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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXFK24N100Q3	28.9700	RFQ	60	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24	MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	24A（TC）	10V	440MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
SP8K1FRATB	1.3400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K1	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5A（5A）		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	-
NXH010P90MNF1PTG	169.4400	RFQ	1800	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010	（SIC）	328W（TJ）		-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P90MNF1PTG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）公共来源		900V	154a（TC）		14mohm @ 100a，15v	4.3V @ 40mA	546.4NC @ 15V		7007pf @ 450V	-
2SA2201-TD-E	-	RFQ	2216	Sanyo	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
RCD075N20TL	0.6045	RFQ	4169	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）			CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	7.5A（TC）	10V	325MOHM @ 3.75A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	755 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
IPD60R2K0C6BTMA1	-	RFQ	8023	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	2ohm @ 760mA，10v	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	22.3W（TC）
FDS8958B	0.9400	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道		30V	6.4a，4.5a		26mohm @ 6.4a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 10V		540pf @ 15V	逻辑级别门
SCT3040KW7TL	38.8000	RFQ	8346	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3040	sicfet （碳化硅）			TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1200 v	56A（TC）		52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	267W
NVTFS4823NWFTWG	-	RFQ	4405	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4823	MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 12 V	-	3.1W（ta），21W（21W）（TC）
HUF76113DK8T	0.5100	RFQ	77	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm）	HUF76113	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）		US8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6a（6a）		32MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	19.2nc @ 10V		605pf @ 25V	逻辑级别门
2SB631E	0.2500	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
IRG5K200HF06A	-	RFQ	2552	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块			800 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544746	Ear99	8541.29.0095	20	半桥												-	600 v	340 a	2.1V @ 15V，200a	1 MA	不	11.9 NF @ 25 V
BD241D-S	-	RFQ	9560	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	BD241		2 w		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000														120 v	3 a		300µA			NPN	2.5V @ 750mA，3a	25 @ 1A，4V	-
IPS031N03LGAKMA1	-	RFQ	2481	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
BCW89-QR	0.2000	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW89		250兆		TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														60 V	100 ma		100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
FCA47N60F	11.8600	RFQ	7145	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FCA47N60	MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W（TC）
DTC123E	0.0200	RFQ	63	Onmi	*	大部分	积极的				DTC123					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
VN0106N3-G-P003	0.7100	RFQ	7999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0106	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	350mA（TJ）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2.4V @ 1mA		±20V	65 pf @ 25 V	-	1W（TC）
YJP70G10A	0.5270	RFQ	100	Yangjie技术	-	管子	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJP70G10A	Ear99		1,000
IPD65R600E6ATMA1	-	RFQ	9964	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R600	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
JANSD2N222221AUB	150.4902	RFQ	1395年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSD2N222221AUB			1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
IMZA120R014M1HXKSA1	52.5600	RFQ	193	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	127A（TC）	15V，18V	18.4mohm @ 54.3a，18v	5.2V @ 23.4mA	110 NC @ 18 V	+20V，-5V	4580 NF @ 25 V	-	455W（TC）
BC549_J35Z	-	RFQ	6068	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
TSM10NC65CF C0G	3.3400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）			ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
DMP2066LDMQ-7	0.1465	RFQ	6922	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMP2066	MOSFET （金属 o化物）			SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 4.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	10.1 NC @ 4.5 V	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
TK80S04K3L（T6L1，NQ	-	RFQ	4801	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK80S04	MOSFET （金属 o化物）			DPAK+	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	80a（ta）	6V，10V	3.1MOHM @ 40a，10v	3V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 10 V	-	100W（TC）
STP25N60M2-EP	2.8900	RFQ	23	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15892-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	150W（TC）
2N5084	287.8650	RFQ	6625	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			20 w		TO-59	-			到达不受影响	150-2N5084	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	10 a		-			PNP	-	-	-
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
2SA1562-TL-E	0.4600	RFQ	19	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	700

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²