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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | SUM110N04-03-E3 | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 110A(TC) | 10V | 2.8mohm @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 8250 pf @ 25 V | - | 3.75W(TA),375W(tc) | ||
![]() | IRFR7540TRLPBF | - | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 国际整流器 | hexfet®,strongirfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR7540 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak(TO-252AA) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | 90A(TC) | 6V,10V | 4.8mohm @ 66a,10v | 3.7V @ 100µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 4360 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | ||
![]() | IRFP360LC | - | ![]() | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP360 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP360LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 400 v | 23A(TC) | 10V | 200mohm @ 14a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 3400 PF @ 25 V | - | 280W(TC) | |
![]() | AOD7N60 | 0.4763 | ![]() | 8580 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.3OHM @ 3.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1170 pf @ 25 V | - | 178W(TC) | ||
![]() | IRL3705NSTRL | - | ![]() | 4654 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001571922 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 89A(TC) | 4V,10V | 10mohm @ 46a,10v | 2V @ 250µA | 98 NC @ 5 V | ±16V | 3600 PF @ 25 V | - | 3.8W(ta),170W(TC) | ||
![]() | SI7860DP-T1-E3 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7860 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||
![]() | AUIRF2804STRL | 1.0000 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 195a(TC) | 10V | 2mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||
![]() | IRFR13N20DCTRRP | - | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 13A(TC) | 10V | 235mohm @ 8a,10v | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||
![]() | IRF7403TRPBF | 1.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRF7403 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 30 V | 8.5a(ta) | 4.5V,10V | 22mohm @ 4a,10v | 1V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA) | ||
MMBF170-7-F | 0.3800 | ![]() | 3838 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBF170 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 500mA(ta) | 4.5V,10V | 5ohm @ 200mA,10v | 3V @ 250µA | ±20V | 40 pf @ 10 V | - | 300MW(TA) | ||||
![]() | SIL04P06Y-TP | 0.3511 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | SIL04 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6L | 下载 | 353-SIL04P06Y-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 60 V | 3.5a | 4.5V,10V | 85MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 4.27 NC @ 4.5 V | ±20V | 505 pf @ 15 V | - | 1.56W | ||||
![]() | IRF7324D1TRPBF | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | Infineon技术 | Fetky™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P通道 | 20 v | 2.2A(ta) | 2.7V,4.5V | 270MOHM @ 1.2A,4.5V | 700mv @ 250µA(250µA)) | 7.8 NC @ 4.5 V | ±12V | 260 pf @ 15 V | Schottky 二极管(孤立) | 2W(TA) | ||||
IRFH9310TRPBF | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | IRFH9310 | MOSFET (金属 o化物) | PQFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P通道 | 30 V | 21a(21a),40a (TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 21a,10v | 2.4V @ 100µA | 58 NC @ 4.5 V | ±20V | 5250 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||
![]() | STP20NM60FP | 6.9800 | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STP20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 290MOHM @ 10A,10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±30V | 1500 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||
![]() | FDB8870-F085 | - | ![]() | 5071 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FDB887 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | (23A)(TA),160a (TC) | 4.5V,10V | 3.9mohm @ 35a,10v | 2.5V @ 250µA | 132 NC @ 10 V | ±20V | 5200 PF @ 15 V | - | 160W(TC) | |||
![]() | STF9NK60ZD | - | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperFredMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-4346-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 950MOHM @ 3.5A,10V | 4.5V @ 100µA | 53 NC @ 10 V | ±30V | 1110 PF @ 25 V | - | 30W(TC) | |
![]() | IXFH22N50P | 6.3600 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 22a(TC) | 10V | 270MOHM @ 11A,10V | 5.5V @ 2.5mA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2630 PF @ 25 V | - | 350W(TC) | ||
![]() | BSS138LT3 | - | ![]() | 5479 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 50 V | 200ma(ta) | 5V | 3.5OHM @ 200mA,5V | 1.5V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 225MW(TA) | |||
![]() | R6007enjtl | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6007 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 620MOHM @ 2.4a,10V | 4V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 390 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||
RSS065N03TB | 0.5072 | ![]() | 3745 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS065 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 6.5A(TA) | 4V,10V | 26mohm @ 6.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 6.1 NC @ 5 V | ±20V | 430 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||
![]() | IRLU024 | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IRLU024 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | *irlu024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 60 V | 14A(TC) | 4V,5V | 100mohm @ 8.4a,5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 V | ±10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||
![]() | FDS4070N7 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS40 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so flmp | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 15.3a(ta) | 10V | 7mohm @ 15.3a,10v | 5V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ±20V | 2819 PF @ 20 V | - | (3W)(TA) | |||
![]() | FDB42AN15A0 | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FDB42 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 150 v | (5a ta),35a tc(TC) | 6V,10V | 42MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | IRF4104SPBF | 2.2100 | ![]() | 1059 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF4104 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 5.5MOHM @ 75A,10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | ||
![]() | IRFR5505TRR | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 55 v | 18A(TC) | 10V | 110MOHM @ 9.6a,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W(TC) | |||
![]() | FDFC3N108 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | FDFC3 | MOSFET (金属 o化物) | SuperSot™-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 3A(3A) | 2.5V,4.5V | 70MOHM @ 3A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.9 NC @ 4.5 V | ±12V | 355 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | - | |||
![]() | SIR890DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir890 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 2.9mohm @ 10a,10v | 2.6V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2747 PF @ 10 V | - | 5W(5W),50W(50W)TC) | |||
![]() | STB50NE10T4 | - | ![]() | 8373 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB50N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 10V | 27mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 166 NC @ 10 V | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | ||
![]() | IRF520NPBF | 1.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF520 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 9.7a(TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 25 V | - | 48W(TC) | ||
![]() | IRFI644G | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFI644 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFI644G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 7.9A(TC) | 10V | 280MOHM @ 4.7A,10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W(TC) |
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