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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL3202STRR | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 20 v | 48A(TC) | 4.5V,7V | 16mohm @ 29a,7v | 700mv @ 250µA(250µA)) | 43 NC @ 4.5 V | ±10V | 2000 pf @ 15 V | - | 69W(TC) | |||
![]() | SI4466DY-T1-GE3 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4466 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 9.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 9MOHM @ 13.5a,4.5V | 1.4V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | |||
![]() | IRF6626TR1PBF | - | ![]() | 1227 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | DirectFet™等距St | MOSFET (金属 o化物) | DirectFet™st | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 30 V | 16a(16a),72a(tc) | 4.5V,10V | 5.4mohm @ 16a,10v | 2.35V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 V | ±20V | 2380 pf @ 15 V | - | 2.2W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SI1058X-T1-GE3 | - | ![]() | 9387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1058 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.3a(ta) | 2.5V,4.5V | 91MOHM @ 1.3A,4.5V | 1.55V @ 250µA | 5.9 NC @ 5 V | ±12V | 380 pf @ 10 V | - | 236MW(TA) | ||
![]() | NVTFS5824NLTAG | - | ![]() | 2305 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | NVTFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 8-WDFN(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2832-NVTFS5824NLTAG-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 60 V | 37A(TC) | 4.5V,10V | 20.5Mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.2W(TA),57W(tc) | |
![]() | IRLR4343TRR | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 55 v | 26a(TC) | 4.5V,10V | 50mohm @ 4.7A,10V | 1V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 740 pf @ 50 V | - | 79W(TC) | |||
![]() | FDS9435A | 0.7000 | ![]() | 7988 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS9435 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5.3a(ta) | 4.5V,10V | 50mohm @ 5.3a,10v | 3V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±25V | 528 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | ||
![]() | STL7NM60N | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14-PowerVQFN | STL7 | MOSFET (金属 o化物) | 14-Powerflat™(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 5.8A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a,10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±25V | 363 PF @ 50 V | - | 68W(TC) | ||
![]() | FQB4N25TM | - | ![]() | 3525 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FQB4 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 250 v | 3.6A(TC) | 10V | 1.75OHM @ 1.8A,10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ±30V | 200 pf @ 25 V | - | 3.13W(ta),52W((ta) | |||
![]() | NVMFS5A160PLZWFT3G | - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 60 V | (15a)(100a),100a(tc) | 4.5V,10V | 7.7MOHM @ 50a,10v | 2.6V @ 1mA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 7700 PF @ 20 V | - | 3.8W(TA),200W((tc) | |||
![]() | G50N03J | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 戈福德半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | MOSFET (金属 o化物) | TO-251 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 30 V | 65A(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 16.6 NC @ 10 V | ±20V | 1255 pf @ 15 V | - | 48W(TC) | |||
IXTA100N04T2 | 2.5796 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | ixys | TRENCHT2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 7mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 25.5 NC @ 10 V | ±20V | 2690 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | SIR892DP-T1-GE3 | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir892 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 10a,10v | 2.6V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2645 pf @ 10 V | - | 5W(5W),50W(50W)TC) | |||
![]() | IRLR014NTR | - | ![]() | 4360 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 55 v | 10A(TC) | 4.5V,10V | 140MOHM @ 6A,10V | 1V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 V | ±16V | 265 pf @ 25 V | - | 28W(TC) | |||
![]() | SPP100N04S2-04 | - | ![]() | 2189 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 3.6mohm @ 80a,10v | 4V @ 250µA | 172 NC @ 10 V | ±20V | 7220 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||
![]() | BSP295L6327HTSA1 | - | ![]() | 7862 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT223-4-21 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 1.8A(ta) | 4.5V,10V | 300MOHM @ 1.8A,10V | 1.8V @ 400µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 368 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA) | ||||
![]() | IRLZ44NSTRRPBF | - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001552954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 47A(TC) | 4V,10V | 22mohm @ 25a,10v | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 V | ±16V | 1700 PF @ 25 V | - | 3.8W(TA),110W(tc) | |||
![]() | 2N6661 | - | ![]() | 9123 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N6661 | MOSFET (金属 o化物) | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | n通道 | 90 v | 860mA(tc) | 5V,10V | 4ohm @ 1A,10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | (725MW)(6.25W)TC) | |||
![]() | FQD12P10TM | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 9.4A(TC) | 10V | 290MOHM @ 4.7A,10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 800 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | |||
![]() | SIHF22N60S-E3 | - | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 190mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | 2810 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||
![]() | IRFU2905Z | - | ![]() | 4715 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | IPAK(TO-251AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU2905Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 55 v | 42A(TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a,10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1380 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||
![]() | BUK9222-55A,127 | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 48A(TC) | 4.5V,10V | 20mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | ±15V | 2210 PF @ 25 V | - | 103W(TC) | ||||
![]() | STI10NM60N | 2.2000 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STI10N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 550MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±25V | 540 pf @ 50 V | - | 70W(TC) | ||
![]() | STS9NF30L | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | sts9nf | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9A(TC) | 5V,10V | 20mohm @ 4.5A,10V | 1V @ 250µA | 12.5 NC @ 4.5 V | ±18V | 730 PF @ 25 V | - | 2.5W(TC) | ||
![]() | IXFB80N50Q2 | 26.3288 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q2类 | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFB80 | MOSFET (金属 o化物) | 加上264™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 80A(TC) | 10V | 60mohm @ 500mA,10v | 5.5V @ 8mA | 250 NC @ 10 V | ±30V | 15000 PF @ 25 V | - | 960W(TC) | ||
![]() | IRF3709ZCSTRR | - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 87A(TC) | 4.5V,10V | 6.3MOHM @ 21a,10v | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±20V | 2130 PF @ 15 V | - | 79W(TC) | |||
STP4N80K5 | 1.9600 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP4N80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 3A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 1.5A,10V | 5V @ 100µA | 10.5 NC @ 10 V | ±30V | 175 pf @ 100 V | - | 60W(TC) | |||
![]() | EPC8002 | 3.1200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | ganfet(n化岩) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 65 v | 2A(TA) | 5V | 530mohm @ 500mA,5V | 2.5V @ 250µA | +6V,-4V | 21 pf @ 32.5 V | - | - | ||||
![]() | GT750P10K | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 戈福德半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | Rohs符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | P通道 | 100 v | 24A(TC) | 10V | 85mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1940 pf @ 50 V | - | 79W(TC) | |||
![]() | SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7478 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 7.5mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) |
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