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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BUK7275-100A，118	1.2000	RFQ	62	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7275	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	21.7A（TC）	10V	75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	89W（TC）
IRL8114pbf	1.2200	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	90A（TC）		4.5mohm @ 40a，10v	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2660 pf @ 15 V	-	115W（TC）
AOTF10N65	0.7673	RFQ	1428	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 25 V	-	50W（TC）
BSS138-7-F	0.2100	RFQ	1687年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
IPW65R080CFDFKSA2	10.7200	RFQ	6404	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R080	MOSFET （金属 o化物）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	43.3a（TC）	10V	80MOHM @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.8mA	167 NC @ 10 V	±20V	5030 pf @ 100 V	-	391W（TC）
IRFI740GLC	-	RFQ	4993	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI740GLC	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	5.7A（TC）	10V	550MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
STL28N60M2	1.8081	RFQ	8127	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				STL28			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
RM60N100DF	0.4900	RFQ	7225	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM60N100DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	100 v	60a（TC）	10V	8.5mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 50 V	-	105W（TC）
BSP92PH6327XTSA1	0.6900	RFQ	3380	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP92PH6327	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	250 v	260mA ta）	2.8V，10V	12ohm @ 260mA，10v	2V @ 130µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPW60R099C7XKSA1	6.8500	RFQ	7716	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R099	MOSFET （金属 o化物）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	14A（TC）	10V	99mohm @ 9.7a，10v	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 PF @ 400 V	-	110W（TC）
SIHFR430ATRL-GE3	0.4263	RFQ	5203	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR430	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR430ATRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
PSMN004-36B，118	-	RFQ	1460	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN0	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	36 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	97 NC @ 5 V	±15V	6000 PF @ 20 V	-	230W（TC）
AOTF262L	-	RFQ	1277	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF262	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	17.5a（ta），85a tc）	6V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.2V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	8140 pf @ 30 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
PSMN035-150p	1.0000	RFQ	2084	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
STP270N04	-	RFQ	6931	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP270	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-5270-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	120A（TC）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7400 PF @ 25 V	-	330W（TC）
RD3H200SNTL1	1.5700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3H200	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	45 v	20A（TA）	4V，10V	28mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 10 V	-	20W（TC）
IRFU3607TRL701P	-	RFQ	4999	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
FQP6N90C	-	RFQ	3461	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	900 v	6A（TC）	10V	2.3OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1770 pf @ 25 V	-	167W（TC）
SN7002W E6327	-	RFQ	2277	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IXTQ30N60L2	19.3700	RFQ	6629	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SPD07N60S5BTMA1	0.6400	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
G5N02L	0.0771	RFQ	4824	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G5N02LTR	Ear99	8541.29.0000	3,000	n通道	20 v	5A（TC）	2.5V，10V	18mohm @ 4.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	780 pf @ 10 V	-	1.25W（TC）
CSD17381F4T	0.9800	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）	3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250	n通道	30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IPD60R385CPBTMA1	-	RFQ	4566	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
STP36NF06FP	-	RFQ	5973	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	stp36n	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	18A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 25 V	-	25W（TC）
APT77N60SC6	14.4500	RFQ	8181	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）	d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
STW40N95K5	17.6300	RFQ	40	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15447-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	950 v	38A（TC）	10V	130mohm @ 19a，10v	5V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 100 V	-	450W（TC）
Eki10300	-	RFQ	8049	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Eki10300 dk	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	34A（TC）	4.5V，10V	28.8mohm @ 17.1a，10V	2.5V @ 650µA	36.5 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 25 V	-	90W（TC）
DMT5015LFDF-13	-	RFQ	4311	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT5015	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	50 V	9.1a（ta）	4.5V，10V	15mohm @ 8a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	902.7 pf @ 25 V	-	820MW（TA）
rv3c002unt2cl	0.4900	RFQ	197	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	RV3C002	MOSFET （金属 o化物）	VML0604	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道	20 v	150mA（ta）	1.5V，4.5V	2ohm @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²