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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FW803-TL-E	0.8300	RFQ	10	Sanyo	*	大部分	积极的					FW803			-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000																-
IRFD323	1.4000	RFQ	982	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）				MOSFET （金属 o化物）			4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						350 v	400mA（TC）	10V	2.5Ohm @ 250mA，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	455 pf @ 25 V	-	1W（TC）
HGTH20N40C1D	-	RFQ	5970	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			100 W		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	74				-															-	400 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
IRF8308MTRPBF	-	RFQ	2123	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX	IRF8308			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570686	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						30 V	27a（27A），150a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 27a，10v	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4404 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
BUK7675-55A，118	1.2000	RFQ	2386	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7675			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						55 v	20.3A（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA		±20V	483 pf @ 25 V	-	62W（TC）
2SJ328-az	2.7800	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IXKP13N60C5	-	RFQ	7991	ixys	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP13			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	13A（TC）	10V	300MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	-
IPDQ60R020CFD7XTMA1	22.3400	RFQ	1593年	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块				MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-22-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	750		n通道						600 v	112a（TC）	10V	20mohm @ 42.4a，10v	4.5V @ 2.12mA	186 NC @ 10 V	±20V	7395 PF @ 400 V	-	543W（TC）
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					10500 w	标准	AG-IHMB130-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																		沟渠场停止	1700 v	1600 a		2.25V @ 15V，1.6KA					5 ma	不	130 nf @ 25 V
R6004enx	1.6400	RFQ	109	Rohm半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6004			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	40W（TC）
ixtv18n60ps	-	RFQ	6563	ixys	Polarhv™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv18			MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	18A（TC）	10V	420MOHM @ 9A，10V	5.5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
DMN6017SFV-7	0.2723	RFQ	6635	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN6017			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	35A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2711 pf @ 15 V	-	1W（ta）
CGH55015F2	94.4000	RFQ	1	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v			440166	CGH55015		5.65GHz	hemt			440166	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	60			-		200 ma	12.5W	12DB											-									28 V
MMBTA92-AU_R1_000A1	0.2700	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA92				250兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBTA92-AU_R1_000A1TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																				300 v	500 MA							250NA			PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
JANHCD2N5152	-	RFQ	3290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhcd2n5152	Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	2 a							50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N2985	27.6600	RFQ	7703	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2985	Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	3 a							-			NPN	-	-	-
BC33725	0.0600	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	800 MA							100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
SI4196DY-T1-E3	-	RFQ	9485	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4196			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27mohm @ 8a，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 8 V	±8V	830 pf @ 10 V	-	2W（TA），4.6W（TC）
BC337-40 bp	-	RFQ	7289	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C〜150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC337				625兆		到92	下载	rohs3符合条件			353-BC337-40 bp	Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	800 MA							200NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 300mA，1V	210MHz
STD25NF10T4	1.8400	RFQ	6337	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	25A（TC）	10V	38mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BUK7E2R6-60E，127	-	RFQ	6363	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	120A（TC）	10V	2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	158 NC @ 10 V	±20V	11180 pf @ 25 V	-	349W（TC）
PMST3904,135	-	RFQ	2685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMST3							下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
SIRA50DP-T1-RE3	1.6100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira50			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	62.5a（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	194 NC @ 10 V	+20V，-16V	8445 pf @ 20 V	-	6.25W（TA），100W（（（（（（（（（（
NSTB1003DXV5T1	0.0500	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000
PMD17K40	2.6000	RFQ	20	固态公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					200 w		TO-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-PMD17K40	Ear99	8541.10.0080	10																				40 V	20 a										pnp-达灵顿	2V @ 40mA，10a	800 @ 10a，3v	4MHz
SQP90142E_GE3	-	RFQ	4880	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP90142			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	78.5A（TC）	10V	15.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	250W（TC）
STH180N4F6-2	-	RFQ	7925	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH180			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	190w（TC）
DMN3730UFB4-7B	0.3800	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN3730			MOSFET （金属 o化物）			X2-DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						30 V	750mA（TA）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	1.6 NC @ 4.5 V	±8V	64.3 pf @ 25 V	-	470MW（TA）
TPC6107（TE85L，F，M）	-	RFQ	1647年	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6107			MOSFET （金属 o化物）			VS-6（2.9x2.8）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	4.5A（ta）	2V，4.5V	55mohm @ 2.2a，4.5V	1.2V @ 200µA	9.8 NC @ 5 V	±12V	680 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FDS6986AS_SN00192	-	RFQ	1507	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69			MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-so	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	6.5a，7.9a		29mohm @ 6.5a，10v，20mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA，3V @ 1mA	9NC @ 5V，8NC @ 5V		720pf @ 10V，550pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²