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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFB4610	-	RFQ	2164	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB4610	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRFS4229TRLPBF	4.8200	RFQ	102	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4229	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	250 v	45A（TC）	10V	48mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IPN70R450P7SATMA1	1.0100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R450	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	700 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 2.3A，10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 10 V	±16V	424 PF @ 400 V	-	7.1W（TC）
NTMFS5C404NT1G	8.0700	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
STL7N10F7	1.4300	RFQ	3	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	7A（TJ）	10V	35MOHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 50 V	-	2.9W（ta），50W（TC）
SIR774DP-T1-GE3	-	RFQ	3000	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Sir774			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			32A（ta），40a tc）	4.5V，10V				±20V
NTB6N60T4	-	RFQ	7233	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTB6N60T4-488			1	n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 25 V	-	142W（TC）
TSM4NC60CI C0G	-	RFQ	3023	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	654 pf @ 50 V	-	40W（TC）
NTMSD2P102L2G	-	RFQ	3251	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD2	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	P通道	20 v	2.3a（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±10V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	710MW（TA）
IRL3715STRLPBF	-	RFQ	2246	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
PJP6NA40_T0_00001	-	RFQ	2706	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP6NA40_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	6a（6a）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	553 pf @ 25 V	-	100W（TC）
SSFN3964	0.5400	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	44.6W（TC）
2SK3431-AZ	-	RFQ	6276	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	83A（TC）	4V，10V	5.6mohm @ 42a，10v	-	110 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），100W（TC）
IRFIB5N65A	-	RFQ	6693	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB5N65A	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	5.1A（TC）	10V	930mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	60W（TC）
PSMN2R8-40BS	-	RFQ	8495	NXP半导体	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1
IXFL60N60	-	RFQ	3931	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL60	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS264™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	60a（TC）	10V	80Mohm @ 30a，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
NTD4909NT4G	-	RFQ	5289	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD4909	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	8.8A（ta），41A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1314 PF @ 15 V	-	1.37W（TA），29.4W（tc）
IPI80N06S4L05AKSA2	-	RFQ	5408	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028726	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 40a，4.5V	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
FDS6688	1.0700	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3888 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDB28N30TM	2.2100	RFQ	5014	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB28N30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	300 v	28a（TC）	10V	129MOHM @ 14A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IRF7769L1TRPBF	5.0300	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7769	MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	20a（20A），124A （TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF8707TRPBF	0.5700	RFQ	33	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8707	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRL2703STRR	-	RFQ	1841年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
FCPF165N65S3R0L	2.6900	RFQ	56	Onmi	SuperFet®III	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF165	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	35 NC @ 10 V	±30V	1415 PF @ 400 V	-	35W（TC）
PMPB20XPEZ	0.4900	RFQ	31	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB20	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	7.2A（ta）	1.8V，4.5V	23.5MOHM @ 7.2A，4.5V	900mv @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
ZVN0124ASTZ	-	RFQ	3725	二极管合并	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	240 v	160mA（TA）	10V	16ohm @ 250mA，10v	3V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
IRFZ24N，127	-	RFQ	5929	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ2	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STS5PF20V	-	RFQ	6377	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS5P	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
SPN01N60C3	-	RFQ	5670	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SPN01N	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	300mA（TA）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.7V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²