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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPB097N08N3 g	-	RFQ	8627	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB097N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	70A（TC）	6V，10V	9.7MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
STW28NK60Z	-	RFQ	8570	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW28N	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4424-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	27a（TC）	10V	185MOHM @ 13.5A，10V	4.5V @ 150µA	264 NC @ 10 V	±30V	6350 PF @ 25 V	-	350W（TC）
NTB13N10T4G	-	RFQ	2279	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB13	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTB13N10T4GOS	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	13A（TA）	10V	165mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	64.7W（TA）
NTD40N03R-001	-	RFQ	1461	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD40	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	7.8a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
SI1450DH-T1-GE3	-	RFQ	5032	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1450	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	8 V	4.53A（TA），6.04a （TC）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	7.05 NC @ 5 V	±5V	535 pf @ 4 V	-	1.56W（TA），2.78W（tc）
SPA20N60C3	-	RFQ	3680	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	600 v	20.7A（TC）		190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	34.5W（TC）
irlr024trl	-	RFQ	2113	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IXFP24N60X	4.8011	RFQ	9264	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	24A（TC）	10V	175mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.5mA	47 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	400W（TC）
TP65H070LSG-TR	13.1200	RFQ	12	移动	TP65H070L	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-powerdfn		ganfet（n化岩）	3-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	25A（TC）	10V	85mohm @ 16a，10v	4.8V @ 700µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 400 V	-	96W（TC）
PSMN4R0-25YLC，115	0.7000	RFQ	1870年	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN4R0	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	25 v	84A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	22.8 NC @ 10 V	±20V	1407 PF @ 12 V	-	61W（TC）
NDS8434	-	RFQ	2155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS843	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	6.5A（TA）	2.7V，4.5V	35MOHM @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	2330 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRLZ44	-	RFQ	8627	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ44	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPI80N06S3-07	-	RFQ	7265	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	55 v	80A（TC）	10V	6.8mohm @ 51A，10V	4V @ 80µA	170 NC @ 10 V	±20V	7768 PF @ 25 V	-	135W（TC）
IRF710pbf	1.1100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF710pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
STD95NH02LT4	1.3700	RFQ	7	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD95	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	24 V	80A（TC）	5V，10V	5mohm @ 40a，10v	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	2070 pf @ 15 V	-	100W（TC）
SUM36N20-54P-E3	-	RFQ	3120	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum36	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	36a（TC）	10V，15V	53mohm @ 20a，15v	4.5V @ 250µA	127 NC @ 15 V	±25V	3100 pf @ 25 V	-	3.12W（TA），166W（tc）
ISL9N312AS3ST	0.8700	RFQ	40	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 58a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	75W（ta）
DMP3028LFDE-13	0.4400	RFQ	454	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP3028	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	30 V	6.8a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1241 PF @ 15 V	-	660MW（TA）
IPI120N04S4-01M	-	RFQ	2230	Infineon技术	-	管子	过时的				IPI120N			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001251474	Ear99	8541.29.0095	500			-
BTS244ZE3043AKSA2	5.5700	RFQ	217	Infineon技术	tempfet®	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	BTS244	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO220-5-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
STB50NE10T4	-	RFQ	8373	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB50N	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	50A（TC）	10V	27mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	166 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IPD60R1K4C6	-	RFQ	2975	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
MKE38P600LB-TUB	40.8740	RFQ	4517	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	600 v	50A（TC）		-	-				-	-
BSS670S2LL6327HTSA1	-	RFQ	9491	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	55 v	540ma（ta）	4.5V，10V	650MOHM @ 270mA，10V	2V @ 2.7µA	2.26 NC @ 10 V	±20V	75 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
SI2323DDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	5.3A（TC）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
FCPF400N60	3.1200	RFQ	816	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF400	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	10A（TC）	10V	400MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 25 V	-	31W（TC）
2SK2993（TE24L，Q）	-	RFQ	9210	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2993	MOSFET （金属 o化物）	TO-220SM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	250 v	20A（TA）	10V	105mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 10 V	-	100W（TC）
IRF744	-	RFQ	9080	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
NDP4050	-	RFQ	6916	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	NDP405	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45	n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V		450 pf @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²