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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
ISZ0702NLSATMA1	1.2900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0702N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					60 V	17a（17a），86a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 26µA	39 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
HUFA76423S3S	-	RFQ	3528	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
STP2NK100Z	3.2500	RFQ	439	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP2NK100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	4.5V @ 50µA	16 NC @ 10 V	±30V	499 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IPP65R600C6XKSA1	-	RFQ	2398	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
FDV305N	0.5100	RFQ	8343	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV305		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	900mA（ta）	2.5V，4.5V	220MOHM @ 900mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±12V	109 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000		n通道					600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA		±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
IPU60R1K0CE	1.0000	RFQ	1724年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	6.8A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	61W（TC）
IXTP110N055T2	3.0400	RFQ	19	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP110		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	110A（TC）	10V	6.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3060 pf @ 25 V	-	180W（TC）
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC69					-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000437778		0000.00.0000	1								-
UJ4SC075018L8S	21.0900	RFQ	6800	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	UJ4SC075		sicfet（cascode sicjfet）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					750 v	53A（TC）	12V	23mohm @ 50a，12v	6V @ 10mA	37.8 NC @ 15 V	±20V	1414 PF @ 400 V	-	349W（TC）
SI7788DP-T1-GE3	1.3183	RFQ	3551	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7788		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5370 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
FDFME2P823ZT	-	RFQ	6317	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	FDFME2		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					20 v	2.6a（ta）	1.8V，4.5V	142MOHM @ 2.3a，4.5V	1V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
SI7860DP-T1-GE3	-	RFQ	4846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7860		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
2SK2111-D-T1-AZ	0.4300	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
MCH6606-TL-E	-	RFQ	9032	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MCH6606		-			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000															-
FQI4N20	-	RFQ	4903	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	950		n通道					200 v	3.6A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
NVMFS020N10MCL	-	RFQ	8561	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-		NVMFS020		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-						-	-	-	-		-		-	-
FQB19N20CTM	1.5300	RFQ	7254	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB19N20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
PH3530DL115	0.4600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
ISC0602NLSATMA1	1.5700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0602N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					80 V	14a（14A），66A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 29µA	22 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），60W（TC）
IRFIRF7314PBF	-	RFQ	4372	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SFP9Z24	0.1900	RFQ	9251	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,489		P通道					60 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	49W（TC）
FDC602P_F095	-	RFQ	4064	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC602		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	5.5A（ta）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1456 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
NVD3055-150T4G-VF01	0.8000	RFQ	6223	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD3055		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	9a（9a）	10V	150MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.8W（tj）
IPP80N08S207AKSA1	2.3890	RFQ	8676	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
R6010ANX	2.3862	RFQ	7247	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6010		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					600 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	50W（TC）
MRF151	-	RFQ	5763	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	125 v			-		175MHz	MOSFET		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1153	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		16a	250 MA	150W	13db〜22dB											-	50 V
BTS114AE3045ANTMA1	3.4100	RFQ	24	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					pg-to220-3-5	下载					Ear99	8541.29.0095	88
QJD1210010	-	RFQ	9052	Powerex Inc.	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	QJD1210		（SIC）	1080W	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						1200V（1.2kV）	100A（TC）		25mohm @ 100a，20v	5V @ 10mA	500NC @ 20V		10200pf @ 800V	-
STL3NM60N	2.4000	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL3NM60		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13351-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	650mA（ta），2.2a（2a）TC）	10V	1.8OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±25V	188 pf @ 50 V	-	（2W）（22W）（22w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²