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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS4130QAZ	0.0970	RFQ	9718	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	3-XDFN暴露垫	PBSS4130				325兆	DFN1010D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																					30 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	245mv @ 50mA，1a	180 @ 1a，2v	190MHz
PBSS4160QAZ	0.3900	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	3-XDFN暴露垫	PBSS4160				1 w	DFN1010D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																					60 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	245mv @ 50mA，1a	85 @ 1A，2V	180MHz
PBSS5230QAZ	0.4200	RFQ	149	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	3-XDFN暴露垫					325兆	DFN1010D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																					30 V	2 a							100NA（ICBO）	PNP	210mv @ 50mA，1a	60 @ 2a，2v	170MHz
PMCXB900UEZ	0.4000	RFQ	165	Nexperia USA Inc.	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900			MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n和p通道互补							20V	600mA，500mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
PMDXB600Unez	0.4800	RFQ	51	Nexperia USA Inc.	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMDXB600			MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）							20V	600mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
PMXB120EPEZ	0.3800	RFQ	46	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	3-XDFN暴露垫	PMXB120			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道						30 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	120MOHM @ 2.4a，10V	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	309 pf @ 15 V	-	400MW（TA），8.3W（tc）
BC847C-13-F	0.2000	RFQ	364	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					45 v	100 ma							15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
ALD810023SCL	5.6500	RFQ	3	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD810023					16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1257-5	Ear99	8541.21.0095	50			80mA																											4 n通道
ALD810025SCL	5.6500	RFQ	820	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD810025					16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1259-5	Ear99	8541.21.0095	50			80mA																											4 n通道
ALD910027SAL	4.7014	RFQ	4008	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ALD910027					8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1267-5	Ear99	8541.21.0095	50			80mA																											2 n 通道（双）
ALD910028SAL	4.7014	RFQ	3317	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ALD910028					8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1268-5	Ear99	8541.21.0095	50			80mA																											2 n 通道（双）
MWT-A973	34.1600	RFQ	10	微波技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	5 v				SMD			500MHz〜18GHz	mesfet		73	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	500			120mA		30 ma	24.5dbm	6.5dB											1.8dB										3 V
rn4902fe（te85l，f）	-	RFQ	4313	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4902				100MW	ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA							100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
HN1C03F-B （TE85L，F）	0.1485	RFQ	6796	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	HN1C03				300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					20V	300mA							100NA（ICBO）	2 NPN （双）	100mv @ 3mA，30mA	350 @ 4mA，2V	30MHz
RN4902，LF（ct	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4902				200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA							500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
2SA1586-Y，LF	0.1800	RFQ	53	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1586				100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	150 ma							100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
2SC4738-gr，LF	0.2000	RFQ	13	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）		表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4738				100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	150 ma							100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
HN1A01F-y te85l，f）	-	RFQ	3952	东芝半导体和存储	-	（CT）	积极的		125°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	HN1A01				300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	150mA							100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
STD2N95K5	1.5700	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD2N95			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STD3N80K5	1.6000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3N80			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	2.5A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STF2N95K5	1.6800	RFQ	727	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF2N95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STF33N60M2	4.6400	RFQ	6158	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF33			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	26a（TC）	10V	125MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	45.5 NC @ 10 V	±25V	1781 PF @ 100 V	-	35W（TC）
STF5N60M2	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF5N60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STGP15H60DF	2.1700	RFQ	8067	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP15	标准			115 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，15a，10ohm，15V															103 ns	沟渠场停止	600 v	30 a	60 a	2V @ 15V，15a	（136µJ）（在），207µJ（OFF）	81 NC	24.5NS/118NS
STP15N95K5	4.8100	RFQ	9213	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP15			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	900 PF @ 100 V	-	170W（TC）
STP26NM60ND	-	RFQ	3877	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP26N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	21a（TC）	10V	175mohm @ 10.5a，10v	5V @ 250µA	54.6 NC @ 10 V	±25V	1817 PF @ 100 V	-	190w（TC）
STP28N60M2	3.3300	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP28			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±25V	1370 pf @ 100 V	-	170W（TC）
STP2N95K5	-	RFQ	5657	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP2N95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STP3N80K5	1.5700	RFQ	847	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP3N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	2.5A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STP5N60M2	1.5800	RFQ	47	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STP5N60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	4V @ 250µA	4.5 NC @ 10 V	±25V	165 pf @ 100 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²