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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SI4442DY-T1-E3	3.1400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4442			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	15A（TA）	2.5V，10V	4.5mohm @ 22a，10v	1.5V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
MRFE6S9060GNR1	35.5106	RFQ	7979	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6		880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310336528	Ear99	8541.29.0075	500			-		450 MA	14W	21.1db											-									28 V
PTFA212401E V4	-	RFQ	7757	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA212401		2.14GHz	ldmos		H-36260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35			10µA		1.6 a	50W	15.8db											-									30 V
ON5453,518	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5453		-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934063299518	Ear99	8541.29.0095	2,000	-		-			-	-											-
2SJ214STL-E	2.4200	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NZT6717-ON	0.1400	RFQ	1478	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000																				80 V	1.2 a							100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 10mA，250mA	80 @ 50mA，1V	-
BSR16/DG/B4VL	0.0600	RFQ	20	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT23-3（TO-236）	-				2156-BSR16/DG/B4VL			4,808																				60 V	600 MA							10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
JANSL2N2907AUA	155.8004	RFQ	9333	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅					500兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSL2N2907AUA			1																				60 V	600 MA							50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
BCX55-10-QX	0.4200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				60 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
2N6062	613.4700	RFQ	3466	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱					150 w	TO-63	-			到达不受影响	150-2N6062	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	50 a							-	PNP	-	-	-
FQD5P10TM	0.9000	RFQ	2989	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5P10			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						100 v	3.6A（TC）	10V	1.05OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
KSD986YS	1.0000	RFQ	6085	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000																				80 V	1.5 a							10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	8000 @ 1A，2V	-
BCX56-16HE3-TP	0.3900	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56				500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-BCX56-16HE3-TPTR	Ear99	8541.21.0075	1,000																				80 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
sihu3n50da-ge3	0.3532	RFQ	1524年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu3			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	69W（TC）
GSI510	-	RFQ	5045	哈里斯公司	*	大部分	积极的											-						0000.00.0000	100
auirfz44nstrl	1.1600	RFQ	12	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道						55 v	49A（TC）		17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
PMBT2907A/DLT215	0.0200	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2907						下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
IRFS4410TRLPBF	3.9700	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRF6668TR1PBF	-	RFQ	2759	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
RJK0346DPA-WS＃j0	2.7100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM16P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道						60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA		±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
IXGT60N60C2	-	RFQ	8881	ixys	HiperFast™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT60	标准			480 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，2ohm，15V															pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，50a	480µJ（OFF）	146 NC	18NS/95NS
DMG6968U-7	0.5300	RFQ	636	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG6968			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	151 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道						60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
IPP100N06S2L05AKSA2	4.4300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PDTB143ET235	-	RFQ	2450	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				10,000
DMTH4011SPD-13	0.7900	RFQ	1	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH4011			MOSFET （金属 o化物）	2.6W（ta）	PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							40V	11.1A（TA），42A （TC）		15mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	10.6nc @ 10V		805pf @ 20V	-
BLA8H0910L-500U	518.4000	RFQ	8855	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	114.5 v		底盘安装	SOT-502A	bla8		900MHz〜930MHz	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			2.8µA		90 MA	500W	19db											-									50 V
TPC8228-H，LQ	-	RFQ	6012	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8228			MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-sop	下载				264-TPC8228-HLQTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							60V	3.8a		57MOHM @ 1.9A，10V	2.3V @ 100µA	11NC @ 10V		640pf @ 10V	-
IRFR3707ZCTRLP	-	RFQ	9385	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	56A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²