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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMP2541UCP9-7	0.2491	RFQ	5783	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-XFBGA，DSBGA	DMP2541		MOSFET （金属 o化物）		X2-DSN1515-9（B型）	-				31-DMP2541UCP9-7	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		25 v	3.8A（TA）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	-6V	566 pf @ 10 V	-	900MW（TA）
RX3G07CGNC16	2.4700	RFQ	602	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3G07		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3G07CGNC16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	70A（TC）		4.7MOHM @ 70A，10V	2.5V @ 500µA	32 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 20 V	-	78W（TC）
HUFA76439S3S	-	RFQ	6706	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W（TC）
TP2540N8-G	1.9400	RFQ	7120	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP2540		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		400 v	125mA（tj）	4.5V，10V	25ohm @ 100mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
AUIRG4BC30U-S	-	RFQ	5319	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	auirg4	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，23ohm，15V											-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	75 NC	17NS/78NS
SSF2215	0.4100	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2个p通道			20V	3A（3A）		85MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		510pf @ 15V	标准
SI4684DY-T1-GE3	-	RFQ	8482	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4684		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	1.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±12V	2080 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
auirfs4010-7trl	3.9200	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	83		n通道		100 v	180a（TC）		4.7MOHM @ 106A，10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W（TC）
NVMFD6H846NLT1G	2.0600	RFQ	1828年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD6		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（34W）（34W tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFD6H846NLT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			80V	9.4A（TA），31a （TC）		15mohm @ 5A，10V	2V @ 21µA	17NC @ 10V		900pf @ 40V	-
UPA2804T1L-E2-AT	0.8700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
2SB1184-R-TP	0.4313	RFQ	7263	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1184			1 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500															50 V	3 a						1µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	82 @ 500mA，3v	70MHz
SKI06048	-	RFQ	6392	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	85A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 55A，10V	2.5V @ 1.5mA	90.6 NC @ 10 V	±20V	6210 PF @ 25 V	-	135W（TC）
JANSM2N2907AUA/TR	156.0008	RFQ	2705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907			500兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSM2N2907AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA						50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSD2N2222A	98.4404	RFQ	1911	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSD2N2222A			1															50 V	800 MA						50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MMBT7002DW	0.0520	RFQ	4882	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	MMBT7002		MOSFET （金属 o化物）	200mw（ta）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMBT7002DWTR		8541.21.0000	3,000	2 n 通道（双）			60V	115ma（ta）		7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
TSC5304EDCP ROG	-	RFQ	5632	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5304			35 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500															400 v	4 a						250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
KSA1182OMTF	-	RFQ	1039	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSA1182			150兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 100mA，1V	200MHz
KSD1589YTU	-	RFQ	7680	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				1.5 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	970															100 v	5 a						1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
APTM50UM19SG	-	RFQ	2672	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	J3模块			MOSFET （金属 o化物）		模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	163a（TC）	10V	19mohm @ 81.5a，10v	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	±30V	22400 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
2N5334	22.2750	RFQ	5551	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				6 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5334	Ear99	8541.29.0095	1															60 V	3 a						-	NPN	-	-	-
2SA1740E-TD-E	-	RFQ	1018	Sanyo	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SA1740E-TD-E-600057			1
JANTX2N3811	-	RFQ	5550	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811			350MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60V	50mA						10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
FDW2501NZ	-	RFQ	8759	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3	2 n 通道（双）			20V	5.5a		18mohm @ 5.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1286pf @ 10V	逻辑级别门
BD244A	-	RFQ	2717	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BD244A-600039			1															60 V	6 a						700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
PDTC144VU，115	0.0349	RFQ	1239	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC144			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	40 @ 5mA，5V		47科姆斯	10 kohms
mvr2n222222aub/tr	29.9649	RFQ	4535	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UB	-			到达不受影响	150-MVR2N222222aub/tr			100															50 V	800 MA						50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FW297-TL-2W	-	RFQ	4857	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FW297		MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	4.5a		58mohm @ 4.5A，10V	2.6V @ 1mA	14NC @ 10V		750pf @ 20V	逻辑水平门，4V驱动器
IRF6216TRPBF-1	-	RFQ	5157	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRF6216TRPBF-1TR	Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		150 v	2.2A（ta）	10V	240MOHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BUK7Y25-40B/C3115	-	RFQ	9326	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM135N100HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道		100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²