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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFP12N50P	4.1800	RFQ	7539	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp12n50p	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IPD06P003NATMA1	-	RFQ	8840	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001657000	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	22a（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 1.04mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	83W（TC）
SPD07N20	-	RFQ	1200	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD07N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	31.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRL3716S	-	RFQ	3243	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
IRF3710ZSPBF	-	RFQ	4856	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRLR7811WPBF	-	RFQ	1359	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRLR7811WPBF	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±12V	2260 pf @ 15 V	-	71W（TC）
NTP30N06	-	RFQ	6963	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP30N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTP30N06OS	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	27a（27A）	10V	42MOHM @ 15a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
MTP2P50E	-	RFQ	6128	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP2P	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTP2P50EO	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	500 v	2A（TC）	10V	6ohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1183 PF @ 25 V	-	75W（TC）
ICE60N330FP	-	RFQ	9157	ICEMOS技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载				5133-ICE60N330FP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	12A（TC）	10V	330MOHM @ 5A，10V	3.9V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFR3711Z	-	RFQ	7482	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR3711Z	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	20 v	93A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2160 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG30	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFB4610	-	RFQ	2164	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB4610	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRFS4229TRLPBF	4.8200	RFQ	102	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4229	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	250 v	45A（TC）	10V	48mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IPN70R450P7SATMA1	1.0100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R450	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	700 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 2.3A，10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 10 V	±16V	424 PF @ 400 V	-	7.1W（TC）
NTMFS5C404NT1G	8.0700	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
STL7N10F7	1.4300	RFQ	3	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	7A（TJ）	10V	35MOHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 50 V	-	2.9W（ta），50W（TC）
SIR774DP-T1-GE3	-	RFQ	3000	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Sir774			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			32A（ta），40a tc）	4.5V，10V				±20V
NTB6N60T4	-	RFQ	7233	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTB6N60T4-488			1	n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 25 V	-	142W（TC）
TSM4NC60CI C0G	-	RFQ	3023	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	654 pf @ 50 V	-	40W（TC）
NTMSD2P102L2G	-	RFQ	3251	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD2	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	P通道	20 v	2.3a（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±10V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	710MW（TA）
STD2NK100Z	2.5700	RFQ	9923	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD2NK100	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	4.5V @ 50µA	16 NC @ 10 V	±30V	499 pf @ 25 V	-	70W（TC）
2N7002KCE	0.0200	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				2N7002			下载	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2N7002KCOTR	Ear99		3,000
ZVN0124ASTZ	-	RFQ	3725	二极管合并	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	240 v	160mA（TA）	10V	16ohm @ 250mA，10v	3V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
STS5PF20V	-	RFQ	6377	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS5P	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
SPN01N60C3	-	RFQ	5670	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SPN01N	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	300mA（TA）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.7V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPA95R130PFD7XKSA1	6.8900	RFQ	4826	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	950 v	13.9a（TC）	10V	130MOHM @ 25.1A，10V	3.5V @ 1.25mA	141 NC @ 10 V	±20V	4170 pf @ 400 V	-	33W（TC）
STD4NK60ZT4	1.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4NK60	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RJK0852DPB-WS＃j5	-	RFQ	5675	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的							-				559-RJK0852DPB-WS＃j5	过时的		1
np32n055hle-az	0.8900	RFQ	1	nec公司	-	大部分	积极的	175°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	np32	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（MP-3）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	32a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），66W（tc）
FDS7064N	-	RFQ	5845	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）	8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V	7.5MOHM @ 16a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²