SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IRL3202STRR Infineon Technologies IRL3202STRR -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 20 v 48A(TC) 4.5V,7V 16mohm @ 29a,7v 700mv @ 250µA(250µA)) 43 NC @ 4.5 V ±10V 2000 pf @ 15 V - 69W(TC)
SI4466DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4466DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4466 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 9.5A(TA) 2.5V,4.5V 9MOHM @ 13.5a,4.5V 1.4V @ 250µA 60 NC @ 4.5 V ±12V - 1.5W(TA)
IRF6626TR1PBF Infineon Technologies IRF6626TR1PBF -
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距St MOSFET (金属 o化物) DirectFet™st 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 16a(16a),72a(tc) 4.5V,10V 5.4mohm @ 16a,10v 2.35V @ 250µA 29 NC @ 4.5 V ±20V 2380 pf @ 15 V - 2.2W(TA),42W(TC)
SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1058 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.3a(ta) 2.5V,4.5V 91MOHM @ 1.3A,4.5V 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 V ±12V 380 pf @ 10 V - 236MW(TA)
NVTFS5824NLTAG onsemi NVTFS5824NLTAG -
RFQ
ECAD 2305 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NVTFS5 MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2832-NVTFS5824NLTAG-488 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 37A(TC) 4.5V,10V 20.5Mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 850 pf @ 25 V - 3.2W(TA),57W(tc)
IRLR4343TRR Infineon Technologies IRLR4343TRR -
RFQ
ECAD 9984 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 55 v 26a(TC) 4.5V,10V 50mohm @ 4.7A,10V 1V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 740 pf @ 50 V - 79W(TC)
FDS9435A onsemi FDS9435A 0.7000
RFQ
ECAD 7988 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS9435 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 5.3a(ta) 4.5V,10V 50mohm @ 5.3a,10v 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±25V 528 pf @ 15 V - 2.5W(TA)
STL7NM60N STMicroelectronics STL7NM60N -
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 14-PowerVQFN STL7 MOSFET (金属 o化物) 14-Powerflat™(5x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 5.8A(TC) 10V 900mohm @ 2.5a,10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±25V 363 PF @ 50 V - 68W(TC)
FQB4N25TM onsemi FQB4N25TM -
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB4 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 250 v 3.6A(TC) 10V 1.75OHM @ 1.8A,10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 V ±30V 200 pf @ 25 V - 3.13W(ta),52W((ta)
NVMFS5A160PLZWFT3G onsemi NVMFS5A160PLZWFT3G -
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V (15a)(100a),100a(tc) 4.5V,10V 7.7MOHM @ 50a,10v 2.6V @ 1mA 160 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 20 V - 3.8W(TA),200W((tc)
G50N03J Goford Semiconductor G50N03J 0.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK MOSFET (金属 o化物) TO-251 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 65A(TC) 4.5V,10V 7mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 1255 pf @ 15 V - 48W(TC)
IXTA100N04T2 IXYS IXTA100N04T2 2.5796
RFQ
ECAD 2967 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta100 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 100A(TC) 10V 7mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 25.5 NC @ 10 V ±20V 2690 pf @ 25 V - 150W(TC)
SIR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR892DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7795 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir892 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 50A(TC) 4.5V,10V 3.2MOHM @ 10a,10v 2.6V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2645 pf @ 10 V - 5W(5W),50W(50W)TC)
IRLR014NTR Infineon Technologies IRLR014NTR -
RFQ
ECAD 4360 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 55 v 10A(TC) 4.5V,10V 140MOHM @ 6A,10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 V ±16V 265 pf @ 25 V - 28W(TC)
SPP100N04S2-04 Infineon Technologies SPP100N04S2-04 -
RFQ
ECAD 2189 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SPP100N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 100A(TC) 10V 3.6mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 172 NC @ 10 V ±20V 7220 PF @ 25 V - 300W(TC)
BSP295L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP295L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7862 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA MOSFET (金属 o化物) PG-SOT223-4-21 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 1.8A(ta) 4.5V,10V 300MOHM @ 1.8A,10V 1.8V @ 400µA 17 NC @ 10 V ±20V 368 PF @ 25 V - 1.8W(TA)
IRLZ44NSTRRPBF Infineon Technologies IRLZ44NSTRRPBF -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001552954 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 47A(TC) 4V,10V 22mohm @ 25a,10v 2V @ 250µA 48 NC @ 5 V ±16V 1700 PF @ 25 V - 3.8W(TA),110W(tc)
2N6661 Vishay Siliconix 2N6661 -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N6661 MOSFET (金属 o化物) 到39 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 90 v 860mA(tc) 5V,10V 4ohm @ 1A,10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - (725MW)(6.25W)TC)
FQD12P10TM onsemi FQD12P10TM -
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 9.4A(TC) 10V 290MOHM @ 4.7A,10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 2.5W(ta),50W(50W)(TC)
SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHF22N60S-E3 -
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SIHF22 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 22a(TC) 190mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V 2810 PF @ 25 V - 250W(TC)
IRFU2905Z Infineon Technologies IRFU2905Z -
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) IPAK(TO-251AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU2905Z Ear99 8541.29.0095 75 n通道 55 v 42A(TC) 10V 14.5mohm @ 36a,10v 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1380 pf @ 25 V - 110W(TC)
BUK9222-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9222-55A,127 -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 48A(TC) 4.5V,10V 20mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±15V 2210 PF @ 25 V - 103W(TC)
STI10NM60N STMicroelectronics STI10NM60N 2.2000
RFQ
ECAD 970 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI10N MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 550MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±25V 540 pf @ 50 V - 70W(TC)
STS9NF30L STMicroelectronics STS9NF30L -
RFQ
ECAD 9388 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) sts9nf MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9A(TC) 5V,10V 20mohm @ 4.5A,10V 1V @ 250µA 12.5 NC @ 4.5 V ±18V 730 PF @ 25 V - 2.5W(TC)
IXFB80N50Q2 IXYS IXFB80N50Q2 26.3288
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q2类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFB80 MOSFET (金属 o化物) 加上264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 80A(TC) 10V 60mohm @ 500mA,10v 5.5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 15000 PF @ 25 V - 960W(TC)
IRF3709ZCSTRR Infineon Technologies IRF3709ZCSTRR -
RFQ
ECAD 8210 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 87A(TC) 4.5V,10V 6.3MOHM @ 21a,10v 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 V ±20V 2130 PF @ 15 V - 79W(TC)
STP4N80K5 STMicroelectronics STP4N80K5 1.9600
RFQ
ECAD 202 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP4N80 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 3A(TC) 10V 2.5OHM @ 1.5A,10V 5V @ 100µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 175 pf @ 100 V - 60W(TC)
EPC8002 EPC EPC8002 3.1200
RFQ
ECAD 53 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 ganfet(n化岩) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 65 v 2A(TA) 5V 530mohm @ 500mA,5V 2.5V @ 250µA +6V,-4V 21 pf @ 32.5 V - -
GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252 下载 Rohs符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 100 v 24A(TC) 10V 85mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1940 pf @ 50 V - 79W(TC)
SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7478DP-T1-E3 2.8500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7478 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 15A(TA) 4.5V,10V 7.5mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V - 1.9W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库