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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
MQ2N4857UB	80.7975	RFQ	1187	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				360兆w	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4857UB			1		n通道					40 V							18pf @ 10V							40 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA		40欧姆
2SC4075E	-	RFQ	8163	Sanyo	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC4075E-600057			1
BUK953R5-60E，127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	120a（ta）		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（ta）
Jankca2N5238	37.2533	RFQ	2010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w	TO-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA2N5238	Ear99	8541.29.0095	1																		170 v	10 a					10µA		NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 1A，5V	-
SSM6J507NU，LF	0.4600	RFQ	50	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J507		MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	10a（10a）	4V，10V	20mohm @ 4a，10v	2.2V @ 250µA	20.4 NC @ 4.5 V	+20V，-25V	1150 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
2SJ653	2.8500	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的					2SJ65		-			下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1															-
BCX52,115	0.0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX52					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
DTA114YCA-TP	0.0331	RFQ	9048	微商业公司	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114			200兆	SOT-23	下载				353-DTA114YCA-TP	Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	100 ma					500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms
BLF7G27LS-140,112	-	RFQ	2553	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF7G27	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			28a	1.3 a	30W	16.5db											-			28 V
PTFA070601FV4R250XTMA1	-	RFQ	8978	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA070601	760MHz	ldmos		H-37265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	600 MA	60W	19.5db											-			28 V
MRFE6S9205HSR5	-	RFQ	6531	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		表面安装	NI-880S	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	58W	21.2db											-			28 V
MRF7S19120NR1	-	RFQ	3931	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	TO-270AB	MRF7	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935322767528	Ear99	8541.29.0075	500			-	1.2 a	36W	18db											-			28 V
RJK0855DPB-00＃j5	1.2587	RFQ	5616	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0855		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	30a（TA）	10V	11mohm @ 15a，10v	-	35 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	60W（TC）
um6j1ntn	0.4800	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UM6J1		MOSFET （金属 o化物）	150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						30V	200mA		1.4OHM @ 200mA，10v	2.5V @ 1mA	-		30pf @ 10V	逻辑级别门
IRG7CH81K10EF	-	RFQ	9105	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRG7CH					下载		不适用	到达不受影响	SP001536220	过时的	0000.00.0000	1
ESM3030DV	-	RFQ	3949	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ESM3030			225 w	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10																		300 v	100 a					-		npn-达灵顿	1.5V @ 2.4a，85a	300 @ 85A，5V	-
PSMN6R1-40HLX	1.8800	RFQ	6199	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	PSMN6R1		MOSFET （金属 o化物）	64W（TA）	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）						40V	40a（ta）		6.1MOHM @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	22.2nc @ 5V		3000pf @ 25V	逻辑级别门
FF2000XTR17IE5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的										-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2
MMBT4401	0.0230	RFQ	6593	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MMBT4401TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																		40 V	600 MA					100NA（ICBO）		NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
ON5257215	0.1800	RFQ	96	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,664
2N2432AUB/TR	20.3850	RFQ	9926	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				360兆w	UB	-			到达不受影响	150-2N2432AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	100																		45 v	100 ma					10NA		NPN	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 1mA，5V	-
2SK3230C-T1-A	0.2400	RFQ	198	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
AUIRFSL8408	1.8100	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
MMRF1008GHR5	271.0700	RFQ	7256	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	100 v		底盘安装	NI-780GH-2L	MMRF1008	900MHz〜1.215GHz	ldmos		NI-780GH-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320879178	Ear99	8541.29.0075	50			100µA	100 ma	275W	20.3db											-			50 V
NTBV45N06T4G	-	RFQ	4834	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTBV45		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	45A（TA）		26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V		1725 PF @ 25 V	-	-
IPTG014N10NM5ATMA1	8.7200	RFQ	5658	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG014N		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					100 v	37A（ta），366a（tc）	6V，10V	1.4mohm @ 150a，10v	3.8V @ 280µA	211 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IRFR420TRPBF	-	RFQ	5226	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF3710LPBF	1.0000	RFQ	2914	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FDG330P	0.3400	RFQ	219	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					12 v	2A（TA）		110MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	477 PF @ 6 V	-	480MW（TA）
2SK3745L	-	RFQ	8319	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3745		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					1500 v	2A（TA）	10V	13ohm @ 1A，10V	-	37.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²