TA），35W（tc）（TC）
FDS4672A	-	RFQ	6057	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4672		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	11a（11a）	4.5V	13mohm @ 11a，4.5V	2V @ 250µA	49 NC @ 4.5 V	±12V	4766 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
C3M0060065J-Tr	10.3980	RFQ	9391	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0060065		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-263-7	-				1697-C3M0060065J-Tr			800	n通道		650 v	36a（TC）	15V	79mohm @ 13.2a，15v	3.6V @ 5mA	46 NC @ 15 V	+15V，-4V	1020 PF @ 600 V		136W（TC）
PJE8472B_R1_00001	0.0987	RFQ	8566	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	PJE8472		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJE8472B_R1_00001TR	Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道		60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	3ohm @ 600mA，10v	2.5V @ 250µA	0.82 NC @ 4.5 V	±30V	34 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
HUF75631S3ST	4.2400	RFQ	464	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-HUF75631S3STTR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
JANSF2N3057A	127.0302	RFQ	9453	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆	TO-46	-			到达不受影响	150-JANSF2N3057A			1															80 V	1 a						10NA	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IPC70N04S54R6ATMA1	1.1000	RFQ	4360	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC70N04		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		40 V	70A（TC）	7V，10V	4.6mohm @ 35a，10v	3.4V @ 17µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SB1136R	0.7800	RFQ	4	Sanyo	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				2 w	TO-220毫升	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1															50 V	12 a						100µA（ICBO）	PNP	400mv @ 600mA，6a	100 @ 1A，2V	10MHz
BCX19,235	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1															45 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDMA507PZ	1.1200	RFQ	9614	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA507		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		20 v	7.8A（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 7.8a，5v	1.5V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±8V	2015 PF @ 10 V	-	2.4W（TA）
G33N03S	0.4000	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		30 V	13A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 8a，10v	1.1V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
SQJ409EP-T2_GE3	1.4900	RFQ	7432	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ409EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		40 V	60a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	68W（TC）
irfr014trlpbf-be3	1.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr014trlpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		60 V	7.7A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
AUIRFSL4115	2.4500	RFQ	6882	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
TSM035NB04LCZ	1.6825	RFQ	7136	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM035NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		40 V	18A（18A），157A（tc）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6350 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
JDX5012	0.6400	RFQ	22	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NTHL185N60S5H	3.3784	RFQ	4176	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	15A（TC）	10V	185MOHM @ 7.5A，10V	4.3V @ 1.4mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	116W（TC）
IPB013N06NF2SATMA1	3.9600	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB013		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		60 V	40a（40a），198a（198a）TC）	6V，10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 246µA	305 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 30 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IRFS7540pbf	-	RFQ	3973	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SQ2310ES-T1_BE3	0.9000	RFQ	37	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SQ2310ES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
IXFX360N10T	13.8500	RFQ	7057	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	360a（TC）	10V	2.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 3mA	525 NC @ 10 V	±20V	33000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
NVMFS5C646NLWFT3G	-	RFQ	7290	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
IQE013N04LM6SCATMA1	3.1000	RFQ	5893	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-WHSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道		40 V	31a（TA），205a（tc）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
PMZ390UN，315	0.4900	RFQ	144	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	PMZ390		MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道		30 V	1.78A（TC）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
HUF764233	-	RFQ	1419	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
IRFC9034NB	-	RFQ	5000	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9034NB	过时的		1	-		55 v	19a	10V	100mohm @ 19a，10v	-		-		-	-
NTTFS015P03P8ZTWG	0.8000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS015		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道		30 V	13.4A（TA），47.6A （TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	62.3 NC @ 10 V	±25V	2706 pf @ 15 V	-	2.66W（TA），33.8W（tc）
RE1E002SPTCL	0.3600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1E002		MOSFET （金属 o化物）		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
FQP2N60	0.9000	RFQ	84	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	64W（TC）
FGA90N3333333TU	-	RFQ	3895	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA90	标准		223 w	to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-											23 ns	沟	330 v	90 a	330 a	1.4V @ 15V，20A	-	95 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²