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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FQPF6N80	-	RFQ	8071	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
SKI04033	1.3500	RFQ	38	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 58.5A，10V	2.5V @ 1mA	63.2 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 25 V	-	116W（TC）
FQA6N70	1.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道					700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
STF5N65M6	-	RFQ	8598	Stmicroelectronics	*	管子	积极的					STF5N65					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
IRF7910TRPBF	-	RFQ	5818	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7910		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						12V	10a		15mohm @ 8a，4.5V	2V @ 250µA	26nc @ 4.5V		1730pf @ 6V	逻辑级别门
BUK7510-55AL127	1.0200	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUK7510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	6280 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SIA436DJ-T4-GE3	0.2467	RFQ	2153	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA436		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA436DJ-T4-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					8 V	12A（TC）	1.2V，4.5V	9.4mohm @ 15.7A，4.5V	800MV @ 250µA	25.2 NC @ 5 V	±5V	1508 pf @ 4 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IPLK60R1K0PFD7ATMA1	1.3400	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					600 v	5.2A（TC）	10V	1OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 400 V	-	31.3W（TC）
IXFX240N15T2	21.2100	RFQ	4	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX240		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx240N15T2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
TSM70N750CP ROG	4.2900	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
FDD8770	0.4000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	742		n通道					25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
MRF18030ALSR5	41.8400	RFQ	50	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			Ni-400s	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		Ni-400s	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	50			-	250 MA	30W	14dB											-	26 V
CGD65A130S2-T13	6.5600	RFQ	3	剑桥甘恩设备	冰根™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-PowerVDFN			ganfet（n化岩）		16-DFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		-					650 v	12A（TC）	12V	182MOHM @ 900mA，12V	4.2V @ 4.2mA	2.3 NC @ 12 V	+20V，-1V		电流感应
BUK7225-55A，118	0.2700	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BUK7225-55A，118	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	43A（ta）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（ta）
BSS123IXTMA1	-	RFQ	6535	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	1.8V @ 13µA	0.63 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
STP30NF20	3.0800	RFQ	9666	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5825-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1597 PF @ 25 V	-	125W（TC）
DMN3009LFV-13	0.1725	RFQ	7211	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3009		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 15 V	-	2W（TA）
RFP14N05P2	-	RFQ	5151	哈里斯公司	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
SIRC10DP-T1-GE3	0.8700	RFQ	5369	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC10		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	+20V，-16V	1873 PF @ 15 V	（（（）	43W（TC）
IPP65R280C6XKSA1	-	RFQ	8305	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
TN5335K1-G	1.0000	RFQ	8622	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN5335		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					350 v	110mA（TJ）	3V，10V	15ohm @ 200mA，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1		P通道					12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
73282	0.4900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）			7328		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	2,500							60V	12a		107MOHM @ 8A，5V	3V @ 250µA	6.2nc @ 5V			-
YJD45G10A	0.3350	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD45G10ATR	Ear99		2,500
TPCF8304 （TE85L，F，m	-	RFQ	5747	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCF8304		MOSFET （金属 o化物）	330MW	VS-8 （2.9x1.5）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）						30V	3.2a		72MOHM @ 1.6A，10V	1.2V @ 1mA	14NC @ 10V		600pf @ 10V	逻辑级别门
2SK3704	-	RFQ	8303	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3704		MOSFET （金属 o化物）		TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					60 V	45A（TA）	4V，10V	14mohm @ 23A，10V	-	67 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM27P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道					30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W（TC）
FQU5N50TU	-	RFQ	6782	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU5		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道					500 v	3.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
CEZ6R40SL-HF	0.8647	RFQ	2476	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		P-pak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CEZ6R40SL-HFTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					65 v	27a（27A），93A（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	1790 pf @ 30 V	-	73W（TC）
NDTL01N60ZT3G	-	RFQ	5410	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDTL01		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					600 v	250mA（tc）	10V	15ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	4.9 NC @ 10 V	±30V	92 PF @ 25 V	-	2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²