SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SUM110N04-03-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-03-E3 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 110A(TC) 10V 2.8mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 8250 pf @ 25 V - 3.75W(TA),375W(tc)
IRFR7540TRLPBF International Rectifier IRFR7540TRLPBF -
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 国际整流器 hexfet®,strongirfet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR7540 MOSFET (金属 o化物) D-pak(TO-252AA) 下载 不适用 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 60 V 90A(TC) 6V,10V 4.8mohm @ 66a,10v 3.7V @ 100µA 130 NC @ 10 V ±20V 4360 pf @ 25 V - 140W(TC)
IRFP360LC Vishay Siliconix IRFP360LC -
RFQ
ECAD 3655 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP360 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFP360LC Ear99 8541.29.0095 500 n通道 400 v 23A(TC) 10V 200mohm @ 14a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 280W(TC)
AOD7N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N60 0.4763
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 AOD7 MOSFET (金属 o化物) TO-252(DPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 7A(TC) 10V 1.3OHM @ 3.5A,10V 4.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 1170 pf @ 25 V - 178W(TC)
IRL3705NSTRL Infineon Technologies IRL3705NSTRL -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 SP001571922 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 89A(TC) 4V,10V 10mohm @ 46a,10v 2V @ 250µA 98 NC @ 5 V ±16V 3600 PF @ 25 V - 3.8W(ta),170W(TC)
SI7860DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7860DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8623 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7860 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 8mohm @ 18a,10v 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V - 1.8W(TA)
AUIRF2804STRL International Rectifier AUIRF2804STRL 1.0000
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 40 V 195a(TC) 10V 2mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 25 V - 300W(TC)
IRFR13N20DCTRRP Infineon Technologies IRFR13N20DCTRRP -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 13A(TC) 10V 235mohm @ 8a,10v 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 830 pf @ 25 V - 110W(TC)
IRF7403TRPBF Infineon Technologies IRF7403TRPBF 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRF7403 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 8.5a(ta) 4.5V,10V 22mohm @ 4a,10v 1V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 2.5W(TA)
MMBF170-7-F Diodes Incorporated MMBF170-7-F 0.3800
RFQ
ECAD 3838 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF170 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 500mA(ta) 4.5V,10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 250µA ±20V 40 pf @ 10 V - 300MW(TA)
SIL04P06Y-TP Micro Commercial Co SIL04P06Y-TP 0.3511
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 SIL04 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-6L 下载 353-SIL04P06Y-TP Ear99 8541.29.0095 1 P通道 60 V 3.5a 4.5V,10V 85MOHM @ 4A,10V 2.5V @ 250µA 4.27 NC @ 4.5 V ±20V 505 pf @ 15 V - 1.56W
IRF7324D1TRPBF Infineon Technologies IRF7324D1TRPBF -
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 20 v 2.2A(ta) 2.7V,4.5V 270MOHM @ 1.2A,4.5V 700mv @ 250µA(250µA)) 7.8 NC @ 4.5 V ±12V 260 pf @ 15 V Schottky 二极管(孤立) 2W(TA)
IRFH9310TRPBF Infineon Technologies IRFH9310TRPBF 1.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IRFH9310 MOSFET (金属 o化物) PQFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 21a(21a),40a (TC) 4.5V,10V 4.6mohm @ 21a,10v 2.4V @ 100µA 58 NC @ 4.5 V ±20V 5250 pf @ 15 V - 3.1W(TA)
STP20NM60FP STMicroelectronics STP20NM60FP 6.9800
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP20 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TC) 10V 290MOHM @ 10A,10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 25 V - 45W(TC)
FDB8870-F085 onsemi FDB8870-F085 -
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB887 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V (23A)(TA),160a (TC) 4.5V,10V 3.9mohm @ 35a,10v 2.5V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 15 V - 160W(TC)
STF9NK60ZD STMicroelectronics STF9NK60ZD -
RFQ
ECAD 8964 0.00000000 Stmicroelectronics SuperFredMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF9 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4346-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A(TC) 10V 950MOHM @ 3.5A,10V 4.5V @ 100µA 53 NC @ 10 V ±30V 1110 PF @ 25 V - 30W(TC)
IXFH22N50P IXYS IXFH22N50P 6.3600
RFQ
ECAD 75 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH22 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 22a(TC) 10V 270MOHM @ 11A,10V 5.5V @ 2.5mA 50 NC @ 10 V ±30V 2630 PF @ 25 V - 350W(TC)
BSS138LT3 onsemi BSS138LT3 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BSS138 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 50 V 200ma(ta) 5V 3.5OHM @ 200mA,5V 1.5V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - 225MW(TA)
R6007ENJTL Rohm Semiconductor R6007enjtl 1.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB R6007 MOSFET (金属 o化物) LPT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 7A(TC) 10V 620MOHM @ 2.4a,10V 4V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±20V 390 pf @ 25 V - 40W(TC)
RSS065N03TB Rohm Semiconductor RSS065N03TB 0.5072
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RSS065 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 6.5A(TA) 4V,10V 26mohm @ 6.5a,10v 2.5V @ 1mA 6.1 NC @ 5 V ±20V 430 pf @ 10 V - 2W(TA)
IRLU024 Vishay Siliconix IRLU024 -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRLU024 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) *irlu024 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 14A(TC) 4V,5V 100mohm @ 8.4a,5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 V ±10V 870 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
FDS4070N7 onsemi FDS4070N7 -
RFQ
ECAD 6082 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS40 MOSFET (金属 o化物) 8-so flmp 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 15.3a(ta) 10V 7mohm @ 15.3a,10v 5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 2819 PF @ 20 V - (3W)(TA)
FDB42AN15A0 onsemi FDB42AN15A0 -
RFQ
ECAD 2307 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB42 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v (5a ta),35a tc(TC) 6V,10V 42MOHM @ 12A,10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 25 V - 150W(TC)
IRF4104SPBF Infineon Technologies IRF4104SPBF 2.2100
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF4104 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 5.5MOHM @ 75A,10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 140W(TC)
IRFR5505TRR Infineon Technologies IRFR5505TRR -
RFQ
ECAD 9969 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 55 v 18A(TC) 10V 110MOHM @ 9.6a,10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 25 V - 57W(TC)
FDFC3N108 onsemi FDFC3N108 -
RFQ
ECAD 7402 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDFC3 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 3A(3A) 2.5V,4.5V 70MOHM @ 3A,4.5V 1.5V @ 250µA 4.9 NC @ 4.5 V ±12V 355 pf @ 10 V Schottky 二极管(孤立) -
SIR890DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR890DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2659 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir890 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 50A(TC) 4.5V,10V 2.9mohm @ 10a,10v 2.6V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2747 PF @ 10 V - 5W(5W),50W(50W)TC)
STB50NE10T4 STMicroelectronics STB50NE10T4 -
RFQ
ECAD 8373 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB50N MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 50A(TC) 10V 27mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 166 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 180W(TC)
IRF520NPBF Infineon Technologies IRF520NPBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF520 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 9.7a(TC) 10V 200mohm @ 5.7a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 330 pf @ 25 V - 48W(TC)
IRFI644G Vishay Siliconix IRFI644G -
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRFI644 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFI644G Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 7.9A(TC) 10V 280MOHM @ 4.7A,10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 40W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库