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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IMZA65R039M1HXKSA1	18.0600	RFQ	202	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	50A（TC）	18V	50mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+20V，-2V	1393 PF @ 400 V	-	176W（TC）
IRFSL7434PBF	-	RFQ	9234	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
FDPF7N60NZT	0.6400	RFQ	5	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	6.5A（TC）	10V	1.25OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	33W（TC）
RJK0452DPB-WS＃j5	-	RFQ	2633	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的									-				559-RJK0452DPB-WS＃j5	过时的		1
PMV28 ureear	0.4000	RFQ	4172	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV28	MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	490 pf @ 10 V	-	510MW（TA），3.9W（TC）
2SC536F-SPA-AC	0.2700	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
JASP2N2907AUB	101.3106	RFQ	5645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSP2N2907AUB			1														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MMBTA56-13P	0.0206	RFQ	8674	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA56		225兆		SOT-23	下载				353-MMBTA56-13P	Ear99	8541.21.0095	1														80 V	500 MA		100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
JANSM2N5153U3	229.9812	RFQ	5349	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w		U3	-			到达不受影响	150-JANSM2N5153U3			1														80 V	2 a		50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
FP50R07N2E4BOSA1	-	RFQ	6452	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP50R07			标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器												沟渠场停止	650 v	70 a	1.95V @ 15V，50a	1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
NDS9959	0.4700	RFQ	7722	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS995	MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		50V	2a		300MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	15nc @ 10V		250pf @ 25V	-
MMBT3906-7-F-52	0.0260	RFQ	1781年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			310 MW		SOT-23-3	下载				31-MMBT3906-7-F-52	Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	200 ma		50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IPP075N15N3GHKSA1	-	RFQ	8553	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP075N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000386663	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	100A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
HUF75339G3	1.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300		n通道	55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
SIHA12N60E-GE3	2.5300	RFQ	1575年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N60E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	33W（TC）
S8550-D-BP	-	RFQ	3501	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	S8050		625兆		到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-S8550-D-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000														25 v	500 MA		200NA			PNP	600mv @ 50mA，500mA	160 @ 50mA，1V	150MHz
NVMYS008N08LHTWG	0.7201	RFQ	3500	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	13a（13A），59a （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 10a，10v	2V @ 70µA	25 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
IRFP150	-	RFQ	7219	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP150	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
FDW2516NZ	0.2900	RFQ	107	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	1.1W		8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	5.8a		30mohm @ 5.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 5V		745pf @ 10V	逻辑级别门
RUR040N02HZGTL	0.8000	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RUR040	MOSFET （金属 o化物）			TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	35MOHM @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	±10V	680 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
IPG15N06S3L-45	-	RFQ	5377	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG15N	MOSFET （金属 o化物）	21W		PG-TDSON-8-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		55V	15a		45mohm @ 10a，10v	2.2V @ 10µA	20NC @ 10V		1420pf @ 25V	逻辑级别门
UF3C120400B7S	6.5400	RFQ	363	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	UF3C120400	sicfet（cascode sicjfet）			D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	1200 v	7.6A（TC）	12V	515MOHM @ 5A，12V	6V @ 10mA	22.5 NC @ 15 V	±25V	739 PF @ 800 V	-	100W（TC）
PMBT2222A，235	-	RFQ	4493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2222		250兆		TO-236AB	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2222A，235-954	Ear99	8541.21.0075	1														40 V	600 MA		10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FQP2P25	-	RFQ	2274	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）
FQP6P25	0.8300	RFQ	127	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	250 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	780 pf @ 25 V	-	90W（TC）
AOTL66401	6.6400	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	AOTL664	MOSFET （金属 o化物）			托拉	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	82A（ta），400A（tc）	4.5V，10V	0.7MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	340 NC @ 10 V	±20V	19180 PF @ 20 V	-	8.3W（ta），300W（tc）
STP15NM65N	-	RFQ	9720	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP15N	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±25V	983 PF @ 50 V	-	125W（TC）
UPA2002GR-E1-A	1.1800	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				UPA2002					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
FQB3N90TM	-	RFQ	1736年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB3	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
2N6303	164.2200	RFQ	5059	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N6303	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	3 a		1µA			PNP	750mv @ 150mA，1.5a	35 @ 500mA，1V	60MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²