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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RQK0608BQDQS＃h1	-	RFQ	4710	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的										下载				559-RQK0608BQDQS＃h1	过时的		1
IRFHS9301TR2PBF	-	RFQ	3085	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	6-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		P通道					30 V	6A（6A），13A （TC）		37MOHM @ 7.8A，10V	2.4V @ 25µA	13 NC @ 10 V		580 pf @ 25 V	-
SI4925BDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	1623年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4925		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	5.3a		25mohm @ 7.1a，10v	3V @ 250µA	50NC @ 10V		-	逻辑级别门
SSM3K309T（TE85L，F）	-	RFQ	1396	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K309		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4V	31MOHM @ 4A，4V	-		±12V	1020 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FD6M033N06	3.8100	RFQ	1	Fairchild半导体	Power-SPM™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M033		MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）						60V	73a		3.3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	129nc @ 10V		6010pf @ 25V	-
2SJ356（0）-t2-az	0.9400	RFQ	37	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					2SJ356		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000															-
MMSF3350R2	0.2400	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
APT10045B2LLG	32.4000	RFQ	8323	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT10045		MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	23A（TC）	10V	450MOHM @ 11.5A，10V	5V @ 2.5mA	154 NC @ 10 V	±30V	4350 pf @ 25 V	-	565W（TC）
2SAR583D3FRATL	2.5500	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																		50 V	7 a		1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 150mA，3a	180 @ 1mA，3v	230MHz
JANTXV2N6784U	-	RFQ	8949	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）		18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	2.25A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
MMFT2N25ET3	0.1500	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,000
IRFS7734Trl7pp	-	RFQ	7522	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					75 v	197a（TC）	6V，10V	3.05MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 pf @ 25 V	-	294W（TC）
STL120N2VH5	2.5500	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL120		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	120A（TC）	2.5V，4.5V	3MOHM @ 14a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	29 NC @ 2.5 V	±8V	4660 pf @ 15 V	-	80W（TC）
IMW65R048M1HXKSA1	16.1400	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R048		sicfet （碳化硅）		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	39A（TC）	18V	64mohm @ 20.1a，18v	5.7V @ 6mA	33 NC @ 18 V	+23V，-5V	1118 PF @ 400 V	-	125W（TC）
RFM10N45	-	RFQ	2712	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					450 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BUK7105-40AIE，118	1.2300	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BUK71					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
SISF02DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SCD	SISF02		MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	PowerPak®1212-8SCD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水						25V	30.5A（TA），60a tc）		3.5MOHM @ 7A，10V	2.3V @ 250µA	56nc @ 10V		2650pf @ 10V	-
SIHG20N50E-GE3	3.2800	RFQ	4650	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道					500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
2N6562	755.0400	RFQ	1967年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				100 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N6562	Ear99	8541.29.0095	1																		450 v	10 a		-	NPN	-	-	-
IPC100N04S5L1R5ATMA1	2.1200	RFQ	7756	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10V	2V @ 60µA	95 NC @ 10 V	±16V	5340 pf @ 25 V	-	115W（TC）
FDT434P	1.0000	RFQ	3191	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT43		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		P通道					20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	50mohm @ 6A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1187 PF @ 10 V	-	（3W）（TA）
IXTY08N100D2-TRL	1.6634	RFQ	9715	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixty08n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					1000 v	800mA（TJ）	0V	21ohm @ 400mA，0v	4V @ 25µA	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
KSB564AYTA	0.0500	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																		25 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
BUK9516-55A，127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	66A（TC）	5V，10V	15mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3085 pf @ 25 V	-	138W（TC）
KSD227YBU	0.0200	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000																		25 v	300 MA		100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 30mA，300mA	120 @ 50mA，1V	-
2N5245	-	RFQ	6176	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		-	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		15mA		-	-											-
BC327A	0.0200	RFQ	7273	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,803																		45 v	800 MA		100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
PTFB182503EL-V1-R0	106.9166	RFQ	9522	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v		底盘安装	H-33288-6	PTFB182503	1.88GHz	ldmos		H-33288-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50			-	1.85 a	50W	19db											-			30 V
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	RFQ	5214	Infineon技术	Optimos™，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC021		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					80 V	100A（TC）	6V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 146µA	29 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 40 V	标准	214W（TC）
SIHFRC20TR-GE3	0.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SIHFRC20TR-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²