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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSC5402DTTU-FS	1.0000	RFQ	4033	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					450 v	2 a									100µA				NPN	750mv @ 200mA，1a	6 @ 1a，1V	11MHz
BUK9506-40B，127	-	RFQ	5803	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	75A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	44 NC @ 5 V	±15V	4901 PF @ 25 V	-	203W（TC）
TK12A45D（sta4，Q，m）	2.2300	RFQ	1473	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A45			MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						450 v	12a（12a）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FF650R17IE4DB2BOSA1	597.4400	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF650R17				4150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																			-	1700 v			2.45V @ 15V，650a							5 ma	是的	54 NF @ 25 V
DDTC114EE-7-F	0.3500	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DDTC114				150兆		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma									500NA				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
IKZ75N65NH5XKSA1	-	RFQ	7297	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	ikz75n	标准			395 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，37.5A，27OHM，15V															59 ns	沟	650 v	90 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	（880µJ）（在520µJ上）	166 NC	52NS/412NS
FMB2227A	0.5400	RFQ	91	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMB2227				700MW		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					30V	500mA									30na（icbo）				NPN，PNP	1.4V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，10v	250MHz
JANTXV2N3771	291.2000	RFQ	1906年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/518	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					6 W		TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					40 V	5 ma									5mA				NPN	4V @ 6a，30a	15 @ 15a，4V	-
CSD18510KTTT	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18510			MOSFET （金属 o化物）			DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	274a（TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 15 V	-	250W（TA）
FP75R12N2T7B16BPSA1	179.6900	RFQ	8397	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	75 a		1.55V @ 15V，75a							14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
SMPJ304	-	RFQ	3938	交流	SMPJ304	条	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMPJ304	Ear99	8541.21.0095	1		n通道						30 V							3.5pf @ 15V														8 ma @ 15 V	3 V @ 1 na				180欧姆
LET9045F	-	RFQ	6637	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M250	LET9045		960MHz	ldmos			M250	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			9a		300 MA	59W	17.7dB											-										28 V
TPN2R503NC，L1Q	-	RFQ	1432	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R503			MOSFET （金属 o化物）			8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	40a（ta）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	700MW（TA），35W （TC）
FQP13N50C-G	1.1500	RFQ	2505	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	不适用	根据要求获得可用的信息	2832-FQP13N50C-G	Ear99	8541.29.0095	218		n通道						500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
FQB65N06TM	-	RFQ	1159	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB6			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	65A（TC）	10V	16mohm @ 32.5a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	2410 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
IXFE48N50QD2	-	RFQ	6417	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe48			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						500 v	41A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ULQ2804A	3.0300	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜105°C	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULQ2804				2.25W		18浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																					50V	500mA									-				8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
BUK6228-55C，118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1,268		n通道						55 v	31a（TC）	10V	29mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	20.2 NC @ 10 V	±16V	1340 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2SA1338-5-TB-E	0.3400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
APT42F50	11.1900	RFQ	1036	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT42F50			MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	42A（TC）	10V	130mohm @ 21a，10v	5V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	625W（TC）
AOD4102L	-	RFQ	5287	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD41			MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	8a（8a ta），19a （TC）	4.5V，10V	37mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V	432 PF @ 15 V	-	4.2W（21W），21W（（（（（（）
HUFA76619D3S	-	RFQ	5578	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
STD50NH02LT4	-	RFQ	3404	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD50N			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						24 V	50A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BC638,126	-	RFQ	8083	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63				830兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					60 V	1 a									100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	100MHz
FQL40N50	8.0400	RFQ	143	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	FQL40			MOSFET （金属 o化物）			TO-264-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						500 v	40a（TC）	10V	110mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
SPP15N65C3XKSA1	1.8100	RFQ	6	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	156W（TC）
BC869,135	0.1506	RFQ	5817	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BC869				1.2 w		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																					20 v	1 a									100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	140MHz
PJA3416A_R1_00001	0.3500	RFQ	24	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3416			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	5.8A（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 5.8A，4.5V	1.2V @ 250µA	10.4 NC @ 4.5 V	±12V	592 PF @ 10 V	-	1.25W（TA）
PBSS4041PT，215	0.4700	RFQ	910	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS4041				1.1 w		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																					60 V	2.7 a									100NA				PNP	360mv @ 300mA，3a	150 @ 1A，2V	150MHz
MRF7S18170HSR3	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF7		1.81GHz	ldmos			NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-		1.4 a	50W	17.5db											-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²